方正微HPD SiC MOS模塊FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）是一款專為新能源車主驅逆變器設計的高性能SiCMOS功率模塊，旨在提供高效、可靠的主驅電控解決方案。

該模塊SiCMOS芯片采用自研平面工藝，性能、可靠性處于行業領先水平，封裝采用芯片銀燒結、DTS等先進工藝，確保產品在高壓、高功率及各種惡劣工況、環境下都能穩定可靠運行。

模塊簡介：

FA120P002AA模塊內部拓撲為三相全橋，同時集成了熱敏電阻（NTC）以監測溫度；該模塊控制端子具有開爾文引腳，能在SiC MOSFET高速開關時抑制電壓尖峰，保證高頻開關應用的安全與可靠。

方正微HPD模塊FA120P002AA圖片和內部全橋拓撲圖

主要參數：

模塊特點：

采用方正微電子自研自產車規級SiC MOS芯片；

模塊滿足AQG-324可靠性標準；

同時芯片加嚴質量要求，關鍵可靠性項目可輕松通過3000h認證，3倍于行業通用車規認證要求；

采用高性能Si3N4陶瓷絕緣，高熱導率，并通過直接液冷PinFin基板實現了高效散熱，Rthjf=0.112°C/W；

模塊內芯片布局合理緊湊，降低了功率回路路徑，有效減小了寄生電感~8nH，可降低電壓尖峰、電壓震蕩、開關損耗、EMI噪聲等；

滿足絕緣耐受電壓測試：DC，4.3kV，t=1s；

芯片擊穿電壓BV（Ids=1mA）>1450V，可輕松滿足高電壓平臺應用；

芯片采用銀燒結和DTS工藝，提升了模塊的可靠性和壽命。

應用測試：

針對新能源汽車主驅應用場景，FA120P002AA模塊進行了電機臺架的多工況測試，以模擬模塊在電控系統中的性能表現，包括波形、芯片溫度、堵轉、循環工況、老化等。也采用了較嚴苛的條件運行，850V母線電壓，開關頻率12kHz，冷卻液流量8L/min、50%水+50%乙二醇、冷卻液溫度70℃，芯片結溫最高≈175℃。

方正微FA120P002AA模塊電機臺架運行芯片結溫圖

方正微FA120P002AA電機臺架波形圖

綜上，FMIC推出的HPD 1200V 2.1mΩ SICMOS模塊具有出色的性能，可為新能源純電汽車、混合電動汽車等主驅逆變器提供最優解。