1200V CoolSiC? MOSFET評估平臺：深入解析與使用指南 在電力電子領域，準確評估MOSFET、IGBT及其驅動的開關特性至關重要。英飛凌的1200V CoolSiC? MOSFET
2025-12-21 10:50:03
592 1200V CoolSiC? MOSFET評估平臺：設計與應用全解析 作為電子工程師，我們總是在尋找性能更優、效率更高的器件和評估平臺，以滿足不斷發展的電子系統需求。今天就來深入探討一下英飛凌
2025-12-21 10:45:06470 的6ED2231S12T，一款具備集成自舉二極管和過流保護（OCP）功能的1200V三相柵極驅動器。 文件下載： 6ED2231S12T.pdf 產品概述 6ED2231S12T采用英飛凌的薄膜SOI
2025-12-20 14:25:02655 ）的6ED2230S12T，一款具備集成自舉二極管和過流保護（OCP）功能的1200V三相柵極驅動器。 文件下載： 6ED2230S12T.pdf 產品概述 6ED2230S12T采用英飛凌的薄膜SOI（Silicon
2025-12-20 14:20:09587 Technologies EiceDRIVER? 1200V半橋柵極驅動器.pdf 產品概述 這兩款器件屬于2ED132x系列，能夠在半橋配置中控制最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件。其獨
2025-12-20 11:30:021308 EiceDRIVER? 1200V高壓側和低壓側驅動器.pdf 產品概述 這兩款驅動器屬于2ED132x系列，專為控制半橋配置中最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件而設計
2025-12-20 11:15:12666 在電子工程師的世界里，選擇合適的晶體管對于電路設計的成功至關重要。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NST1602CL 雙極晶體管，這款器件以其卓越的性能和廣泛的應用前景，成為眾多設計中的理想之選。
2025-12-08 16:20:49467 
在電子工程師的日常設計工作中，選擇合適的功率器件對于實現高效、可靠的電路至關重要。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 FGY75T120SWD IGBT（絕緣柵雙極晶體管），這款器件憑借其卓越的性能和廣泛的應用場景，在功率電子領域備受關注。
2025-12-04 11:40:16745 
在當今的電子設備設計領域，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為關鍵的功率半導體器件，對于提升設備性能和效率起著至關重要的作用。今天，我們就來深入探討一下onsemi推出的FGH4L75T65MQDC50 IGBT，看看它究竟有哪些獨特之處，能為我們的設計帶來怎樣的優勢。
2025-12-04 10:45:34668 
在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率器件對于實現高效、穩定的電路設計至關重要。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 FGHL40T120RWD IGBT（絕緣柵雙極晶體管），它采用了新穎
2025-12-03 11:08:34522 
在電子電路設計中，晶體管的合理選擇和應用對于電路性能起著關鍵作用。今天，我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數字晶體管。
2025-12-02 15:46:03252 
在電子電路設計中，合理選擇晶體管至關重要，它關乎著電路的性能、成本和空間利用。今天就來為大家詳細介紹ON Semiconductor的MUN2234、MMUN2234L、MUN5234、DTC124XE、DTC124XM3、NSBC124XF3這一系列數字晶體管。
2025-12-02 09:41:59318 
在電子電路設計中，如何簡化設計、降低成本并節省電路板空間一直是工程師們關注的重點。安森美（onsemi）推出的MUN5213DW1、NSBC144EDXV6和NSBC144EDP6系列雙NPN偏置電阻晶體管（BRT），為解決這些問題提供了有效的解決方案。
2025-11-27 11:25:00289 
在電子工程師的日常設計工作中，通用晶體管是不可或缺的基礎元件。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NST846MTWFT NPN通用晶體管，它在諸多方面展現出了獨特的優勢，下面我們就來詳細了解一下。
2025-11-26 15:10:43260 
在電子設備的設計中，選擇合適的晶體管對于實現高效、穩定的性能至關重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的NSS40300CT PNP晶體管，看看它在電子設計領域能為我們帶來哪些優勢。
2025-11-26 15:01:11259 
在電子工程師的日常設計工作中，晶體管作為基礎且關鍵的元件，其性能和特性直接影響著整個電路的表現。今天，我們就來詳細探討 onsemi 推出的 BCP56M 通用晶體管，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優勢。
2025-11-26 14:28:03280 
安森美BCP53M PNP中等功率晶體管是一款80 V、1 A器件，設計用于通用放大器應用。該晶體管采用可濕性側翼DFN2020-3封裝，可實現最佳自動光學檢測（AOI），具有出色的熱性
2025-11-26 14:12:12435 
RoHS指令。這些晶體管的集電極-發射極電壓為65V，集電極連續電流為100mA。NST856MTWFT晶體管非常適合用于低功耗表面貼裝應用。
2025-11-26 13:45:33426 
安森美 (onsemi) MJD31C雙極晶體管為NPN設備，專為通用放大器和低速開關應用而設計。此系列互補功率晶體管采用環氧樹脂，符合UL 94 V-0（0.125英寸）標準；其引腳經成型處理
2025-11-25 11:38:42505 安森美 (onsemi) NSVT5551M雙極晶體管通過了AEC-Q101認證，是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。這款NPN雙極晶體管具有匹配的芯片，存放溫度范圍為-55°C至
2025-11-25 10:50:45363 
新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
2025-11-24 17:05:151202 
電阻器。MUN5136數字晶體管具有簡化電路設計、減少電路板空間和元件數量的特點。這些數字晶體管的工作結溫和存儲溫度范圍為-55°C至150°C。
2025-11-24 16:27:15579 
，該網絡由一個系列基極電阻和一個基極-發射極電阻組成。BRT將所有組件集成到單個設備中，從而消除了單個組件。使用BRT可以降低系統成本和電路板空間。NSBCMXW組件采用XDFNW3封裝，具有卓越的散熱性能。這些晶體管非常適合用于電路板空間和可靠性至關重要的表面貼裝應用。
2025-11-22 09:44:46811 
安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管 (BRT) 設計用于替換單個設備和相關外部偏置電阻網絡。 這些PNP偏置電阻晶體管集成了單個晶體管和一個單片偏置網絡，該網絡由一個系列
2025-11-21 16:22:38625 
電壓選擇晶體管應用電路第二期
以前發表過關于電壓選擇晶體管的結構和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會（AEC）汽車應用標準的氮化鎵（GaN）晶體管系列
2025-11-05 14:31:0559490 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現高頻工況下的效率提升，并滿足最高質量標準，能夠打造具有超高效率的高可靠性設計。該系列
2025-11-03 18:18:052813 晶體管是一種以半導體材料為基礎的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓和信號調制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調節輸出電流，實現信號放大或電路開關功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23349 
在先進的反向導通絕緣柵雙極晶體管（RCIGBT）中，低導通電壓降（Vce(sat)）和集成二極管正向電壓（VF）對于有效減少導通損耗至關重要。
2025-10-10 09:25:062181 
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場效應晶體管），在極端短路條件下的表現。通過一系列嚴謹的測試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
倫德8XX系列晶體管光耦采用了先進的半導體工藝，能夠提供高達3750V的隔離電壓，確保充電樁在高電壓環境下的信號傳輸安全。無論是直流快充還是交流慢充，8XX系列光
2025-09-30 16:34:514316 
電子發燒友網為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關產品參數、數據手冊，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
揚杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管，產品采用新一代微溝槽工藝平臺，極大的優化了器件的導通損耗，產品參數一致性好，可靠性優良，適用于伺服、變頻器等各類中低頻應用領域。
2025-09-18 18:01:392486 
基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊，產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術，在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上，通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。
2025-09-15 16:53:03976 
多值電場型電壓選擇晶體管結構
為滿足多進制邏輯運算的需要，設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統二進制邏輯門電路通常比較復雜
2025-09-15 15:31:09
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034 選型手冊：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管
2025-08-27 17:51:246127 
新品針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK2B模塊，采用六單元配置，通過AQG324認證。一個模塊采用
2025-07-31 17:04:34835 近期，華為旗下海思技術有限公司正式進軍碳化硅功率器件領域，推出了兩款1200V工規SiC單管產品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業高溫、高壓場景場景。圖片
2025-07-29 06:21:51677 
電子發燒友網綜合報道 最近海思半導體在官網上架了兩款工規1200V SiC MOSFET單管產品，ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，導通電阻分別為20mΩ和35mΩ。海思
2025-07-27 07:12:002508 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布擴展其雙極性晶體管(BJT)產品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列
2025-07-18 14:19:472331 近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產品，憑借優秀的性能與品質贏得多家重要客戶訂單，已量產交付近200萬顆，為應用系統提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231043 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布，在其持續壯大的功率電子器件產品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J
2025-07-11 17:06:07912 電子發燒友網為你提供()密封高速晶體管雙通道光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有密封高速晶體管雙通道光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封高速晶體管雙通道光耦合器真值表，密封高速晶體管雙通道光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-08 18:33:02
電子發燒友網為你提供()耐輻射光電晶體管密封光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有耐輻射光電晶體管密封光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射光電晶體管密封光耦合器真值表，耐輻射光電晶體管密封光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-08 18:29:59
芯片制程從微米級進入2納米時代，晶體管架構經歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構演進到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022045 
電子發燒友網為你提供()光電晶體管光耦合器相關產品參數、數據手冊，更有光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，光電晶體管光耦合器真值表，光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-03 18:30:33
晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發光器件和光敏器件組合在一起的半導體器件，用于實現電路之間的電氣隔離，同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應和半導體
2025-06-20 15:15:49730 
在半導體工藝演進到2nm，1nm甚至0.7nm等節點以后，晶體管結構該如何演進？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產業對其可制造
2025-06-20 10:40:07
從內容上看，本書可分成三部分:1.介紹了激光器電源中使用的幾種電子器件，諸如晶閘管(SCR)、功率場效應晶體管(VMOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。這幾種器件各具特點，在激光器電源及電力電子學
2025-06-17 17:45:29
深圳市三佛科技有限公司供應2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管，原裝現貨
2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補充型。
擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804 2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應晶體管，器件結構如圖1.15所示。從此，半導體界興起了一股研究無結場效應晶體管的熱潮，每年的國際
2025-05-19 16:08:13777 
場效應晶體管（TFET）沿溝道方向有一個 PN結，金屬-半導體場效應晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個柵電極肖特基勢壘結。
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導體器件?，用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關?。它是現代電子技術的核心元件，幾乎所有電子設備（從手機到超級計算機）都依賴晶體管實現功能。以下
2025-05-16 10:02:183876 LM195/LM395 是具有完全過載保護的快速單片電源集成電路。這些器件充當高增益功率晶體管，芯片上包括電流限制、功率限制和熱過載保護，使其幾乎不可能因任何類型的過載而損壞。在標準 TO-3 晶體管功率封裝中，LM195 將提供超過 1.0A 的負載電流，并可在 500 ns 內切換 40V。
2025-05-15 10:41:11781 
LP395 是一款具有完全過載保護的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。適用于 該器件采用環氧樹脂 TO-92 晶體管封裝，額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29602 
我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48
，聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業注入強勁新動能。
2025-05-14 17:55:021060 納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現行業最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應用的IEC合規性。
2025-05-14 15:39:301341 新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術，電流等級涵蓋75A
2025-05-13 17:04:461312 （Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產品，旨在為蓬勃發展的工業電源應用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產品相比，該系列產品在高負載條件下能夠保持較低導通損耗的同時，其開關品質因數
2025-05-07 10:56:10728 
在功率器件快速發展的當下，如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋，成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統化設計能力，為工業逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅動力。
2025-04-29 14:43:471042 新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強型1代、集成NTC溫度傳感器
2025-04-17 17:05:15804 在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發企業，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統設計，以滿足
2025-04-17 11:23:54722 
多值電場型電壓選擇晶體管結構
為滿足多進制邏輯運算的需要，設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統二進制邏輯門電路通常比較復雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，FET和IC，FET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設計，源極跟隨器電路設計，FET低頻功率放大器的設計與制作，柵極接地放大電路的設計，電流反饋型OP放大器的設計與制作，進晶體管
2025-04-14 17:24:55
在當前快速發展的消費電子市場中，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種核心電子元器件，憑借其卓越的開關性能、低導通損耗和良好的熱管理能力，成為現代家電技術的重要組成部分。
2025-04-07 15:54:413395 
結合 GTR 和功率 MOSFET 而產生的功率絕緣柵控雙極晶體管(IGBT)。在這些開關器件中，功率 MOSFET 由于開關速度快,驅動功率小,易并聯等優點成為開關電源中最常用的器件，尤其在為計算機
2025-03-27 14:48:50
派恩杰半導體上新 ；1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊，內置二極管提升高頻應用可靠性！
2025-03-24 10:11:323811 
Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281103 陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產品型號為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901 
前言
在MOSFET驅動電路中，經常會遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅動器的情況。這種設計在PWM控制或電機驅動中非常常見，尤其是在需要快速開關和高效率時。下面是一個典型的帶有BJT的柵極驅動
2025-03-11 11:14:21
本書主要介紹了晶體管，FET和Ic，FET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設計，源極跟隨電路的設計，FET低頻功率放大器的設計和制作，柵極接地放大電路的設計，電流反饋行型op放大器的設計與制作
2025-03-07 13:55:19
本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強輸出的電路，小型功率放大器的設計與制作，功率放大器的設計與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設計和制作，渥爾曼電路的設計，負反饋放大電路的設計，直流穩定電源的設計與制作，差動放大電路的設計，op放大器電路的設計與制作等
2025-03-07 13:46:06
。 ? 目的 ?：本手冊詳細闡述了氮化鎵（GaN）晶體管并聯設計的具體細節，旨在幫助設計者優化系統性能。 二、氮化鎵的關鍵特性及并聯好處 1. 關鍵特性 ? 正溫度系數的R DS(on) ?：有助于并聯器件的熱平衡。 ? 穩定的門檻電壓V GS(th) ?：在工作
2025-02-27 18:26:311103 這本書介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設計與制作， 雙管電路的設計與制作，3~5管電路的設計與制作，6管以上電路的設計與制作。書中具體內容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應，雙管射極跟隨器等內容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互補雙極UHF-1X工藝制造的超高頻晶體管對，NFN晶體管的fT為8.5CHz，而FPNP晶體管的為7CHz。這兩種類型都表現出低噪聲，使其
2025-02-26 09:29:07866 
HFA3134 和 HFA3135 是超高頻晶體管，采用 Intersil Corporation 的互補雙極 UHF-1X 工藝制造。NPN 晶體管的 fT 為 8。5GHz，而 PNP 晶體管
2025-02-25 17:26:35897 
晶體管的 f~T~ 為 8GHz，而 PNP 晶體管的 f~T~ 為 5。5GHz 的。兩種類型都表現出低噪聲 （3. 5dB），使其成為高頻放大器和混頻器應用的理想選擇。HFA3046
2025-02-25 17:19:09953 
晶體管的 f~T~ 為 8GHz，而 PNP 晶體管的 f~T~ 為 5。5GHz 的。兩種類型都表現出低噪聲 （3. 5dB），使其成為高頻放大器和混頻器應用的理想選擇。HFA3046
2025-02-25 16:15:33859 
晶體管的 f~T~ 為 8GHz，而 PNP 晶體管的 f~T~ 為 5。5GHz 的。兩種類型都表現出低噪聲 （3. 5dB），使其成為高頻放大器和混頻器應用的理想選擇。HFA3046
2025-02-25 16:05:09826 
電子發燒友網站提供《BCP69系列PNP中等功率晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-19 15:37:45
0 電子發燒友網站提供《BCP69-Q系列 PNP中等功率晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-19 15:34:550 在大型隧道掘進工程中，掘進機的高效運轉是保障工程進度與質量的關鍵。然而，遠距離輸電致使施工現場電壓常降至 380V，與掘進機所需的 1200V、1250V 甚至 1500V 工作電壓相差甚遠。此時
2025-02-19 09:39:47892 
電子發燒友網站提供《BC56xPAS-Q系列NPN中等功率晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 16:21:230 電子發燒友網站提供《MJD31CA NPN高功率雙極晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 16:19:460 電子發燒友網站提供《BCP52系列晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:36:370 電子發燒友網站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257 電子發燒友網站提供《BC817W-Q系列NPN通用晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 16:24:130 電子發燒友網站提供《BC807W-Q系列PNP通用晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 15:44:270 隨著半導體技術不斷逼近物理極限，傳統的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514437 
電子發燒友網站提供《PDTD114EU 50V 500mA NPN電阻的晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-01-23 16:28:260 電子發燒友網站提供《PDTB114EU 50V、500mA PNP電阻晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-01-23 16:26:400 意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。
2025-01-16 13:28:271021 我們也發現Schweizer在更早前其實就已經推出了名為P2的封裝方案，這個方案同樣是將功率半導體嵌入PCB中。他們在2023年開始與英飛凌合作開發，將英飛凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技術，并應用到電動汽車上。 ? P 2封裝的優勢和應用 ? 根據
2025-01-07 09:06:134389 
深圳市三佛科技有限公司供應XD040H120BM1S3國產IBGT芯達茂40A 1200V，原裝現貨 晶體管的置換原則可概括為三條：即類型相同、特性相近、外形相似。一、類型相同1．材料相同
2025-01-06 10:40:31
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