Qorvo發布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊
全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
這些新推出的SiC模塊專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用等設計，旨在提供卓越的性能和效率。其中，以9.4mΩ導通電阻的UHB100SC12E1BC3N模塊為例，其采用了Qorvo獨特的共源共柵配置，這一創新設計不僅大幅降低了導通電阻和開關損耗，還顯著提升了整體效率。特別是在軟開關應用中，這一優勢更為明顯。
Qorvo一直以其領先的技術和高質量的產品在行業內享有盛譽。這次推出的四款SiC模塊進一步鞏固了其在高效電源解決方案領域的領導地位。隨著電動汽車和可再生能源市場的快速發展，這些新型SiC模塊有望在未來幾年內成為市場上的熱門選擇。
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