寬禁帶半導體材料越來越受行業歡迎。在碳化硅（SiC）正處于大力擴張之時，供應商都在努力滿足SiC功率器件和硅片市場的潛在需求。 譬如，Cree計劃投資高達10億美元來擴張其SiC晶圓產能。根據該公司
2019-07-19 16:59:35
14526 德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:482140 初創公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點源 MOS (S-MOS) 單元設計。使用 Silvaco Victory 工藝和設備軟件，在 1200V SiC MOSFET
2022-07-26 09:10:481554 
安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。
2024-03-26 09:57:193707 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化。
2024-03-28 10:01:092465 
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要。
2024-12-04 10:50:432592 
潮，令800V平臺、SiC電驅開始打進20萬內的市場，SiC也進一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內廠商又有多款SiC MOSFET產品通過了車規級認證，這將繼續推動SiC功率器件量產上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發的三款第二代650V SiC MOSFET產
2024-03-13 01:17:004669 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）最近，又有國內GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術。7月26日，宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發生產的藍寶石基GaN功率器件工作電壓達到1200V，已進入
2024-07-31 01:06:005182 電子發燒友網綜合報道 最近海思半導體在官網上架了兩款工規1200V SiC MOSFET單管產品，ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，導通電阻分別為20mΩ和35mΩ。海思
2025-07-27 07:12:002509 
? 電子發燒友網綜合報道 近日，三安光電在投資者平臺上表示，其主驅逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國內頭部電動車企客戶處的摸底模塊驗證已完
2025-08-10 03:18:008199 。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
MOSFET狀態表明了主要商業障礙的解決方案，包括價格，可靠性，堅固性和供應商的多樣化。盡管價格優于Si IGBT，但由于成本抵消了系統級優勢，SiC MOSFET已經取得了成功。隨著材料成本的下降，這項技術
2023-02-27 13:48:12
可以通過在SiC功率器件上運行HTGB（高溫柵極偏壓）和HTRB（高溫反向偏壓）應力測試來評估性能。Littelfuse在溫度為175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上進行了壓力測試，具有
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
在內的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產品結構分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發650V產品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經實現量產，1700V產品正在開發中。SiC-SBD和Si-PN結二極管通過Si二極管來應對
2018-11-29 14:35:50
多年增長。碳化硅器件一方面為中高端客戶提供了更為優質的駕乘體驗，另一方面有效緩解了電動汽車的續航焦慮問題，因此廣受新能源車企的青睞。 從功率半導體供應商的角度來看，成本只是限制SiC大規模上車的一個
2022-12-27 15:05:47
樓豬就是想了解一下，在這個魚目混珠的行業，國內靠譜性價比電子元件、IC狗供應商有哪些呢？
2016-06-16 11:45:15
，新企業搶占市場的背景下，該專案將提升歐盟工業、一級和二級供應商以及產業鏈下游企業的競爭力。專案組將針對目標應用開發新的拓撲結構和架構，在實驗室層面模擬操作環境，推進目前急需的還是空白的技術、元件和展示產品
2019-06-27 04:20:26
阻斷電壓：1200V
連續漏極電流：450A。
電氣特性
漏源電阻（RDS(on)）：3.7mΩ
柵源閾值電壓：1.8V
柵電荷：1330nC。
熱性能
工作溫度范圍：-40°C 至 +175°C
2025-03-17 09:59:21
開來，并應用于電纜以將電線與電纜所穿過的環境隔離開來。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
標準的產品，并與具有高技術標準和高品質要求的供應商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應商脫穎而出。ROHM的服務和技術支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
電動汽車充電領域的研究，想借助發燒友論壇完成項目的設計。項目計劃：1）研究與分析雙向諧振式DCDC變換器的工作原理；2）下載器件模型在ADS上搭建仿真電路，同時設計SiC管的驅動策略；3）采用耐壓1200V
2020-04-24 18:11:27
-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優異的高速性且實現了高耐壓。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場強，故ROHM已經開始量產1200V的產品，同時在推進
2018-11-29 14:33:47
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯式硬開關升壓型DC / DC轉換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關損耗使得開關頻率在硅實現方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
CRD-60DD12N，60 kW交錯式升壓轉換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個15 kW交錯升壓級組成，每個級使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅動板
2019-04-29 09:18:26
設計中”，它說“在本例中添加對供應商命令和事件的支持”，我不明白它的意思。如何在設計中添加供應商命令的支持？？？PNG70.1 K
2019-09-29 12:09:21
你好，實現大容量存儲和供應商級之間的區別是什么？有什么相關的文件嗎？請提供給我。謝謝您。 以上來自于百度翻譯 以下為原文Hi,what is the difference between
2018-10-10 14:57:15
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術的首選供應商
2021-03-11 08:01:56
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
。與此同時，SiC模塊也已開發出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild （NASDAQ： FCS） 發布首個1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161717 大聯大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-23 16:18:004336 
工業級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現已開始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規級部件。
2021-11-05 16:18:341116 
桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強硬創平臺達成協議，授權世強代理旗下碳化硅(SiC)、二級管等產品代理。
2022-02-24 16:14:142054 作為國內首批自主研發并量產應用SiC器件的公司，在SiC功率器件領域，比亞迪半導體于2020年取得重大技術突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用。
2022-06-21 14:40:572382 值得一提的是，這款TO247-4封裝的產品通過AEC-Q101認證，同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進一步突破傳統單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:161790 當前從目前的供應情況來看，車規級SiC MOSFET主要由英飛凌、ST、羅姆三家供應，供不應求現象較為嚴重。另一方面來說，國內也有不少SiC器件廠商推出了車規級SiC MOSFET產品
2023-01-30 16:18:271107 公司在IGBT的技術基礎上不斷發展以SiC和主的寬禁帶功率半導體器件關鍵技術。斯達作為國內車規級SiC模塊的重要供應商，車規級SiC模塊已獲得了國內外多家車企和Tier1的項目定點，有較強
2023-02-17 14:13:38401 2023年2月22日，蓋世汽車在上海舉辦「2023車規級芯片優質供應商」證書授予儀式，綜合考慮產品的技術含量、市場反響與企業的發展潛力，為汽車車規級芯片細分領域的優秀企業頒發「2023車規級芯片優質
2023-02-22 18:25:42863 
2月22日，在蓋世汽車舉辦的第二屆汽車芯片產業大會上，芯馳科技憑借領先的產品實力和量產進度榮獲蓋世汽車“車規級計算類芯片優質供應商”與“車規級控制類芯片優質供應商”兩項大獎。
2023-02-23 09:26:022102 共創“芯”未來 日前，在蓋世汽車在上海舉辦的第二屆汽車芯片產業大會-「2023車規級芯片優質供應商」授予儀式上，從綜合考慮產品的技術含量、市場反響與企業的發展潛力，先積集成獲得「2023車規級芯片
2023-02-26 12:08:112896 日前，蓋世汽車在上海舉辦「2023車規級芯片優質供應商」證書授予儀式，綜合考慮產品的技術含量、市場反響與企業的發展潛力，為汽車車規級芯片細分領域的優秀企業頒發「2023車規級芯片優質供應商」證書，并
2023-02-27 11:19:26735 日前，在蓋世汽車舉辦的第二屆汽車芯片產業大會上，大唐恩智浦憑借領先的產品實力和量產進度榮獲蓋世汽車“車規級模擬類芯片優質供應商”稱號。 此次獎項評選綜合考慮產品的技術含量、市場反響與企業的發展潛力
2023-02-27 14:54:073126 日前，由蓋世汽車主辦的2023第二屆汽車芯片產業大會于上海成功舉辦。大會圍繞車規級芯片標準及安全認證、車規級MCU、自動駕駛芯片、高算力智能座艙SoC、車規級功率半導體、SiC功率器件等行業焦點話題
2023-02-27 18:23:351766 近日，由蓋世汽車主辦的2023第二屆汽車芯片產業大會在上海舉行，速顯微獲評“車規級控制類芯片優質供應商”，并被收錄于2023蓋世汽車優質供應商名錄。 蓋世汽車是汽車產業信息服務平臺，為汽車產業上下游
2023-03-07 10:33:222458 來源：國星光電官微 近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57994 
近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產品從
2023-03-20 19:16:301059 2022年11月，上海瞻芯電子開發的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101)，該產品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:333849 
前幾天，三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄（.點這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:552104 共創“芯”未來2023年2月22日，在蓋世汽車在上海舉辦的第二屆汽車芯片產業大會-「2023車規級芯片優質供應商」授予儀式上，從綜合考慮產品的技術含量、市場反響與企業的發展潛力，先積集成獲得
2023-03-06 11:30:202058 
瞻芯電子正式量產了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產品（IV1Q12160D7Z），該產品通過了嚴格的車規級可靠性測試認證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:487870 
2023年10月，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異，開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:261670 
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后，近日，國星光電開發的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應管）器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:321851 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:101483 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:522610 
近日，芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V
2023-12-06 14:04:491013 
電子發燒友網站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:28:29
0 深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發布暨代理商大會。此次大會上，至信微發布了一系列行業領先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:171702 近日，英飛凌與SiC晶圓供應商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項協議。
2024-01-19 10:00:071106 安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性，在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片，產能充裕，供應穩定，性價比高。
2024-01-20 17:54:002364 
全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:351504 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:191402 出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技術的SMPD塑封半橋模塊產品，并順利通過了車規級可靠性認證（AQG324）。
2024-03-07 09:37:272118 蓉矽半導體近日宣布，其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯
2024-03-12 11:06:301584 蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付。
2024-03-12 17:18:212547 
近日，瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規級可靠性認證。
2024-04-07 11:37:323562 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種
2024-04-17 13:37:49873 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種等級。
2024-04-17 14:02:491619 
納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現了出色的導電性能。這款產品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規與工規不同等級的需求。
2024-05-06 15:20:521273 近日，昕感科技發布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0，導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
納芯微近期發布了其首款1200V SiC MOSFET產品——NPC060N120A系列，該系列產品的RDSon值低至60mΩ，展現了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L，以滿足不同應用場景的需求。
2024-05-13 15:27:391829 Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z）通過了車規級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201944 
在半導體技術的浪潮中，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）以其卓越的研發實力和不懈的創新精神，再次書寫了行業的新篇章。近日，瞻芯電子基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5m
2024-06-24 10:05:431443 來源：凌銳半導體 SiC MOS憑借其性能優勢為越來越多的行業，如儲能，充電樁，光伏逆變器所采用。特別是在采用800V電池系統的新能源車中1200V SiC MOS是主驅逆變器和車載充電的最佳選擇
2024-09-23 15:14:001544 
年底將增至1.4萬片/月，并在2025年具備年產16.8萬片車規級SiC MOS的生產能力。同時，GaN（氮化鎵）產能已達4000片/月。此外，方正微電子還計劃在2024年底啟動Fab2的8英寸SiC
2024-10-16 15:27:214088 隨著電力電力電子技術逐漸向高壓大電流方向發展，傳統的 Si 基器件由于損耗大、開關速度慢、耐壓低等缺點逐漸被 SiC（碳化硅）器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件應用最為廣泛，小電流器件主要
2024-10-17 13:44:091 納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種等級。
2024-10-29 13:54:371063 
電子發燒友網站提供《用于Wolfspeed 1200V SiC平臺的UCC217xx和ISO5x5x半橋EVM用戶指南.pdf》資料免費下載
2024-11-09 14:15:360 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。
2024-11-21 18:10:251354 
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統設計更緊湊、更高效，組裝時能自動化生產。
2024-11-27 14:58:201444 
為了滿足高效、大功率變換系統應用需要，瞻芯電子開發了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產品，其中TO247-2封裝器件產品IV2D12060T2Z滿足車規級可靠性標準
2024-12-02 09:07:342155 
Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 2025年4月16日，在上海舉行的三電關鍵技術高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發布了第二代車規主驅SiC MOS 1200V 13mΩ產品，性能達到國際頭部領先水平。
2025-04-17 17:06:401385 ，聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業注入強勁新動能。
2025-05-14 17:55:021063 從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產業已實現顯著進步，具體體現在以下核心維度。
2025-06-19 17:02:15707 
近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產品，憑借優秀的性能與品質贏得多家重要客戶訂單，已量產交付近200萬顆，為應用系統提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048 
近期，華為旗下海思技術有限公司正式進軍碳化硅功率器件領域，推出了兩款1200V工規SiC單管產品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業高溫、高壓場景場景。圖片
2025-07-29 06:21:51679 
方正微HPD SiC MOS模塊FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）是一款專為新能源車主驅逆變器設計的高性能SiC MOS功率模塊，旨在提供高效、可靠的主驅電控解決方案。
2025-07-31 17:22:171297 
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域，柵極驅動器是驅動功率半導體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658
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