美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 的電流隔離是一個常見的要求，功率電平通常低于 100 W。由于直流鏈路電壓的變化，它還應該能夠在寬輸入電壓范圍內工作，通常從 300 V 到 1000 V。單開關反激式拓撲結構簡單，元件數量最少，成本低，是此類低功率 DC-DC 電源轉換的廣泛使用的拓撲結構之一。
2022-08-03 09:11:512292 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）GaN器件已經在消費電子領域站穩腳跟，而在消費電子之外，電源產品還有很多較大的應用市場，包括光伏逆變器、服務器電源、汽車領域等。而新能源汽車作為目前規模增長最快的市場之一，SiC已經成功導入電動汽車產品，并實現大批量落地。
2024-02-04 00:01:007243 
（PSJ: Polarization Super Junction）技術，并對工藝進行進一步優化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。
2025-01-14 09:42:281902 
的關注。這是由于在開關過程中，得益于SiC MOS的高電子飽和漂移速度，載流子能迅速在導通與截止狀態間切換，從而顯著減少開關時間。與此同時，SiC MOS這一單極型器件在續流過程中沒有p型襯底的電荷存儲，使得反向恢復損耗低于Si IGBT這一雙極性器件，SiC MOS的反向恢復電荷僅為同規
2025-12-02 09:36:222300 
在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開關損耗與導通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優勢。基于這些優勢，當SiC-MOSFET用于AC/DC轉換器和DC
2019-04-24 12:46:442725 基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關效率、減少溫升和縮小系統尺寸。
2020-03-19 07:40:001214 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031990 
PI看到了電動車的這個發展趨勢，因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產品，該產品采用碳化硅（SiC）初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC，將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:226765 潮，令800V平臺、SiC電驅開始打進20萬內的市場，SiC也進一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內廠商又有多款SiC MOSFET產品通過了車規級認證，這將繼續推動SiC功率器件量產上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發的三款第二代650V SiC MOSFET產
2024-03-13 01:17:004670 
?-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術制造而成，是業界首款1700V氮化鎵開關IC。1700V額定耐壓進一步提升了氮化鎵功率器件的先進水平
2024-11-05 10:56:55863 
鎵開關IC，這是業內首款高達1700V的氮化鎵開關IC。新品一出，PI再次成為在氮化鎵領域首家突破額定耐壓水平的電源管理芯片企業。 PI的功率變換開關持續迭代 早在2022年，PI就推出了1700V 碳化硅初級開關的汽車級高壓開關電源IC，彼時，該產品以高輸入電壓，高輸出
2024-11-18 08:57:006137 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）比亞迪在最近的超級e平臺技術發布會上，推出了一系列的“王炸”技術，包括全域1000V高壓架構、10C兆瓦閃充平臺、3萬轉580kW電機等。這些技術在1000V電壓
2025-03-31 01:23:412260 功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布推出五款面向800V汽車應用的全新參考設計，這些參考設計基于該公司的1700V InnoSwitch
2025-05-08 14:30:334725 
電子發燒友網綜合報道 最近，湖南三安半導體舉行了碳化硅芯片上車儀式，標志著國產車規級碳化硅主驅芯片實現從技術攻關到規模化裝車的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片
2025-12-09 09:25:464889 CRD-060DD12P，用于單端反激式轉換器設計的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代傳統的雙開關反激式轉換器，用于三相應用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產品而設計的，僅用作評估Cree開關設備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
另一方面，按照現在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
的導通電阻。不僅能夠以小封裝實現低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產品，但是SiC卻能夠以很低的導通電阻輕松實現1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
，1200V產品可支持50A的裸芯片。而且在進行1700V高耐壓產品的開發。下表為機型名中符號的意義及當前供應中的產品陣容一覽。此外，機型名的最后帶有HR的表示為支持車載產品，符合AEC-Q101標準
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經實現量產，1700V產品正在開發中。SiC-SBD和Si-PN結二極管通過Si二極管來應對
2018-11-29 14:35:50
的導通電阻。不僅能夠以小封裝實現低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產品，但是SiC卻能夠以很低的導通電阻輕松實現1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
半導體有限公司的第一大股東，是行業龍頭天科合達。11月中旬，天科合達舉辦了“8英寸導電型SiC襯底”新產品發布會，預計項目明年量產。這一量產時間，緊跟全球步伐。SiC大規模上車，三原因成加速上車“推手
2022-12-27 15:05:47
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:22 編輯
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術：
1 車載電源OBC與最新發展
2 雙向OBC關鍵技術
3 11kW全
2022-06-20 16:31:07
MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC
2023-03-27 12:29:45
電壓（600V、1200V、1700V）均對應于常用電網的電壓等級。考慮到過載，電網波動，開關過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結構、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
1700V耐壓的產品。Si-PND通過在n-層積蓄少數載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時實現遠遠超過Si-SBD的高耐壓與低電阻，但關斷速度較慢。盡管FRD是Si-PND中提高了速度的產品，但其trr
2018-11-29 14:33:47
業內先進的 AC/DC轉換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅動而優化的控制電路內置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。關于這一點，根據這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
本文介紹了一個新的1700V 25A至300A快速恢復二極管（FRD）系列。實驗結果與數值模擬結果一致，表明采用SIPOS、SIN和聚酰亞胺鈍化法的橫向摻雜變化（VLD）可以實現穩定的1700V
2023-02-27 09:32:57
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
MOS的結構碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場強，故ROHM已經開始量產1200V的產品，同時在推進1700V耐壓的產品。Si-PND通過在n-層積蓄少數載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時實現
2019-07-10 04:20:13
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉換器 評估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用于大功率工業設備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
驅動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設計:通過對幾種常用的1700V IGBT 驅動專用集成電路進行詳細的分析，對M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進行深入的討論，給出了電氣特性參數和內部
2009-06-19 20:29:52
40 1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業級第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續在碳化硅 (SiC) 領域
2023-07-28 14:21:34
通過對幾種常用的1700V IGBT驅動專用集成電路進行詳細的分析，對M579系列和CONCEPT公司的2SD系列進行深入的討論，給出了電氣特性參數和內部功能框圖，設計了典型應用電路，討
2010-08-11 16:12:5876 英雄的低調作風，默默付出，從不張揚。它能夠承受高達 1700V 的電壓，就像英雄擁有超人的力量，無懼挑戰，勇往直前。它擁有軟恢復平行二極管，就像英雄注重團隊協作，
2024-11-11 15:51:16
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:482638 G2S17010A 1700V 10A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數，易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:191 今年即將發布的iphone8多次被曝光會采用AR技術，并且豎排分布的攝像頭就是為了這一技術而準備，不過，這一次可能要被截胡了，國產手機率先用上。
2017-05-22 09:41:401683 國產芯片替代這一國家發展戰略正在顯示出成效。隨著國內資金大規模投入、技術引進后自主研發形成突破，國產芯片有望在未來幾年內迅速崛起，這給相關領域的上市公司帶來發展前景。
2017-12-20 10:46:545496 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:002379 海市政府新聞辦發放了全國首批智能網聯汽車開放道路測試牌照，蔚來、上汽率先上路。下一步，將分級逐步開放更多的道路環境用于智能網聯汽車測試。
2018-03-03 07:22:401378 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產品更加豐富。
2018-09-26 11:32:174502 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品
2018-10-23 11:34:376278 支持電動和混合動力汽車、數據中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:415483 ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:523238 最近手機廠商紛紛涌入電視市場，前有榮耀、華為，后續紅米、一加也被曝出將會推出電視產品，且消息也已經坐實。據悉，此款電視將在海外市場率先上市，并搭載更高端的顯示技術，國內很多網友對這款產品的評價是：“國外鍍金之后再回國做高端”。
2019-08-29 10:00:001811 對BSM250D17P2E004和同等IGBT模塊實施了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗，試驗條件為在85℃/85%的高溫高濕環境下，施加1360V。試驗結果是IGBT模塊比較早期出現絕緣劣化或絕緣擊穿導致的漏電流增加現象，在1,000小時內發生了故障。
2019-08-22 09:05:594643 參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設計輔助電源而開發的。該參考板旨在支持客戶為三相系統設計輔助電源，工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:033834 
在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優勢更為凸顯。 下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數的主流產品相對比。 國產1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:375747 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。
2021-12-08 15:55:512174 
?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 （SiC）初級開關 MOSFET。這些新設備可產生高達 70 瓦的輸出功率，用于 600 和 800 伏電池和燃料電池電動乘用車，以及電動巴士、卡車和一系列工業電源應用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:272204 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統需要輔助電源部分用來驅動功率器件，為控制系統及散熱系統等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:584654 BM2SC12xFP2-LBZ是業內先進*的AC/DC轉換器IC，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅動而優化的控制電路內置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要
2022-08-14 10:00:242094 
Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產品。62W輔助電源參考設計
2022-08-28 11:17:069 使用SIC MOS的開發人員是越來越多，但驅動電壓到底選15V還是18V，每個人都有自己的理解，今晚聽許老師講SIC MOS驅動技術，有些感悟分享給大家。
2022-11-07 10:57:584406 安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:191213 重點必看內置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－規格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉換器的設計更容易支持自動安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:191305 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業用空調及街燈等工業設備開發的內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC。
2023-02-09 10:19:231760 
ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:241336 
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:051223 
1700V以下大功率IGBT智能驅動模塊使用手冊 （采用100%國產化元器件設計） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅動模塊是特別為100%國產化需求企業推出的一款可靠、安全的高性能驅動模塊
2023-02-16 15:01:5514 自己的模板 研究 報告《 2023國產sic上車關鍵年》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? SiC? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請添加微
2023-03-11 13:15:02796 ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureRange：-40～150°CStatus
2022-03-04 10:51:051603 
新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊1700V電機驅動功率半導體解決方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊
2023-01-29 17:41:443272 
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:311230 
電源中，由于母線電壓和功率不同，一般會選用單管反激或雙管反激拓撲，無論那種拓撲都離不開核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:052882 
2023年10月，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異，開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:261670 
2023年國產SiC上車
2023-10-31 23:02:000 11月27日，瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:183074 
基于SiC功率器件的整機應用系統解決方案，各項性能指標達到國際水平，提供各類規格參數的SiC MOS定制化服務。
2024-01-04 17:30:531278 
近日，廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導體創新中心中試平臺，成功在6英寸藍寶石襯底上實現了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:242253 
該文獻進一步透露，實現這一器件所采用的氮化鎵外延材料結構包括：1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質結結構。
2024-01-25 11:30:101046 
本文提及的相關產品，均會在直播中出現掃描上方二維碼即可報名摘要：EconoDUAL3是一款經典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器（SVG
2024-03-26 08:13:042257 合。隨著芯片技術的發展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經基于最新的1700V IGBT7技術開發了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產品。本文首先分析
2024-05-31 15:22:381195 
近日，半導體器件領域企業SemiQ宣布，其QSiC?產品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創新舉措旨在滿足包括開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS
2024-06-14 11:36:491351 
的功率密度和更長的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產品組合新增了1700V電壓等級的900A模塊。產品型號：FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431056 近年來，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當前使用IGBT的電力轉換器設計師的真正替代方案。到目前為止，大多數SiCMOSFET的設計成功主要發生在低功率到20kW范圍內
2024-08-19 11:31:252088 
。本文通過對比Si，4H-SiC和GaN的材料特性，系統的闡述SiC MOS卓越性能的材料本源。 參見圖一對于平面MOS來說其導通電阻主要由三部分組成，即溝道電阻（Rch）, 器件外延層電阻 （Repi）和襯底電阻Rsub。其中器件外延層電阻和器件耐壓有著強相關的關系。表一列出30V，100V和
2024-09-23 15:14:001546 
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出InnoMux-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術制造而成，是業界首款1700V氮化鎵開關IC。
2024-11-05 13:40:571067 SiC內卷和洗牌加速，目前國產SiC器件性能與國際大廠相比是否還有差距？車載SiC國產化何時才能實現？SiC產業未來的方向又在哪里？ 2024年10月22日，由EEVIA主辦的第12屆中國硬科技產業
2024-11-14 14:23:131303 
PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開關IC，這一技術突破有哪些亮點?它將如何影響高壓氮化鎵市場? 近日，Power Integrations(以下簡稱PI)宣布推出InnoMux?-2系列單
2024-11-15 11:09:551395 
未來已來！南京在全國率先上崗“智慧路燈機器人”
2025-02-08 15:32:25715 
1700V GaN器件在高性能方面的卓越表現，還為其在高端應用市場的進一步拓展奠定了堅實基礎。通過泰克科技先進的測試設備和專業團隊的支持，雙方對器件的電氣性能、可靠性以及熱管理等方面進行了全面評估，確保了器件在實際應用中的穩定性和可靠
2025-01-20 11:07:33962 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉換應用設計。
2025-01-22 11:03:221225 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:581002 針對12V輸入電路的產品電路設計，需要有更高的電壓安全系數。這一款2025年新推出到市場的國產MOS管以BVDSS_typ=55V的參數性能幫助解決上述問題。
2025-03-01 11:30:382794 
由于在可靠性、成本和系統級價值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業電力轉換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴展至2000V，新的可能性隨之而來。以前需要
2025-03-14 11:01:15793 
隨著新能源、工業電源及電動汽車等領域的快速發展，輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩定性的需求日益迫切。傳統的硅基器件已逐漸難以滿足嚴苛的性能要求，而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優異的開關速度
2025-06-09 17:21:23507 
兩款國產1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設計中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061031 
傾佳電力電子設備高壓輔助電源拓撲、器件選型與1700V SiC MOSFET技術分析報告 I. 緒論：高壓電力電子系統對輔助電源的嚴苛要求 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體
2025-10-14 15:06:06457 
傾佳電子面向電力電子功率變換系統的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設計 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源
2025-11-03 11:26:47447 
傾佳電子研究報告：B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應用與替代分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源
2025-11-21 21:29:06867 
電子發燒友原創 章鷹 ? 2024年，國產SiC模塊上車加速。據電子發燒友不完全統計，2023年公開的國產SiC車型合計142款，乘用車76款，僅僅在2023年新增加的SiC車型合計45款。業內專家
2024-11-01 00:16:008061 
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