近日全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:54
2185 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產品。
2012-05-18 09:25:341103 
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 技術平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術平臺采用
2012-11-17 10:40:171973 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對工業電機驅動及不間斷電源 （UPS） 應用進行了優化。
2013-06-14 15:22:001842 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）最近，又有國內GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術。7月26日，宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發生產的藍寶石基GaN功率器件工作電壓達到1200V，已進入
2024-07-31 01:06:005182 ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
二極管本器件采用了最新的半導體技術［1、2］：IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結合改進型發射極控制二極管，針對高中低功率應用提供了三款產品，可面向不同應用滿足
2018-12-07 10:23:42
電壓（600V、1200V、1700V）均對應于常用電網的電壓等級。考慮到過載，電網波動，開關過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結構、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
附件是丹佛斯FC 51系列變頻器與labview Modbus RTU通訊的實例！串口COM我放在data文件內的INI文件中，具體COM數值請按實際更改！主頁面中地址，比如參數1-20，你只需要輸入120就可以了，內部已經計算好modbus地址！不是很全，請諒解！
2018-01-21 22:14:52
丹佛斯變頻器選型-Danfoss變頻器大全丹佛斯變頻器選型-Danfoss變頻器大全丹佛斯變頻器VLT FC51系列丹佛斯變頻器VLT FC51系列 可靠的小型通用型變頻器1x200 240 V
2021-09-03 06:44:36
丹佛斯變頻器變頻器在運行中常見的故障有：多種故障錯亂出現（報警5、6、7、8）接地故障（報警14）、電機uvw相丟失（報警31。32。33）、通訊故障等。1、開關電源損壞這是眾多變頻器常發生的故障
2021-09-03 08:40:19
羅姆920MHz頻段、特定小功率無線通信模塊分析，不看肯定后悔
2021-05-25 06:22:16
之間電壓被多次轉換，每次轉換都會發生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零，就可以大幅消減CO2排放量。雖然不能完全達到零，但為了接近零，羅姆日以繼夜在進行反復的研究和開發。羅姆認為通過這些研發結果降低損耗、減少CO2排放，可以提高羅姆的企業存在價值。
2019-06-21 07:20:58
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過渡到目前國際最新的溝槽柵場截止(Trench+FS)技術(圖3 c)。針對焊機產品的1200V系列正是采用了這一最新技術。相對于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
什么是羅姆傳感器？羅姆傳感器分為哪幾種？
2021-05-10 06:30:05
前言丹佛斯變頻器應用于電機中時，主要的功能是有效的控制電機轉速，通常，控制的方式包含開關指令信號輸入、模擬數值信號輸入、串行數據的通信方式以及通過現場總線方式四種。為了保證丹佛斯變頻器的正常運行
2021-09-03 08:20:06
`常州回收歐姆龍溫控器，常州回收丹佛斯二手模塊微信同步；***大量高價回收各收購SMC氣動元件汽缸日本原裝 SMC氣缸 氣動元件，氣動手指，德國FESTO（費斯托），電磁閥，磁性開關日本SMC
2020-07-08 22:42:10
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評估驅動板的開發是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進行首次設計時為其提供支持。評估驅動板是一個功能齊全的IGBT模塊驅動器，其中兩個1ED020I12-F驅動器IC過程控制和反饋信號并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
上海回收IGBT模塊FF200R12KT3_E 200A,1200V,共發射極,用于矩陣開關,雙向變換器等 62mm ?回收IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759江蘇
2021-09-17 19:23:57
``鎮江回收丹佛斯模塊，鎮江回收歐姆龍溫控器回收伺服驅動器 太倉回收發那科 三菱 伺服驅動器回收伺服電機 回收AB PLC,回收AB ，回收羅克韋爾模塊PLC回收AB PLC,回收AB ，回收羅克韋
2020-07-08 22:38:46
IR針對汽車應用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應用包括自動驅動系統的頻率變換器,光伏電壓系統的中央逆變器,汽車柴油發動機驅動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093975 
丹佛斯VLT 3000 變頻器是丹佛斯早期的一款變頻器。早在上世紀80年代就采用了丹佛斯自己開發的電壓向量控制原理，控制
2010-10-16 10:18:293668 華潤上華已開發完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺，各項參數均達到設計要求，成功進入Trench IGBT代工市場。
2011-03-31 09:23:061844 賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓撲結構。與競爭對手的產品相比，新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
2011-05-06 08:34:241261 羅姆開發了采用SiC功率元件的功率模塊，額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發的。之所以能承受1000A的大電流，是因為采用了溝
2011-10-12 09:48:461712 日本知名半導體制造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產。該產品的內置功率半導體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構
2012-03-23 08:52:572163 羅姆日前發布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產品（圖1）。特點是與該公司第一代產品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531938 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術平臺利用IR新一代溝道閘極場截止技術，為工業及節能
2012-11-21 09:39:403388 丹佛斯FCC51編程，最全的參數設置，讓你很快上手
2016-02-22 18:17:18
0 驅動IGBT 1200V模塊的輔助電源（3 W反激式），感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:4534 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設計_陳天
2017-01-08 14:36:357 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關頻率在15kHz以上的硬開關和諧振拓撲而設計，可滿足其對更高能效以及更低導通損耗和開關損耗的要求.
2018-07-11 11:28:575622 
視頻簡介：這視頻介紹我們全新的Q0和Q2系列功率模塊，應用于太陽能逆變器，額定功率超過100kVA。Q0PACK模塊包括一個T-NPC拓撲結構，具有65A / 1200V IGBT、60A
2019-03-14 06:12:006116 
ROHM新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-13 18:30:571897 據外媒報道，最近，日本羅姆半導體公司（ROHM）宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內的逆變器，以及正溫度系數（PTC）加熱器中的開關電路。
2019-05-27 08:41:501845 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-29 15:15:505922 丹佛斯變頻器全稱為“丹佛斯交流變頻調速器”，主要用于三相異步交流電機，用于控制和調節電機速度。丹佛斯變頻器是丹麥丹佛斯集團生產的變頻器產品，迄今，已有40余年的歷史，產品已經涵蓋所有低壓市場。
2019-06-03 14:24:278925 
丹佛斯變頻器全稱為“丹佛斯交流變頻調速器”，主要用于三相異步交流電機，用于控制和調節電機速度。丹佛斯變頻器是丹麥丹佛斯集團生產的變頻器產品，迄今，已有40余年的歷史，產品已經涵蓋所有低壓市場。
2019-06-06 15:58:2711602 通常是由于開關電源的元器件損壞或負載發生短路造成的，丹佛斯變頻器采用了新型脈寬集成控制器uc2844來調整開關電源的輸出，同時uc2844還帶有電流檢測，電壓反饋等功能。當發生無顯示，控制端子無電壓
2019-06-06 16:04:1822920 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）和丹佛斯宣布，公司將為丹佛斯硅動力（Danfoss Silicon Power）供應大功率IGBT和二極管，應用于快速增長的電動汽車市場的逆變器牽引模塊。
2020-07-08 11:44:041610 丹佛斯硅動力是丹麥最大的工業公司丹佛斯集團的子公司。數十年來丹佛斯硅動力一直通過為汽車、工業和可再生能源應用設計、開發和制造定制電源模塊，協助頂級制造商和系統供應商達到嚴格的可靠性、設計和成本目標。
2020-07-09 08:55:12635 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 作為國內首批自主研發并量產應用SiC器件的公司，在SiC功率器件領域，比亞迪半導體于2020年取得重大技術突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用。
2022-06-21 14:40:572382 本案例是Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器的配置案例，應用到的設備為西門子1200PLC一臺，小疆智控Modbus轉Profinet網關GW-PN5001一臺，丹佛斯變頻器一臺。
2022-08-06 14:53:252841 
本案例是Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器的配置案例，應用到的設備為西門子1200PLC一臺，小疆智控Modbus轉Profinet網關GW-PN5001一臺，丹佛斯變頻器一臺。
2022-08-08 15:25:595 本案例是Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器的配置案例，應用到的設備為西門子1200PLC一臺，穩聯技術Modbus轉Profinet網關WL-ABC3010一臺，丹佛斯變頻器一臺。
2022-08-16 17:49:483 本案例是無錫艾默森 Modbus 轉 Profinet 網關將丹佛斯變頻器接入西門子 1200PLC
用到的設備為西門子 1200PLC 一臺，Modbus 轉 Profinet 網關一個，丹佛斯變頻器一臺。
2022-08-17 14:29:572 ROHM新開發的“RGS系列”是滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號，傳導損耗非常低，非常有助于應用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199 
：1200V RDS（ON）Max：mΩ 引腳數量：3 特性：IGBT二極管 芯片個數： 溝道類型： 漏電流：ua 特性：IGBT、二極管 工作溫度：-55℃~150℃ 備受歡迎的IXYB82N120C3
2023-02-24 09:55:020 通過興達易控Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器在西門子 1200PLC程序控制實例，實現對變頻器頻率讀寫，及工作模式切換
2023-03-07 22:12:441570 本案例是興達易控Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器在西門子 1200PLC程序控制實例，實現對變頻器頻率讀寫，及工作模式切換
2023-03-10 13:36:131366 本案例是 Modbus 轉Profinet 網關連接丹佛斯變頻器的配置案例，應用到的設備為西門子1200PLC一臺， 穩聯技術 Modbus 轉Profinet 網關WL-ABC3010一臺，丹佛斯
2023-04-10 10:18:003 本案例是Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器的配置案例，應用到的設備為西門子1200PLC一臺，小疆智控Modbus轉Profinet網關GW-PN5001一臺，丹佛斯變頻器一
臺。
2023-04-10 10:14:130 丹佛斯變頻器維修注意事項：
先檢查變頻器各接播口是否已正確連接，連接是否有松動，連接異常有時可能導致變頻器出現故障，嚴重時會出現炸機等情
況。上電后檢測故障顯示內容，并初步斷定故障及原因。如未
2023-04-10 10:48:571 。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:511651 
，采用了羅姆的新產品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常務執行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen（右） 隨著全球電動化技術的快速發展，對功
2023-04-26 15:27:111383 
合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:021960 
解決這個問題上有獨特的優勢。與我們的長期合作伙伴羅姆半導體一起，我們為低功率模塊產品增加了一個完全兼容的1200V IGBT的新來源。這將進一步幫助緩解功率模塊的交付短缺，并確保供應鏈的安全。
2023-05-29 15:24:591636 
丹麥最大的跨國工業制造公司之一——丹佛斯動力，近日正式宣布鐳神智能成為PLUS+1自動駕駛平臺的合作伙伴。作為世界級的移動液壓和電氣化產品及解決方案提供商，丹佛斯動力為全球建筑、農業和其他公路和非公
2022-09-28 09:35:161083 
本案例是興達易控Modbus轉Profinet網關連接丹佛斯變頻器在西門子 1200PLC程序控制實例，實現對變頻器頻率讀寫，及工作模式切換
2023-03-01 10:47:132476 
的汽車驅動產品來實現“充電五分鐘續航百公里”的效果。 ? 針對這一需求，士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅動模塊——600A/1200V IGBT模塊（B3模塊）, 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力，為用戶帶來更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:482064 / OTCQX: IFNNY）與賽米控丹佛斯簽署了一項多年期批量供應硅基電動汽車芯片的協議。英飛凌將向賽米控丹佛斯供應IGBT和二極管的芯片。采用這些芯片的功率模塊主要用于電動汽車的主驅。 ? 英飛凌汽車事業部總裁Peter Schiefer “作為汽車半導體領域的全球領導者，
2023-07-17 15:33:061206 繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應用在PrimePACK模塊中，再次刷新了該
2023-09-14 08:16:101726 
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:591748 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:191402 2024年3月28日- 上海 - 全球變頻技術和電氣化解決方案領導者丹佛斯傳動宣布，推出旗下緊湊型變頻器iC2-Micro功率擴展產品
2024-03-29 09:52:191490 近日，瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規級可靠性認證。
2024-04-07 11:37:323562 
電子發燒友網站提供《1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:23:450 電子發燒友網站提供《1200V 25A溝槽和場阻IGBT JJT25N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 16:59:080 電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:11:310 電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:14:080 電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:16:100 電子發燒友網站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:02:380 電子發燒友網站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120SA數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:05:173 在成功發布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后，先導中心再度展現了其技術實力，推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
2024-05-09 14:25:261354 上海2024年5月10日 /美通社/ -- 全球變頻技術和電氣化解決方案領導者丹佛斯傳動今日在2024年度旗艦產品發布會暨路演宣布，正式面向中國市場推出三款變頻器旗艦產品：iC2-Micro、全新
2024-05-11 10:17:27948 
Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 1200V三相全橋碳化硅功率模塊，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優勢，性價比超國外產品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動、光伏風能發電等領域。
2024-09-18 17:18:171724 
丹佛斯扭矩限制泵為MPG的卡車車載電動起重機提供了性能和效率。
2024-09-23 10:12:031210 丹佛斯FC102變頻器手冊
2024-10-21 10:48:364 上海2024年11月5日?/美通社/ -- 全球變頻技術和電氣化解決方案領導者丹佛斯傳動今日正式亮相2024亞洲國際物流技術與運輸系統展覽會（CeMAT?ASIA?2024，以下簡稱"物流展
2024-11-05 15:33:17876 
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用，開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374 
本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結構，并通過可以控制
2024-11-14 14:59:192865 
森國科推出的1200V/25A IGBT(選型：KG025N120LD-R)適用于逆變焊機、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強，當實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應，短路時間極短，僅5μs，最大工作結溫擴大到175℃，有助于延長產品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281122 
丹佛斯FC51變頻器開關電源圖紙
2025-03-31 17:40:275 近日，全球領先的能效解決方案供應商丹佛斯南京園區啟用儀式在南京經開區舉行。該園區的啟用是丹佛斯在華本土化戰略的重要里程碑，標志著丹佛斯“第二家鄉市場”戰略實施進入新階段，也為公司積極把握中國能源轉型過程中的巨大市場機遇作充分準備。
2025-04-27 10:14:15878 在功率器件快速發展的當下，如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋，成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統化設計能力，為工業逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅動力。
2025-04-29 14:43:471044 。英飛凌發布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對400V和800V電動汽車架構的電驅動系統。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統，相
2025-05-06 14:08:48716 
近日，全球領先的電力電子供應商賽米控丹佛斯與創新型芯片研發制造商中車時代半導體宣布簽署合作備忘錄（MOU），雙方將在功率模塊芯片技術的開發與供應領域展開合作。
2025-05-09 11:30:24922 SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網的效率和穩定性。
2025-05-12 13:37:23806 新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術，電流等級涵蓋75A
2025-05-13 17:04:461315 在全球新能源汽車加速普及的今天，續航短、充電慢成為行業發展瓶頸。為突破這兩大痛點，高功率電壓系統對1200V耐壓功率芯片的需求愈發迫切，1200V SiC功率器件成為行業競相攻堅的焦點。在這一趨勢下
2025-05-14 17:55:021063 SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網的效率和穩定性。 羅姆半導體
2025-05-15 17:34:42466 丹佛斯（Danfoss）的DCM（Direct Cooled Module直接冷卻模塊）是業內首創的一款針對于車規級功率模塊的封裝設計，其核心創新在于直接水冷散熱設計，通過取消傳統基板，將功率單元直接焊接在散熱器上，顯著降低熱阻。
2025-06-14 09:39:382613 在下一代車規級功率器件的開發進程中，客戶需求與市場趨勢是核心導向，深刻影響著模塊設計邏輯。賽米控丹佛斯eMPack 系列產品，正是基于此展開迭代與創新，為客戶提供更適配的解決方案。
2025-07-22 10:17:15891 新品針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK2B模塊，采用六單元配置，通過AQG324認證。一個模塊采用
2025-07-31 17:04:34837 揚杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管，產品采用新一代微溝槽工藝平臺，極大的優化了器件的導通損耗，產品參數一致性好，可靠性優良，適用于伺服、變頻器等各類中低頻應用領域。
2025-09-18 18:01:392486 
6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域，柵極驅動器是驅動功率半導體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658
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