美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 合并PIN肖特基結構可帶來更高的穩健性和效率 ? 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管
2023-04-20 09:39:30
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Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環境下,仍具有更優越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動。 碳化硅二極管廣泛應用于開關電源、功率因素校正(PFC)電路、不間斷電源(UPS)、光伏
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
。碳化硅二極管廣泛用于能效至關重要的各種PFC拓撲結構。而且更易于處理電磁干擾(EMI),因其極快的反向恢復速度。安森美半導體擁有完整的650 V和1200 V SiC二極管產品陣容,涵蓋單相和多相
2018-10-30 08:57:22
范圍的高性能硅方案,也處于實現寬禁帶的前沿,具備全面的寬禁帶陣容,產品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態系統,為設計人員提供針對不同應用需求的更多的選擇。
2019-07-31 08:33:30
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低,具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
更進一步。其中UF系列的最新產品在1200V和650V器件上的導通電阻達到了同類產品最低,分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應以及固有的抗過電壓和短路的能力,與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
泛的寬禁帶半導體材料之一,憑借碳化硅(SiC)陶瓷材料自身優異的半導體性能,在各個現代工業領域發揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
碳化硅肖特基二極管主要特點及產品系列 基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術參數如下: 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A,封裝涵蓋TO-220,TO-252,TO-263,TO-247及其家族群封裝,產品列表見下:原作者:基本半導體
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導體自主研發推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產品,具有極高的工作效率,性能優越達到國際先進水平,可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
,為2.2MV/cm,而硅是0.25MV/cm。可以進一步地提高碳化硅半導體的摻雜濃度,從而降低它的寬度,而這個寬度是與阻斷電壓呈正比。這就意味著,相對于硅基的二極管,碳化硅二極管的阻抗會明顯降低
2019-01-02 13:57:40
有限公司(以下簡稱“薩科微”)為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕,致力補齊國內功率半導體產業鏈中重要的一環。薩科微半導體產品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
,華潤微電子在寬禁帶半導體領域匠心深耕,利用全產業鏈優勢,從產品設計、制造工藝、封裝技術和系統應用等方面大力推進SiC器件產品產業化。華潤微SiC SBD系列產品具有可媲美國際先進水平的卓越產品性能,均已
2023-10-07 10:12:26
范圍的高性能硅方案,也處于實現寬禁帶的前沿,具備全面的寬禁帶陣容,產品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態系統,為設計人員提供針對不同應用需求的更多的選擇。
2020-10-30 08:37:36
有限公司(以下簡稱“薩科微”)為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕,致力補齊國內功率半導體產業鏈中重要的一環。薩科微半導體產品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:13:35
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復時間短,特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料,幾乎不
2023-02-15 14:24:47
應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
大功率適配器為了減小對電網的干擾,都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導體材料幾乎都是同時出現,強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
和 500A,帶或不帶碳化硅肖特基續流 1200V 二極管。 另一個例子是MiniSKiiP,這是一種無底板電源模塊,使用賽米控的SPRiNG系統將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設計固定
2023-02-20 16:29:54
混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)。基本半導體的碳化硅肖特基二極管采用的主要是碳化硅 JBS工藝技術,與硅 FRD對比的主要優點有: 圖9 二極管反向恢復
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用,導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術器件應運而生,如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
,減少了不必要熱阻的增加。 05 總結 基本半導體推出的內絕緣型TO-220封裝碳化硅肖特基二極管產品,從優化安裝工藝、提升產品質量、減少熱阻等方面很好地解決了絕緣和導熱痛點。原作者:基本半導體
2023-02-28 17:06:57
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力,基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
金屬和半導體觸點形成肖特基勢壘以實現整流。與普通PN結二極管相比,它的反向恢復慣量非常低。因此,肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關。碳化硅(SiC)是一種高性能半導體材料,因此SiC肖特基二極管具有
2023-02-07 15:59:32
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
碳化硅(SiC)功率器件的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現有碳化硅肖特基二極管技術條件下,該系列二極管可提供業界最高的阻斷電壓。
2012-02-07 15:40:40
1701 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 發布首個1200V碳化硅(SiC)二極管 —— FFSH40120ADN,納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:16
1717 推動高能效創新的安森美半導體推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產品,擴展了SiC二極管產品組合。
2018-03-01 13:14:17
9301 2018年6月5日 —推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),發布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴展系列,包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。
2018-06-21 16:08:42
4497 的表現越來越捉襟見肘,表1列出了這些領域中當前和未來對半導體器件工作溫度的要求。這些都促使人們將目光轉向了性能更佳的寬禁帶半導體材料,碳化硅(SIC)就是人們較為熟悉的一種第三代半導體材料,碳化硅是間接帶
2018-11-20 15:28:07
1866 推動高能效創新的安森美半導體發布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴展系列,包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。
2018-12-04 16:32:18
3780 碳化硅材料半導體,雖然隨著技術的發展,目前碳化硅成本下降很多,但是據市場價格表現同類型的硅材料與碳化硅材料的半導體器件價格相差十倍有余。碳化硅單晶體可以制作晶體管(二極管和三極管)。因為碳化硅的禁
2020-07-10 11:20:06
2598 碳化硅肖特基二極管(SiCSBD)是一種單極型器件,采用結勢壘肖特基二極管結構(JBS),因此相比于傳統的硅快恢復二極管(SiFRD),碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性。可以有效降低反向漏電
2020-11-17 15:55:05
6966 碳化硅肖特基二極管的優點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.,其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k
2021-01-13 09:42:41
2238 領域商用的大門。 圖1:SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 針對PD快充“小輕薄”的特點,碳化硅功率器件領先企業基本半導體在國內率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管,該產品具有體積小、正向導通壓低和抗浪涌能力強等特點,能很好地滿足PD快充對器件
2021-04-19 11:37:02
3697 
當下,隨著USB-PD快充技術的普及和氮化鎵技術的成熟,大功率快充電源市場逐漸興起,碳化硅二極管也開始在消費類電源市場中嶄露頭角,被部分100W大功率氮化鎵快充產品選用。 碳化硅(SiC)是第三代寬
2021-08-20 09:23:53
5371 
,基本半導體總經理和巍巍博士發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導體產品布局進一步完善,產品競爭力再度提升,將助力國內第三代半導體產業進一步發展。基本半導體的碳化硅
2021-11-29 14:54:08
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關鍵半導體領域的專家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二極管,進軍大功率碳化硅 (SiC) 二極管市場。這是 Nexperia 的一項戰略舉措,Nexperia 已經是值得信賴的高效功率氮化鎵 (GaN) FET 供應商,旨在擴展其高壓寬帶隙半導體器件產品。
2022-03-28 14:30:09
3138 在高端應用領域,碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛,被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:16
1771 二次側整流二極管通常使用FRD(快速恢復二極管)和SBD(肖特基勢壘二極管)等,本文提到的基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC基本沒有開關損耗,而且VF具有正向溫度系數,有利于提高車載充電機實際的效率。
2022-07-26 14:43:34
1889 碳化硅(SiC)是一種高性能的半導體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-02-03 13:45:31
863 碳化硅二極管的優勢
1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性
寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高達3.0eV和3.25eV,相應本征溫度高達
2023-02-03 14:00:34
1025 以碳化硅(silicon carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導體器件,受到了廣泛的關注。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為合適。
2023-02-04 14:25:25
4323 碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,與傳統的硅基器件相比,具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(4.9W/cm·K)使得功率半導體器件效率更高,運行速度更快,并且在設備的成本、體積、重量等方面都得到了降低。
2023-02-07 17:57:32
2347 碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm,其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm·k。它與硅半導體材料一樣,可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。
2023-02-09 09:44:59
1112 碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管,號稱反向恢復時間為零,是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導體材料的發展開始受到重視,并在智能
2023-02-10 17:45:17
3674 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導體器件,它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是,當電壓通過碳化硅二極管時,電子會從N極流向P極,從而產生電流。碳化硅二極管可以用于汽車電子控制系統,以及其他電子設備中,用于控制電流和電壓。
2023-02-15 15:13:42
1713 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導體器件,它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:40
1513 書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:用于紫外發光二極管的碳化硅上的氮化鋁鎵編號:JFKJ-21-1173作者:華林科納 一直在使用碳化硅(碳化硅)襯底生長氮化鋁(AlGaN)結構,針對278nm深紫
2023-02-21 09:21:58
1 圓(前端工藝)。碳化硅晶圓再經過劃片封裝測試(后段工藝)就變成了我們現在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:11
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驅動、不間斷電源和電動車電路的效率和穩定性。拿慧制敏造半導體的碳化硅二極管來分析,碳化硅二極管在600V到1200V的電壓范圍內采用單二極管和雙二極管(封裝尺寸從DPAK到TO-247),包括陶瓷絕緣型TO-220,
2023-02-21 10:06:42
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SiC碳化硅二極管起步電壓為650V,電流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控。碳化硅二極管料號為:KN3D06065F(650V碳化硅二極管,電流6A,貼片
2023-02-21 10:12:24
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什么是第三代半導體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:47
3720 我們拿慧制敏造碳化硅半導體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝,常見的有有TO-263和TO-252封裝,隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:16
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基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V
2023-04-20 15:55:36
2348 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32
1819 碳化硅肖特基二極管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一種高性能半導體器件,具有低開啟電壓、高速開關、高溫性能等優點,廣泛應用于電源、驅動、逆變器、電動汽車等領域。
2023-06-04 16:09:00
4308 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應,即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導體中的載流子向金屬一側偏移,形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34
2338 碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm,其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm·k。它與硅半導體材料一樣,可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。
2021-06-18 15:35:23
2543 
碳化硅肖特基二極管是用碳化硅為原料的二極管。該材料是屬于第三代寬禁帶半導體材料,材料本身的性能就優于硅材料。該類二極管由于反向恢復時間短,可提高系統效率,因此市面上的應用非常廣泛。本文重點提到
2022-08-16 10:14:23
2555 
今天鑫環電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應用領域及優勢。??一、太陽能逆變器。??碳化硅二極管是太陽能發電用二極管的基本原材料,碳化硅二極管在各項技術指標上都優于普通雙極二極管技術。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:05
2133 
第95期什么是寬禁帶半導體?半導體迄今為止共經歷了三個發展階段:第一代半導體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:46
6543 
等特性,從而降低了能耗并縮小了系統尺寸。特別是在光伏、儲能、充電和電動汽車等高壓大功率應用中,碳化硅材料的優勢得以充分發揮。 納芯微全新推出1200V系列SiC二極管產品,該系列產品專為光伏、儲能、充電等工業場景而設計。 其
2023-07-10 15:45:02
1412 
大功率電源PFC電路推薦,瑞森半導體碳化硅二極管,可提升大功率電源的功率密度和效率,減少體積和降低成本,同時實現更高的環保效率。
2023-08-18 11:05:26
864 
大功率電源PFC電路推薦,瑞森半導體碳化硅二極管,可提升大功率電源的功率密度和效率,減少體積和降低成本,同時實現更高的環保效率。
2023-08-18 11:21:40
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和管理者。今年,Nexperia(安世半導體)的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產品現已雙雙入圍年度功率半導體! 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:31
2071 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V
2023-09-22 09:25:32
840 碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域,處于寬禁帶半導體產業鏈的前端,是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:06
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碳化硅材料的半導體,雖然隨著技術的發展,目前碳化硅的成本已經下降了不少,但按市場性價比來看,同類型的硅材料與碳化硅半導體器件的價格相差十倍以上。碳化硅單晶可用于制造晶體管(二極管和晶體管)。由于
2023-10-09 17:00:45
1060 的特點。SiC是一種寬禁帶半導體材料,具有優異的熱導性、較高的電擊穿電場強度和較高的電子飽和漂移速度。相比于傳統的硅(Si)材料,SiC具有更好的高溫特性、更低的導通損耗和更高的開關頻率。因此,使用SiC材料制造的三極管和二極管在高溫、高電壓和高頻率
2023-12-21 11:31:24
1734 碳化硅二極管的優點和局限性分析 碳化硅(SiC)二極管是一種新型半導體材料,在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應用。與傳統的硅(Si)材料相比,碳化硅二極管具有許多優點和局限性。下面是對碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:27
4769 在當今快速發展的電力電子領域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29
1624 碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49
4326 碳化硅(SiC)肖特基二極管是一種帶隙大于傳統硅基肖特基二極管的半導體器件。
2024-04-11 10:27:14
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近日,半導體器件領域企業SemiQ宣布,其QSiC?產品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創新舉措旨在滿足包括開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS
2024-06-14 11:36:49
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SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢壘二極管,也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管(SiC SBD),是碳化硅(SiC)功率器件的一種,屬于第三代半導體材料的應用范疇。SiC作為一種寬禁帶半導體材料,相比
2024-09-10 14:55:02
3943 碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs和功率模塊等
2024-11-25 16:28:54
2898 ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管 在科技政策與法規的推動下,半導體行業正經歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設備需求的不斷增長,BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:05
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結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經成為國產碳化硅功率器件行業出清的首批對象,比如2024已經有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產清算,僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31
753 PI的超快速Qspeed H系列二極管現可達到650V以及高達30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業界最低的硅二極管反向恢復電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品,可提供與其相當的效率和電壓降額性能,同時具有硅二極管的價格優勢和供應保證。
2025-03-27 13:46:55
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隨著現代電子技術的不斷發展,尤其是在電力電子領域,寬禁帶半導體材料的應用逐漸受到重視。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導體材料,因其優異的物理性能和電氣特性,越來越多地被應用于高效能、高頻率
2025-04-17 16:20:38
998 在功率電子領域,碳化硅(SiC)技術正逐步取代傳統硅基器件。作為寬禁帶半導體的代表,SiC二極管憑借其物理特性在多方面實現了性能突破。寬禁帶半導體材料碳禁帶寬度(SiC:3.2eVvsSi
2025-07-21 09:57:57
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在電力電子領域,碳化硅(SiC)肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155,深入探討它的特性、參數和應用。
2025-12-01 15:55:06
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在電力電子領域,不斷追求更高的效率、更快的開關速度和更小的系統尺寸,碳化硅(SiC)肖特基二極管正逐漸成為新一代功率半導體的首選。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NDSH20120CDN 碳化硅肖特基二極管,了解其特點、性能參數以及應用場景。
2025-12-01 16:01:54
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