国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

士蘭微電子推出高性能汽車驅動模塊—600A/1200V IGBT模塊

杭州士蘭微電子股份有限公司 ? 來源:杭州士蘭微電子股份有限 ? 2023-06-20 11:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

隨著人們對環保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求,新能源汽車的市場需求逐漸增大,已然成為汽車發展的大趨勢,但是新能源汽車充電時間長、續航里程短等問題仍然是汽車廠商和車主們的痛點。因此,需要更好的汽車驅動產品來實現“充電五分鐘續航百公里”的效果。

針對這一需求,士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅動模塊——600A/1200V IGBT模塊(B3模塊), 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力,為用戶帶來更高的效率和更好的體驗。

該模塊產品阻斷電壓可以達到1200V,可以滿足800V平臺新能源汽車快速充電的需求,在5C倍率的充電速度下,可以實現5min充電0-80%。同時,該模塊峰值工況下支持850V電壓,輸出電流350-400Arms,輸出動能強,汽車加速快,這對于追求速度與激情的消費者來說是極其重要的。

士蘭微電子基于自主研發的精細溝槽 FS-V 技術開發的這款六單元拓撲模塊,可以為車輛提供高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級特性,從而為嚴苛的環境條件下的逆變器運行提供更可靠的保障。

與傳統的驅動模塊相比,士蘭600A/1200V IGBT模塊的電流密度更高,可以將更多的功率輸出到驅動軸,提高車輛的加速性能和行駛距離。此外,該模塊還具有高短路能力和高阻斷電壓等級,可以保護逆變器免受突發電流和電壓的損害,從而延長逆變器的壽命。

該模塊IGBT芯片采用士蘭最新一代的場截止5代(Field-Stop V)技術和最先進的精細溝槽技術,較之前常規IGBT工藝具有更窄的臺面寬度,用于降低飽和壓降,提高器件的功率密度,縮小芯片的尺寸;且硅厚度只有110um,可以使得器件-40度下耐壓大于1200V,大大降低了器件的飽和壓降和關斷損耗;其低 VCE(sat)特性使該模塊具備正溫度系數,具有較低的靜態損耗,以及低開關損耗,可以增大模塊的輸出能力,提高整個電控系統的效率;采用導熱性優良的DBC,進一步降低模塊熱阻,提高輸出能力。

產品驗證數據顯示,該模塊的規格和同封裝下的輸出能力已經超過了同類競品,達到了世界一流水平。這也意味著,士蘭600A/1200V IGBT模塊是一款創新產品,它可以為混動和純電動汽車等應用帶來更高的燃油效率和更快的充電速度,進而改善車輛的性能和駕駛體驗。

二十多年來,士蘭微電子堅持走“設計制造一體化”道路,打通了“芯片設計、芯片制造芯片封裝”全產業鏈,實現了“從5吋到12吋”的跨越,為汽車客戶與零部件供應商提供一站式的服務。

士蘭微電子應用于汽車電子的產品不僅涵蓋了主驅、車載充電機、車身電子、底盤電子和智能座艙等功率器件,還包括驅動IC、電源IC、電機IC和MCU等系列產品,可以為客戶提供更可靠、更具性價比、更高性能的產品和解決方案。在穩產保供的大方針下,全力以赴促進客戶和行業的共同發展。
責任編輯:彭菁

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 士蘭微電子
    +關注

    關注

    6

    文章

    67

    瀏覽量

    15390
  • IGBT
    +關注

    關注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    262994
  • 驅動模塊
    +關注

    關注

    0

    文章

    67

    瀏覽量

    14845

原文標題:士蘭微推出600A/1200V IGBT汽車驅動模塊,提升充電速度與行駛動力

文章出處:【微信號:杭州士蘭微電子股份有限公司,微信公眾號:杭州士蘭微電子股份有限公司】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    基本半導體1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹

    基本半導體推出1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列,采用新一代碳化硅芯片技術,結合高性能Si3N4 AMB基板與銅基板封裝,在提升功率密度的同時顯著增強產
    的頭像 發表于 01-23 14:54 ?1236次閱讀
    基本半導體<b class='flag-5'>1200V</b>工業級碳化硅MOSFET半橋<b class='flag-5'>模塊</b>Pcore2 ED3系列介紹

    微電子推出新一代組串電站逆變模塊解決方案

    微電子推出新一代組串電站逆變模塊解決方案,采用與國際TOP友商最先進芯片技術對標的FS5+ IGBT
    的頭像 發表于 12-22 14:04 ?962次閱讀
    <b class='flag-5'>士</b><b class='flag-5'>蘭</b><b class='flag-5'>微電子</b><b class='flag-5'>推出</b>新一代組串電站逆變<b class='flag-5'>模塊</b>解決方案

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域,柵極驅動器是驅動
    的頭像 發表于 12-20 14:25 ?1954次閱讀

    方正微電子SiC MOS功率模塊FA120T003BA簡介

    方正微電子TPAK模塊FA120T003BA(1200V 3.1mΩ)是一款高性能SIC MOS功率模塊,專為新能源
    的頭像 發表于 09-24 15:09 ?979次閱讀

    基本半導體1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊,產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術,在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上,通過創新的模塊設計顯著降低了
    的頭像 發表于 09-15 16:53 ?1212次閱讀
    基本半導體<b class='flag-5'>1200V</b>工業級碳化硅MOSFET半橋<b class='flag-5'>模塊</b>Pcore 2系列介紹

    新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

    新品針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK2B
    的頭像 發表于 07-31 17:04 ?957次閱讀
    新品 | 針對車載充電和電動<b class='flag-5'>汽車</b>應用的EasyPACK? CoolSiC? <b class='flag-5'>1200V</b>和硅基<b class='flag-5'>模塊</b>

    MG600TLU095MSN4 IGBT模塊:規格、參數科普

    在現代新能源和高效電力轉換領域,IGBT模塊性能直接決定了系統的能量轉換效率和可靠性。MG600TLU095MSN4作為950V/
    的頭像 發表于 07-18 11:54 ?1577次閱讀
    MG<b class='flag-5'>600</b>TLU095MSN4 <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>:規格、參數科普

    揚杰電子MG75HF12TLC1 IGBT模塊:大功率應用的可靠選擇

    應用設計的高性能解決方案。憑借其先進的溝槽技術和優異的電氣特性,這款模塊成為電機驅動、UPS系統等領域的理想選擇。 產品概述 MG75HF12TLC1是一款電壓等級為1200V、額定電
    的頭像 發表于 06-20 13:58 ?837次閱讀
    揚杰<b class='flag-5'>電子</b>MG75HF12TLC1 <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>:大功率應用的可靠選擇

    揚杰電子MG600HF065TLC2 IGBT模塊:大功率應用的卓越解決方案

    概述 MG600HF065TLC2是一款電壓等級為650V、額定電流高達600A高性能IGBT模塊
    的頭像 發表于 06-19 16:56 ?644次閱讀
    揚杰<b class='flag-5'>電子</b>MG<b class='flag-5'>600</b>HF065TLC2 <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>:大功率應用的卓越解決方案

    揚杰電子MG35P12E1A IGBT模塊:高效能電力電子解決方案

    在當今工業自動化和電力電子領域,高效、可靠的功率半導體器件是各類設備穩定運行的核心。揚杰電子推出的MG35P12E1A IGBT
    的頭像 發表于 06-18 17:52 ?801次閱讀
    揚杰<b class='flag-5'>電子</b>MG35P12E1<b class='flag-5'>A</b> <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>:高效能電力<b class='flag-5'>電子</b>解決方案

    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發射極IGBT模塊

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發射極模塊采用成熟的TRENCHSTOP
    的頭像 發表于 05-13 17:04 ?1502次閱讀
    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,<b class='flag-5'>1200V</b>共發射極<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應用的新功率模塊

    。英飛凌發布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片,特別針對400V和800V電動汽車架構的電驅動
    的頭像 發表于 05-06 14:08 ?843次閱讀
    新型<b class='flag-5'>IGBT</b>和SiC功率<b class='flag-5'>模塊</b>用于高電壓應用的新功率<b class='flag-5'>模塊</b>

    龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

    在功率器件快速發展的當下,如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品
    的頭像 發表于 04-29 14:43 ?1169次閱讀

    微電子2025慕尼黑上海電子展精彩回顧

    此前,4月15-17日,微電子亮相了2025慕尼黑上海電子展。本次展會,微全面展示了家電
    的頭像 發表于 04-21 17:00 ?3572次閱讀
    <b class='flag-5'>士</b><b class='flag-5'>蘭</b><b class='flag-5'>微電子</b>2025慕尼黑上海<b class='flag-5'>電子</b>展精彩回顧

    驅動電路設計(七)——自舉電源在5kW交錯調制圖騰柱PFC應用

    隨著功率半導體IGBT,SiCMOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌12
    的頭像 發表于 03-24 17:43 ?1.3w次閱讀
    <b class='flag-5'>驅動</b>電路設計(七)——自舉電源在5kW交錯調制圖騰柱PFC應用