～開關損耗降低85％，大幅減少了工業設備等的功率損耗～

　　日本知名半導體制造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產。該產品的內置功率半導體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構成。

　　此產品安裝在工業設備和太陽能電池等中負責電力轉換的變頻器、轉換器上，與普通的Si（硅）材質的IGBT模塊相比，具備以下優勢，有效解決了世界能源和資源等地球環境問題。

　　●開關損耗降低85％

　　●與傳統的400A級別的Si-IGBT模塊相替換時，體積減小約50％

　　●損耗低，因此發熱少，可減小冷卻裝置體積，從而可實現設備整體的小型化

　　本產品計劃在羅姆總部工廠（京都市）從3月份下旬開始量產、出貨。

　　近年來，在工業設備和太陽能電池、電動汽車、鐵路等電力電子技術領域，與Si元件相比，電力轉換時損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實際應用備受期待。

　　根據估算，將傳統的Si半導體全部替換為SiC后的節能效果，僅在日本國內就相當于4座核電站的發電量※2，因此，各公司都已強化了相關研究開發。在這種背景下，羅姆于2010年在世界上率先成功實現了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產，在行業中遙遙領先。

　　與此同時，關于“全SiC”模塊，即所內置的功率元件全部將Si替換為SiC，多年來，雖然全世界的制造商多方試制，但在可靠性上存在諸多課題，一直無法實現量產。

　　※1：根據羅姆的調查（截止2012年3月22日）

　　※2：根據日本工程振興協會（ENAA）的調查：截止2020年日本國內主要領域都導入了SiC功率元件的情況下

　　（按1座100萬kW級的核電站＝8.8TWh/年估算）

　　此次，通過羅姆開發出的獨創的缺陷控制技術和篩選法，使可靠性得以確保。另外，針對SiC制備過程中特有的1700℃高溫工序，為了防止其發生特性劣化，羅姆開發了控制技術，于世界首家確立了“全SiC”功率模塊的量產體制。

　　內置最先進的SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種元件，與傳統的Si-IGBT模塊相比，可以將電力轉換時的損耗降低85％。另外，與IGBT模塊相比，在10倍于其的頻率－100kHz以上的高頻環境下工作成為可能。該產品的額定電流為100A，通過高速開關和低損耗化，可以與額定電流為200～400A的Si-IGBT模塊進行替換。

　　不僅如此，通過設計和工藝的改善，羅姆還成功開發出散熱性卓越的模塊。替換傳統的400A級別的Si-IGBT模塊時，體積可減小約50％。由于損耗低，因此發熱少，可減小外置的冷卻裝置體積，從而非常有助于設備整體的小型化。

　　羅姆將以SiC為首的功率元件事業作為發展戰略之一定位，今后，加強實現更高耐壓、更大電流的SiC元件/模塊的產品陣容的同時，不斷推進完善SiC 溝槽式MOSFET和SiC-IPM（智能電源模塊）等SiC相關產品的陣容與量產化。

　　＜特點＞

　　開關損耗降低85％

　　內置了最先進的SiC-SBD與SiC-MOSFET的“全SiC”模塊，與傳統的Si-IGBT相比，開關損耗可降低85％。

　　實現小型、輕薄封裝

　　通過設計和工藝改善，成功開發出散熱性卓越的模塊。大大有助于設備的小型化需求。

　　＜電路圖＞

　　＜術語解說＞

　　?IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor的簡稱）

　　絕緣柵雙極晶體管。給柵極安裝了MOSFET的雙極晶體管。

　　?MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的簡稱）

　　金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最被普遍使用的結構。作為開關元件使用。

　　?SBD（肖特基勢壘二極管Schottky Barrier Diode　的簡稱）

　　使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結，利用其可得到整流性（二極管特性）的二極管。具有“無少數載流子存儲效應，高速性能卓越”的特點。

　　【關于羅姆（ROHM）】

　　羅姆（ROHM）是全球著名半導體廠商之一，創立于1958年，是總部位于日本京都市的跨國集團公司。“品質第一”是羅姆的一貫方針。我們始終將產品質量放在第一位。無論遇到多大的困難，都將為國內外用戶源源不斷地提供大量優質產品，并為文化的進步與提高作出貢獻。

　　歷經半個多世紀的發展，羅姆的生產、銷售、研發網絡遍及世界各地。產品涉及多個領域，其中包括IC、分立半導體、光學半導體、被動元件以及模塊產品。在世界電子行業中，羅姆的眾多高品質產品得到了市場的許可和贊許，成為系統IC和最新半導體技術方面首屈一指的主導企業。

　　羅姆十分重視中國市場，已陸續在全國設立多家代表機構，在大連和天津先后開設工廠，并在上海和深圳設立技術中心和品質保證中心提供技術和品質支持。

　　【關于羅姆（ROHM）在華業務的發展】

　　作為在中國市場的銷售基地，最早于1974年成立了羅姆半導體香港有限公司，隨后，隨著中國電子市場的擴大，在1999年成立了羅姆半導體（上海）有限公司，2003年成立了羅姆半導體貿易（大連）有限公司，2006年成立了羅姆半導體（深圳）有限公司，至今已形成了以這4家銷售公司和18家分公司為結構的銷售網絡（分公司：北京、天津、青島、長春、南京、無錫、蘇州、杭州、寧波、西安、武漢、東莞、廣州、惠州、廈門、珠海、成都、重慶）。

　　并且，作為技術支持基地，1993年開設了香港技術中心，2000年開設了上海技術中心，2006年開設了深圳技術中心。作為生產基地，1993年在天津（羅姆半導體（中國）有限公司）和大連（羅姆電子大連有限公司）分別建立了生產工廠。在天津進行晶體管、二極管、LED、半導體激光、LED顯示器的生產、在大連進行電源模塊、熱敏打印頭、多線傳感頭、光電模塊的生產，作為羅姆半導體集團的主力生產基地，源源不斷地向中國國內外提供高品質產品。

　　此外，作為社會貢獻活動中的一環，羅姆還致力于與國內外眾多研究機關和企業加強合作，積極推進產學研聯合的研發活動。2006年與清華大學簽訂了產學聯合框架協議，積極地展開關于電子元器件最尖端技術開發的產學聯合。

　　2008年，在清華大學內由羅姆捐資（建設費約20億日元）建設“清華羅姆電子工程館”，并已于2011年4月竣工。 除清華大學之外，羅姆還與西安交通大學、電子科技大學、浙江大學和同濟大學等高校進行產學合作，不斷結出豐碩成果。

　　起初，羅姆進入中國市場的目的是為日本以及歐美、韓國等電子產品制造商的中國生產基地提供周到的銷售支持、產品供給，以此展開業務。但是隨著中國經濟的發展，中國電子市場的壯大，正在面向發展壯大起來的中國電子制造商建立積極的和銷售體制。

　　為了迅速且準確應對不斷擴大的中國市場的要求，在中國構建了與羅姆日本同樣的集開發、銷售、制造與一體的一條龍體制。特別加強應對內陸地區，于2010年下半期至今新開設了西安、成都、重慶、武漢、長春５家分公司。并且，計劃在今后以本地工程師為中心，將各設計中心的開發人員和FAE人數增倍。