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電子發燒友網>汽車電子>基于EconoDUAL 3設計的600A/1200V汽車驅動

基于EconoDUAL 3設計的600A/1200V汽車驅動

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1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數據手冊

電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:11:310

1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數據手冊

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2024-04-10 17:14:080

1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數據手冊

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2024-04-10 17:16:100

1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數據手冊

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2024-04-10 18:02:380

1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120SA數據手冊

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2024-04-10 18:05:173

納芯微發布首款1200V SiC MOSFET

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規與工規兩種
2024-04-17 13:37:49873

先導中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品

在成功發布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導中心再度展現了其技術實力,推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
2024-05-09 14:25:261354

Nexperia發布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司推出了業界領先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695

英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產品及其在中高壓級聯變頻器和靜止無功發生器中的仿真研究

了上一代最大電流等級600A的產品FF600R17ME4在MVD和SVG中的典型應用,然后介紹了1700V IGBT7的芯片特性和EconoDULA? 3模塊的性能優化。通過與FF600
2024-05-31 15:22:381195

納微正式發布第三代快速(G3F)650V1200V碳化硅MOSFETs產品系列

氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導體行業領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)正式發布第三代快速(G3F)650V1200V碳化硅MOSFETs產品系列,為實現最快的開關速度、最高的效率和功率密度的增進進行優化,將應用于AI數據中心電源、車載充電器(OBCs)、電動汽車超級充電樁以
2024-06-11 15:46:171561

新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產品擴展

和柵極驅動電壓窗口方面性能得到了改善。現可提供2.9mΩ1200V新規格,帶或不帶熱界面材料(TIM)。相關產品:FF3MR12KM1H2.9mΩ,1200V62mm
2024-06-26 08:14:271230

新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊

的功率密度和更長的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產品組合新增了1700V電壓等級的900A模塊。產品型號:FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431057

2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

1200V三相全橋碳化硅功率模塊,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V,工作頻率可達30kHz,輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優勢,性價比超國外產品,適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動、光伏風能發電等領域。
2024-09-18 17:18:171724

采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機驅動

的EiceDRIVER?緊湊型單通道隔離柵極驅動器1ED3122MC12H。 ■? 產品型號: REF-DR3KIMBGSIC2MA ■? 所用器件: SiC MOSFET: IMBG120R040M2H 40mΩ 1200V 柵極驅動
2024-10-29 17:41:42940

ROHM推出第四代1200V IGBT

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用,開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3
2024-11-13 13:55:451374

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結構,并通過可以控制
2024-11-14 14:59:192867

瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)MOSFET產品,具有低損耗、散熱性強等特點,讓系統設計更緊湊、更高效,組裝時能自動化生產。
2024-11-27 14:58:201445

森國科推出全新1200V/25A IGBT

森國科推出的1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強,當實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應,短路時間極短,僅5μs,最大工作結溫擴大到175℃,有助于延長產品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281123

MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模塊,助力實現尺寸更小,效率更高的工業設備

東芝兩款全新碳化硅(SiC)MOSFET雙模塊---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者額定電壓為1200V,額定漏極電流為600A;后者額定電壓為1700V,額定漏極電流為400A
2024-12-17 15:43:30636

新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強型1代、集成NTC溫度傳感器
2025-04-17 17:05:15805

龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速發展的當下,如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統化設計能力,為工業逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅動力。
2025-04-29 14:43:471044

新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發射極IGBT模塊

新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術,電流等級涵蓋75A
2025-05-13 17:04:461315

聞泰科技推出車規級1200V SiC MOSFET

在全球新能源汽車加速普及的今天,續航短、充電慢成為行業發展瓶頸。為突破這兩大痛點,高功率電壓系統對1200V耐壓功率芯片的需求愈發迫切,1200V SiC功率器件成為行業競相攻堅的焦點。在這一趨勢下
2025-05-14 17:55:021064

新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊,增強型1代M1H芯片、集成NTC
2025-06-10 17:06:211301

瞻芯電子第31200V 35mΩ SiC MOSFET量產交付應用

近期,中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發的首批第31200V SiC 35mΩ MOSFET產品,憑借優秀的性能與品質贏得多家重要客戶訂單,已量產交付近200萬顆,為應用系統提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231049

新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

CoolSiCMOSFET技術1200V、17mΩ,配備NTC和PressFIT壓接技術。另一個模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術1200V、100A,配備
2025-07-31 17:04:34837

英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎

11月25日,英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半導體
2025-11-26 09:32:50573

2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V半橋柵極驅動器的卓越之選

2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V半橋柵極驅動器的卓越之選 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的柵極驅動器至關重要。今天,我們就來深入探討英飛凌(Infineon)的兩款出色
2025-12-20 11:15:12666

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅動器的卓越之選

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅動器的卓越之選 在電力電子領域,對于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制一直是工程師們關注的焦點。今天,我們就來
2025-12-20 11:30:021310

6ED2230S12T:1200V三相柵極驅動器的卓越之選

6ED2230S12T:1200V三相柵極驅動器的卓越之選 在電力電子領域,高效可靠的柵極驅動器是實現高性能功率轉換系統的關鍵。今天,我們就來深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-20 14:20:09589

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域,柵極驅動器是驅動功率半導體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02660

1200V CoolSiC? MOSFET評估平臺:設計與應用全解析

1200V CoolSiC? MOSFET評估平臺:設計與應用全解析 作為電子工程師,我們總是在尋找性能更優、效率更高的器件和評估平臺,以滿足不斷發展的電子系統需求。今天就來深入探討一下英飛凌
2025-12-21 10:45:06472

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