10月16日，方正微電子宣布，作為第三代半導體領域的IDM（集成設備制造）企業，公司現擁有兩個生產基地（fab）。其中，Fab1已實現每月9000片6英寸SiC（碳化硅）晶圓的產能，預計到2024年底將增至1.4萬片/月，并在2025年具備年產16.8萬片車規級SiC MOS的生產能力。同時，GaN（氮化鎵）產能已達4000片/月。此外，方正微電子還計劃在2024年底啟動Fab2的8英寸SiC生產線，長遠規劃產能為每月6萬片。值得注意的是，方正微電子目前所建成的車規級SiC MOS生產能力在中國位居首位。

方正微電子的產品線已全面覆蓋新能源汽車的各種應用場景，包括主驅逆變控制器、OBC（車載充電機）、DC/DC轉換器、空調壓縮機以及充電樁等。特別是其車規級1200V SiC MOS產品，已在新能源汽車主驅控制器上實現大規模應用。

方正微電子表示，其車規級1200V SiC MOS全系產品的性能已達到國際主流水平。以1200V/16mΩ和1200V/20mΩ的主驅控制器應用芯片為例，這些芯片在Vgs（柵源電壓）、Rds（漏源電阻）、Igs（柵極啟動電流）、Idss（漏源飽和電流）、Rth（熱阻）和Qg（柵極電荷）等核心性能指標上，均可與國際高端新能源車所應用的SiC MOS產品相媲美，部分指標甚至更為領先，完全滿足新能源汽車的應用需求。

另外，方正微電子的1200V工規級SiC MOS/SiC SBD（肖特基勢壘二極管）系列產品自2023年一季度起已開始大規模量產，廣泛應用于光伏、儲能、充電、UPS（不間斷電源）以及工業電源等領域，至今已出貨超過4萬片SiC晶圓。