国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

電子發燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>新品快訊>賽米控推出最新MiniSKiiP IGBT功率半導體模塊

賽米控推出最新MiniSKiiP IGBT功率半導體模塊

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦
熱點推薦

功率半導體銷售培訓手冊:電力電子核心技術與SiC碳化硅功率器件的應用

電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,代理并力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅
2026-01-04 07:36:23262

電動大巴電驅動技術演進與SiC功率模塊的代際更替

專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,代理并力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅動板等功率半導體器件以及新能源汽車
2025-12-26 10:11:4369

富士IGBT模塊2MBI800XNE120-50為什么加速被碳化硅SiC模塊所取代?

高性能電力電子系統的范式轉移:傾佳電子代理的BASiC碳化硅MOSFET功率模塊BMF540R12MZA3與青銅劍驅動板配套替代傳統富士和英飛凌IGBT模塊的技術報告 用 傾佳電子 代理的基本半導體
2025-12-24 12:21:40809

SiC碳化硅MOSFET功率半導體銷售培訓手冊:電源拓撲與解析

汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,代理并力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面
2025-12-24 06:54:12347

固態變壓器SST的拓撲架構深度解析與基本半導體SiC模塊的工程應用研究

固態變壓器SST的拓撲架構深度解析與基本半導體SiC模塊的工程應用研究 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備
2025-12-16 09:15:021011

瑞能半導體榮膺2025亞洲金選獎年度最佳功率半導體

12月5日,瑞能半導體憑借高性能功率器件WND90P20W,在亞洲金選獎(EE Awards Asia)的評選中脫穎而出,榮獲Best Power Semiconductor of the Year(年度最佳功率半導體獎)。
2025-12-15 15:37:43258

雙脈沖測試技術解析報告:國產碳化硅(SiC)功率模塊替代進口IGBT模塊的驗證與性能評估

雙脈沖測試技術解析報告:國產碳化硅(SiC)功率模塊替代進口IGBT模塊的驗證與性能評估 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源
2025-12-15 07:48:22466

探索onsemi FGY100T120RWD IGBT:高效性能與廣泛應用的完美結合

在電子工程領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種重要的功率半導體器件,廣泛應用于各種高功率、高效率的電子設備中。今天,我們將深入探討 onsemi 公司推出的 FGY100T120RWD IGBT,了解其特點、性能參數以及應用場景。
2025-12-04 11:11:04722

傾佳電子光伏與儲能產業功率半導體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉型的深度研究報告

傾佳電子光伏與儲能產業功率半導體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉型的深度研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源
2025-12-01 09:49:522168

傾佳電子深度研報:中國電力電子產業“死磕”SiC碳化硅功率模塊——全面取代進口IGBT模塊的技術、商業與產

傾佳電子深度研報:中國電力電子產業“死磕”SiC碳化硅功率模塊——全面取代進口IGBT模塊的技術、商業與產業邏輯解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連
2025-12-01 09:05:001123

推拉力測試儀的工作原理及其在IGBT功率模塊推力檢測中的應用

在現代電力電子與新能源汽車工業飛速發展的今天,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT功率模塊作為電能轉換與控制的“心臟”,其可靠性直接決定了整個系統的性能與壽命。IGBT模塊內部通過焊接、鍵合等工藝將多個
2025-11-21 14:13:06858

傾佳電子SiC模塊BMF540R12KA3替代富士電機 IGBT模塊 2MBI800XNE120 的綜合技術與應用分析

傾佳電子電力電子應用深度研究報告:基本半導體 SiC MOSFET功率模塊 BMF540R12KA3 替代富士電機 IGBT模塊 2MBI800XNE120 的綜合技術與應用分析 傾佳電子
2025-11-20 08:20:131015

SiC碳化硅功率半導體市場推廣與銷售賦能綜合報告

和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自
2025-11-16 22:45:55260

半導體IGBT模塊封裝中環氧灌封膠應用的詳解;

如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 隨著半導體材料技術的突破,對功率器件電壓和頻率提出了更高的要求。更高電壓和更快開關頻率導致器件在工作過程中產生大量的熱量,
2025-11-13 11:14:48938

傾佳電子全面分析在高功率工業變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價值主張

傾佳電子全面分析在高功率工業變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價值主張 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國
2025-11-02 12:20:381346

安森美推出垂直氮化鎵功率半導體

隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體,為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980

是德科技Keysight B1500A 半導體器件參數分析儀/半導體表征系統主機

一臺半導體參數分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導體參數分析儀是一款一體化器件表征分析儀,能夠測量 IV、CV、脈沖/動態 I-V 等參數。 主機和插入式模塊能夠表征大多數
2025-10-29 14:28:09

龍騰半導體推出四款650V F系列IGBT新品

隨著便攜儲能、新能源及工業電源應用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統的核心開關器件,其性能已成為決定整機效能與可靠性的關鍵因素。為應對市場對高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應用提供更優異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877

傾佳電子基于SiC模塊的120kW級聯SST固態變壓器功率模塊設計與拓撲分析

電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主
2025-10-22 15:50:382346

傾佳電子商用電磁加熱技術革命:基本半導體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統IGBT模塊

行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢
2025-10-11 10:56:371137

傾佳電子針對高性能電力變換的基本半導體34mm封裝SiC模塊平臺戰略分析

和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自
2025-10-10 21:45:59327

BW-4022A半導體分立器件綜合測試平臺---精準洞察,卓越測量

器件都承載著巨大的科技使命,它的穩定性和壽命直接決定著設備的整體壽命與系統安全的保障,而半導體分立器件測試設備正是守護這些芯小小器件品質的關鍵利器,為半導體制造企業及應用終端行業為半導體核心功率轉換元件
2025-10-10 10:35:17

傾佳電子行業洞察:中國SiC碳化硅功率半導體發展趨勢與企業采購策略深度解析

和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電
2025-10-09 18:31:031318

傾佳電子大功率工業傳動市場:駕SiC馭碳化硅功率模塊帶來的技術顛覆

汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自
2025-10-09 17:48:42598

傾佳電子代理的BASiC基本半導體SiC功率器件產品線選型指南

汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可控和產業
2025-10-08 10:04:18589

揭露半導體功率器件——PIM功率集成模塊,一文讀懂它的所有

前言在電力電子領域,高電壓、大電流場景對功率器件的集成度、可靠性與散熱性能提出了嚴苛要求。PIM(功率集成模塊)通過“多器件高密度封裝”的高集成設計,將分立的功率半導體、輔助電路與散熱結構整合為單一
2025-10-03 08:04:37903

三菱電機推出新緊湊型DIPIPM功率半導體模塊

菱電機集團昨日(2025年9月11日)宣布,將于9月22日開始供應針對家用及工業設備(如柜式空調、熱泵采暖及熱水系統)的新緊湊型DIPIPM功率半導體模塊。新的Compact DIPIPM系列產品
2025-09-24 10:39:48916

安世半導體特色產品提升電力應用性能

安世半導體半導體行業的領先企業,提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路,在質量和可靠性方面享有盛譽。安世半導體矢志創新,不斷快速擴展產品組合,尤其是功率 MOSFET、寬帶間隙半導體IGBT 以及
2025-09-24 10:08:571930

傾佳電子深度解析AI人工智能微電網解決方案:SiC碳化硅功率半導體如何重塑能源未來

電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力
2025-09-22 06:41:19771

SiC碳化硅功率半導體:電力電子行業自主可控與產業升級的必然趨勢

SiC碳化硅功率半導體:電力電子行業自主可控與產業升級的必然趨勢 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊
2025-09-21 20:41:13419

BASiC基本半導體新一代(G3)SiC MOSFET特點及設計要點

電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可控和
2025-09-19 17:34:561103

傾佳電子SiC功率模塊:超大功率全橋LLC應用技術優勢深度分析報告

電源、電力電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業
2025-09-19 15:32:57661

基本半導體SiC功率器件在固態配電與光儲微網中的應用及固態直流斷路器技術深度分析

電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電
2025-09-19 09:46:521688

傾佳電子功率半導體驅動電路設計深度解析:SiC MOSFET驅動挑戰與可靠性實現

電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業
2025-09-14 22:59:12920

三安半導體與賽晶半導體達成戰略合作

9月12日,湖南三安半導體有限責任公司(以下簡稱“湖南三安”)與賽晶亞太半導體科技(浙江)有限公司(以下簡稱“半導體”)在湖南三安成功舉行戰略合作簽約儀式。雙方基于在新型功率半導體產業生態中
2025-09-12 15:45:31721

一文讀懂電控系統核心——功率半導體IGBT模塊

前言功率半導體器件作為現代電子技術不可或缺的一部分,在電力轉換和控制中起著核心作用。而IGBT模塊作為其中一個極其高效、聽話且力量巨大的”電能開關“被廣泛應用于多個領域,是現代工業社會從“用電”邁向
2025-09-10 18:04:012880

一文讀懂電控系統核心——功率半導體IGBT模塊

功率半導體器件作為現代電子技術不可或缺的一部分,在電力轉換和控制中起著核心作用。本文將簡單講解何為功率半導體IGBT模塊,和其結構組成,介紹其應用場景并例出部分實際產品。
2025-09-10 17:57:472556

傾佳電子行業洞察:碳化硅(SiC)模塊加速全面取代IGBT模塊的深度剖析

專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備和新能源汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動
2025-09-09 10:46:16797

散熱底板對 IGBT 模塊功率循環老化壽命的影響

摘要:功率半導體模塊通常采用減小結殼熱阻的方式來降低工作結溫,集成Pin-Fin基板代替平板基板是一種有效選擇。兩種封裝結構的熱阻抗特性不同,可能對其失效機理及應用壽命產生影響。該文針對平板基板
2025-09-09 07:20:232096

傾佳電子推動SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術動因

傾佳電子推動SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術動因與SiC模塊應用系統級優勢深度研究 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源
2025-09-07 14:57:042117

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應用中對IGBT模塊的全面替代

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應用中對IGBT模塊的全面升級替代 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源
2025-09-05 08:36:442199

如何精準計算半導體制冷片的實際功率需求

電子散熱與溫控領域中,半導體制冷片因其高效、無噪音、無振動等優勢而被廣泛應用。然而,要充分發揮半導體制冷片的性能,關鍵在于準確計算其實際功率需求。若功率匹配不當,可能導致能效低下甚至設備損壞。本文
2025-09-04 14:34:44990

基本半導體與東芝達成戰略合作

日前,深圳基本半導體股份有限公司(以下簡稱“基本半導體”)與東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝電子元件”)正式簽署戰略合作協議。通過將雙方擁有的先進碳化硅及IGBT芯片技術,與高性能、高可靠性功率模塊技術相結合,為全球車載及工業市場提供更具競爭力的功率半導體解決方案。
2025-08-30 16:33:161858

一文了解功率半導體的可靠性測試

功率半導體概述功率半導體是一種特殊的半導體器件,它們在電力系統中扮演著至關重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調節電力的流動,包括電壓和頻率的轉換,以及交流電(AC)和直流電(DC)之間的轉換。這種
2025-08-25 15:30:17664

森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅(SiC)功率半導體技術引領者森國科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結合了高功率密度與系統級可靠性,為新能源發電、工業電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術,在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141293

RIGOL功率半導體動態性能測試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統 Si 器件已逼近材料極限,成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250

深愛半導體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導體推出新品IPM模塊 IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅動電路、保護功能的“系統級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03

控丹佛斯eMPack系列車規級功率模塊的亮點

在下一代車規級功率器件的開發進程中,客戶需求與市場趨勢是核心導向,深刻影響著模塊設計邏輯。控丹佛斯eMPack 系列產品,正是基于此展開迭代與創新,為客戶提供更適配的解決方案。
2025-07-22 10:17:15891

意法半導體推出先進的 1600 V IGBT,面向高性價比節能家電市場

2025 年7月16日,中國——意法半導體發布STGWA30IH160DF2 IGBT,該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優異的熱性能和軟開關拓撲高效運行等優勢,特別適用于需要并聯使用的大功率
2025-07-17 10:43:176617

功率半導體器件——理論及應用

本書較全面地講述了現有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、設計原則和應用特性,有機地將功率器件的設計、器件中的物理過程和器件的應用特性聯系起來。 書中內容由淺入深,從半導體的性質、基本的半導體
2025-07-11 14:49:36

功率半導體究竟是什么

站在戰略升級的關鍵節點,聞泰科技正在全力聚焦半導體業務,開啟全新發展階段。值此之際,公司特別推出 《探秘“芯”世界》系列專題,邀您一同探索半導體的奧秘,見證聞泰科技以創新引領行業的 "芯" 力量。
2025-07-09 11:42:191137

從原理到應用,一文讀懂半導體溫控技術的奧秘

無機械傳動部件可減少因機械磨損帶來的故障。 行業內的半導體溫控產品擁有多樣化的產品線,能適配不同的溫控需求場景。其中,半導體 TEC 溫控驅動模塊是具有代表性的產品類型,部分單通道、大電流、多通道大功率
2025-06-25 14:44:54

大模型在半導體行業的應用可行性分析

有沒有這樣的半導體專用大模型,能縮短芯片設計時間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設計和制造環節確實有實際應用。會不會存在AI缺陷檢測。 能否應用在工藝優化和預測性維護中
2025-06-24 15:10:04

揚杰電子MG75HF12TLC1 IGBT模塊:大功率應用的可靠選擇

在工業自動化和電力電子領域,高效、穩定的功率半導體器件是確保設備性能的關鍵。揚杰電子(Yangjie Electronic)推出的MG75HF12TLC1 IGBT模塊,是一款專為高功率
2025-06-20 13:58:47731

選擇基本半導體SiC碳化硅功率模塊,賦能盤式電機驅動新紀元

傳統硅基IGBT受限于開關損耗和頻率瓶頸,而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優勢,成為理想選擇。基本半導體推出的BMF240R12E2G3與BMF008MR12E2G3兩款SiC MOSFET模塊,憑借其高性能與高可靠性,為盤式電機驅動器帶來革新突破。
2025-06-19 16:59:06728

揚杰電子MG600HF065TLC2 IGBT模塊:大功率應用的卓越解決方案

在當今新能源和工業電力電子領域,高效、可靠的功率半導體器件是實現設備高性能運行的核心。揚杰推出的MG600HF065TLC2 IGBT模塊,以其卓越的性能和可靠性,成為高功率應用的理想選擇。 產品
2025-06-19 16:56:42530

揚杰電子MG35P12E1A IGBT模塊:高效能電力電子解決方案

在當今工業自動化和電力電子領域,高效、可靠的功率半導體器件是各類設備穩定運行的核心。揚杰電子推出的MG35P12E1A IGBT模塊,正是為滿足這一需求而設計的高性能解決方案。這款模塊集成了絕緣柵雙
2025-06-18 17:52:14645

熱泵與空調全面跨入SiC碳化硅功率半導體時代:能效革命與產業升級

傳統IGBT,成為高效節能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著能效的躍升,更將重塑產業競爭格局。 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片,SiC功率模塊驅動
2025-06-09 07:07:17727

什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應用哪里?

IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領域核心開關器件,通過柵極電壓控制導通狀態: ? 結構特性 ?:融合
2025-05-26 14:37:052284

部分外資廠商IGBT模塊失效報告作假對中國功率模塊市場的深遠影響

部分IGBT模塊廠商失效報告作假的根本原因及其對中國功率模塊市場的深遠影響,可以從技術、商業、行業競爭等多維度分析,并結合中國功率模塊市場的動態變化進行綜合評估: 一、失效報告作假的根本原因 技術
2025-05-23 08:37:56801

從清華大學到鎵未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!

從清華大學到鎵未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)在第三代半導體行業異軍突起,憑借領先的氮化鎵(GaN)技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02

國產SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性

國產SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
2025-05-18 14:52:081323

比亞迪半導體亮相PCIM Europe 2025

近日,全球功率電子行業盛會PCIM Europe 2025在德國紐倫堡開幕。作為中國功率半導體領域的領軍企業,比亞迪半導體攜多款功率半導體元件及模塊、傳感器產品及系統解決方案亮相,產品覆蓋汽車、工業、新能源等應用領域。
2025-05-14 17:09:291455

聞泰科技半導體業務IGBT驅動能效升級

隨著新能源汽車、工業自動化、可再生能源的快速發展,IGBT的市場需求持續增長。聞泰科技半導體業務積極布局IGBT領域,迎接廣闊發展機遇,為未來增長提供動力。
2025-05-14 09:51:23896

控丹佛斯功率模塊助力SMA光伏方案

SiC MOSFETs的控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺,旨在進一步提高電網的效率和穩定性。
2025-05-12 13:37:23805

控丹佛斯與中車時代半導體簽署合作備忘錄

近日,全球領先的電力電子供應商控丹佛斯與創新型芯片研發制造商中車時代半導體宣布簽署合作備忘錄(MOU),雙方將在功率模塊芯片技術的開發與供應領域展開合作。
2025-05-09 11:30:24922

新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應用的新功率模塊

近日,英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊,旨在提升電動汽車及工業應用的效率和可靠性。這些優化的模塊不僅能夠降低能量損失,還能在極端環境下穩定運行,標志著電力電子技術的又一次進步
2025-05-06 14:08:48714

龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

功率器件快速發展的當下,如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統化設計能力,為工業逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅動力。
2025-04-29 14:43:471042

陸芯科技斬獲2024-2025電動車領域功率半導體年度明星產品獎

在剛剛落幕的CIAS 2025動力·能源與半導體大會上,陸芯科技憑借Hybrid-IGBT系列產品的卓越表現,一舉摘得【2024-2025功率半導體年度明星產品獎】!這一榮譽不僅是對陸芯科技創新能力的國際級認可,更是對其“以技術賦能產業”初心的強力背書。
2025-04-28 11:39:38896

納微半導體推出全新SiCPAK功率模塊

納微半導體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊,該模塊采用環氧樹脂灌封技術及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術,經過嚴格設計和驗證,適用于最嚴苛的高功率環境,重點確保可靠性與耐高溫
2025-04-22 17:06:39980

上汽英飛凌無錫擴建功率半導體項目 投資3.1億元提升產能!

近日,上汽英飛凌汽車功率半導體(上海)有限公司發布了關于其無錫擴建功率半導體模塊產線項目的環境影響評價(環評)公告。該項目的總投資額達到3.1億元人民幣,計劃選址于無錫分公司,旨在進一步提升其生
2025-04-21 11:57:13785

功率半導體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件,具有結構簡單、容量大、損耗低等優點,被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT功率模塊將MOSFET的高效和快速開關能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298

功率半導體國產化先鋒:長晶科技的創新與崛起

場浪潮中,長晶科技憑借其在功率半導體領域的技術突破與全產業鏈布局,成為國產化進程中的標桿企業。 技術創新:突破高端功率器件壁壘 長晶科技聚焦功率半導體核心器件,在MOSFET和IGBT兩大領域取得顯著成果。在消費電子領域
2025-04-09 17:25:321180

功率半導體與集成技術:開啟能源與智能新紀元

本文深入探討了功率半導體器件與功率集成技術的發展現狀,分析了其面臨的挑戰與機遇,并對未來發展趨勢進行了展望。功率半導體器件作為電能轉換與電路控制的核心,在新能源、工業控制、消費電子等領域發揮
2025-04-09 13:35:401445

碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導體之王?

半導體技術的不斷演進中,功率半導體器件作為電力電子系統的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT功率模塊作為當前市場上
2025-04-02 10:59:415531

IGBT模塊大規模失效爆雷看國產SiC模塊可靠性實驗的重要性

深度分析:從IGBT模塊可靠性問題看國產SiC模塊可靠性實驗的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導致國內光伏逆變器廠商損失數億元,這一案例凸顯了功率半導體模塊可靠性測試的極端重要性。國產SiC
2025-03-31 07:04:501316

MOSFET與IGBT的區別

的主要因素,討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。 SMPS的進展一直以來,離線式SMPS產業由功率半導體產業的功率元件發展所推動。作為主要的功率開關器件IGBT功率MOSFET和功率二極管正不斷
2025-03-25 13:43:17

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列。
2025-03-19 14:31:281103

IGBT模塊封裝:高效散熱,可靠性再升級!

在電力電子領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊作為關鍵的功率半導體器件,扮演著至關重要的角色。其封裝技術不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使用壽命,還關系到整個電力電子系統的效率和穩定性
2025-03-18 10:14:051536

第三代功率半導體廠商納微半導體榮獲領益智造“金石供應商”稱號

? 日前,廣東領益智造股份有限公司(簡稱“領益智造”)2025年供應商大會于廣東深圳領益大廈成功召開。納微達斯(無錫)半導體有限公司(簡稱“納微半導體”)憑借領先的第三代功率半導體技術,與領益智造
2025-03-14 11:51:043894

全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767

見證功率半導體歷史:SiC碳化硅MOSFET價格首次低于IGBT

進入2025年以來,全行業出現SiC碳化硅MOSFET價格開始低于傳統IGBT的現象,比行業認知提前十幾年見證功率半導體歷史拐點:SiC碳化硅MOSFET價格開始低于IGBT!主要源于技術突破、產能
2025-03-03 16:28:221386

華大半導體與湖南大學成功舉辦SiC功率半導體技術研討會

近日,華大半導體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導體技術研討會,共同探討SiC功率半導體在設計、制造、材料等領域的最新進展及挑戰。
2025-02-28 17:33:531172

優恩半導體推出多功能電源保護模塊

優恩半導體(UNSEMI)推出的多功能電源保護模塊,專為工業電源在應用中可能會遇到的各種復雜問題而設計。
2025-02-19 14:42:01995

功率半導體驅動電源設計(一)綜述

工業應用中,功率半導體的驅動電源功率不大,設計看似簡單,但要設計出簡單低成本的電路并不容易,主要難點有幾點:1電路要求簡潔,占用線路板面積要小一個EasyPACK2B1200V100A六單元IGBT
2025-02-14 18:02:56826

華潤微電子推出多領域應用功率模塊新品

、白電等領域。 據悉,隨著科技的飛速進步,5G通信、人工智能、新能源等諸多新興領域展現出蓬勃發展態勢,帶動功率半導體市場需求持續提升。特別是在汽車電子、工業控制等領域,功率模塊逐漸成為“新寵”。 以新能源汽車為例,中汽協最新發布的數據顯
2025-02-14 11:04:01995

功率半導體展 聚焦 APSME 2025,共探功率半導體發展新征程

2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館舉辦;展會將匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場,打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺,集中展示半導體器件、功率模塊、第三代半導體、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、散熱管理等熱門產品
2025-02-13 11:49:01742

高頻感應電源國產SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾佳
2025-02-10 09:41:151007

高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾
2025-02-09 20:17:291126

濕度大揭秘!如何影響功率半導體器件芯片焊料熱阻?

近年來,隨著電力電子技術的快速發展,功率半導體器件在風力發電、光伏發電、電動汽車等戶外工況中的應用日益廣泛。然而,這些戶外環境往往伴隨著較高的濕度,這對功率半導體器件的運行可靠性構成了嚴峻挑戰
2025-02-07 11:32:251527

意法半導體新能源功率器件解決方案

在《意法半導體新能源功率解決方案:從產品到應用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關領域的應用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640

意法半導體推出250W MasterGaN參考設計

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計,意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的諧振轉換器參考設計。
2025-02-06 11:31:151132

儲能變流器PCS中碳化硅功率模塊全面取代IGBT模塊

在儲能變流器(PCS)中,碳化硅(SiC)功率模塊全面取代傳統IGBT模塊的趨勢主要源于其顯著的技術優勢、成本效益以及系統級性能提升。SiC模塊在PCS中取代IGBT的核心邏輯在于:高頻高效降低系統
2025-02-05 14:37:121184

第三代寬禁帶功率半導體的應用

本文介紹第三代寬禁帶功率半導體的應用 在電動汽車的核心部件中,車用功率模塊(當前主流技術為IGBT)占據著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅動系統的關鍵性能,還占據了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150

瑤華半導體:引領大功率射頻封測技術,助力5G與能源應用

無線通信的有效傳輸。作為大功率射頻功放器件封測的領先企業, 瑤華半導體 憑借強大的技術實力與創新能力,已在行業中獲得廣泛認可,成為通信與能源應用領域的重要合作伙伴。 01 關于瑤華半導體 瑤華半導體專注于LDMOS、GaN等大功率射頻空腔器件以及IGBT
2025-01-14 09:22:181813

功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819

意法半導體STGAP3S系列電隔離柵極驅動器概述

意法半導體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。
2025-01-09 14:48:331278

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件的功率端子

/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328

英諾科登陸港交所,氮化鎵功率半導體領域明星企業閃耀登場

近日,全球氮化鎵(GaN)功率半導體領域的佼佼者英諾科(2577.HK)成功登陸港交所主板,為港股市場增添了一枚稀缺且優質的投資標的。 英諾科作為全球首家實現量產8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司,其在
2025-01-06 11:29:141123

已全部加載完成