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電子發燒友網>汽車電子>ROHM新推基于AEC-Q101標準的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

ROHM新推基于AEC-Q101標準的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

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Littelfuse宣布新符合AEC-Q101標準的瞬態抑制二極管陣列系列

Littelfuse, Inc.,作為全球電路保護領域的領先企業,宣布新符合AEC-Q101標準的瞬態抑制二極管陣列系列,該系列產品經過優化,可保護敏感的電信端口免因靜電放電 (ESD) 和雷擊
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高頻應用的高能效 新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6發布

新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關頻率在15kHz以上的硬開關和諧振拓撲而設計,可滿足其對更高能效以及更低導通損耗和開關損耗的要求.
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深入分析了650V1200V第三代溝槽MOSFET

ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V1200V產品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
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AEC-Q101汽車電子基于離散半導體元件應力測試認證的失效機理中文標準

本文檔的主要內容詳細介紹的是AEC-Q101基于離散半導體元件應力測試認證的失效機理中文標準規范。
2018-10-25 08:00:0039

羅姆推車1200V耐壓IGBT 應對電動汽車需求

據外媒報道,最近,日本羅姆半導體公司(ROHM)宣布新增兩1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內的逆變器,以及正溫度系數(PTC)加熱器中的開關電路。
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滿足AEC-Q101標準車載1200V耐壓IGBTRGS系列

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBTRGS系列”產品。
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關于1200V耐壓IGBTRGS系列”性能分析

電流流過PTC元件使之產生熱量。低溫時會流過大電流,產生大量熱量,隨著發熱量的增加,電阻值增大,電流受限,從而抑制發熱量。利用這些特性,可加熱空氣和水,并使之循環,從而成為制熱的熱源。
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淺談AEC-Q101認證標準

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2021-05-20 11:50:386819

Power Integrations推出通過AEC-Q101汽車級認證的200V Qspeed二極管

– 現已通過AEC-Q101汽車級認證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術,可在軟開關和低反向恢復電荷(Qrr)之間提供獨特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲,這對于車載音響系統特別重要。
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ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET,單位面積的導通電阻降低了約40%

在這種背景下,ROHM于2010年在全球率先開始了SiC MOSFET的量產。ROHM很早就開始加強符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的產品陣容,并在車載充電器(On Board
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ROHM新推出IGBTRGS系列”產品

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBTRGS系列產品。該系列產品非常適用于電動壓縮機※2)的逆變器電路
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IGBT電動汽車空調有哪些關鍵技術

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Microchip推出700和1200V碳化硅肖特基勢壘二極管

)今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)功率器件,為電動汽車(EV)系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案,同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。 Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證,對于需要在提高系統效率的同時保持高質
2020-11-05 10:20:352091

ROHM開發出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列

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瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規級認證

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2022-11-08 14:45:161791

AEC Q102(一文讀懂車規級AEC-Q認證)

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2023-01-29 11:04:434123

RGS系列:支持AEC-Q101車載1200V耐壓IGBT

ROHM新開發的“RGS系列”是滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q1011200V耐壓IGBT。此次推出的4型號,傳導損耗非常低,非常有助于應用的小型化與高效化。
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滿足AEC-Q101標準的SiC MOSFET又增10個型號,業界豐富的產品陣容!

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉換器,又推出10SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產品“支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101”,而且共有13型號,擁有業界豐富的產品陣容。
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白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

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2023-02-17 19:53:033

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2023-02-17 20:08:503

國產SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規認證

2022年11月,上海瞻芯電子開發的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101),該產品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達111A。
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配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:511651

什么是AEC-Q101認證?——華碧實驗室

AEC-Q101認證對象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:012335

功率器件AEC-Q101如何選擇測試項目?認證準備及流程有哪些?

AEC-Q101標準是用于分立半導體器件的,標準全稱:Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:086305

AEC - Q200 - Rev E,2023年3月20日,AEC發布了最新的無源元件AEC-Q200車規認證標準

器件的標準為 [AEC-Q101],針對于LED的標準為 [AEC-Q102],針對于被動元件設計為[AEC-Q200],AEC-Q104(多芯
2023-06-16 14:32:533393

符合AEC-Q101認證的車規級瞬態抑制二極管的特性及應用

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車規級AEC-Q認證技術的發展及標準的進化

AEC-Q100、AEC-Q101AEC-Q200這三個標準是最早制訂的、也最常被引用的AEC-Q標準。在AEC網站上的“文檔”頁面列出了37個標準和子標準,其中七個被列為“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:552778

AEC Q101中文版及內容解讀(正文部分)

是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過來是基于失效機制對汽車領域應用中分立半導體器件的認證測試AEC-Q101最新的版本是Rev_E,發布于2021年3月
2023-01-13 10:00:294638

AEC-Q101的認證對象和測試項目

USAEC-Q101認證的概念AEC-Q101:車分立半導體元器件的基于失效機理的應力測試驗證。半導體分立器件被廣泛應用到消費電子、計算機及外設、網絡通信、汽車電子、LED顯示屏等領域,而汽車領域
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瞻芯電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產,助力高密高效功率變換

瞻芯電子正式量產了一TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV1Q12160D7Z),該產品通過了嚴格的車規級可靠性測試認證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:487870

車規芯片的AEC-Q100測試標準

AEC其實是Automotive Electronics Council汽車電子協會的簡稱,并且AECQ標準包括以下幾個領域,對于不同領域的電子器件,適用于不同的標準。目前見到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:169224

什么是AEC-Q的發展前景和認證對象?

進入汽車領域,打入各一級(Tier1)汽車電子大廠供應鏈,必須取得兩張門票,一張是由北美汽車產業所AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(分立半導
2023-08-25 08:28:091727

AEC-Q101 標準之TC解讀

AEC-Q101標準之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環測試意義在于證實極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時,機械應力對于器件焊接性能的作用,標準AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:504157

安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規全部測試

安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:451376

AEC-Q101功率循環測試 簡介

功率循環測試-簡介功率循環測試是一種功率半導體器件的可靠性測試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規級測試標準內的必測項目。相對于溫度循環測試,功率循環通過在器件內運行的芯片發熱使器件
2023-09-10 08:27:592842

MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

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2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規級認證

是車規元器件重要的認證標準之一。對于1200V耐壓器件,AEC-Q101在H3TRB(高溫高濕反偏試驗)考核標準耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB(高壓高溫高
2023-10-24 15:52:321851

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規級認證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:101484

AEC-Q100 H版標準學習

經過10 多年的發展,AEC-Q-100 已經成為汽車電子系統的通用標準。在AEC-Q-100 之后又陸續制定了針對離散組件的AEC-Q-101 和針對被動組件的AEC-Q-200 等規范,以及AEC-Q001/Q002/Q003/Q004 等指導性原則。
2023-11-13 16:16:542760

蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規級可靠性認證

蓉矽半導體近日宣布,其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯
2024-03-12 11:06:301587

蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付。
2024-03-12 17:18:212547

SGS為安芯電子、安美半導體頒發了AEC-Q101認證證書

2024年3月22日, 國際公認的測試、檢測和認證機構SGS為安芯電子科技股份有限公司(以下簡稱“安芯電子”)及其子公司安徽安美半導體有限公司(以下簡稱“安美半導體”)頒發了AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:21:552152

SGS為華微電子頒發AEC-Q101認證證書

近日,國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:25:561834

瞻芯電子推出一車規級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日,瞻芯電子正式推出一車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規級可靠性認證。
2024-04-07 11:37:323562

1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數據手冊

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2024-04-10 15:23:450

1200V 25A溝槽和場阻IGBT JJT25N120SE數據手冊

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2024-04-10 16:59:080

1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數據手冊

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1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數據手冊

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1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數據手冊

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2024-04-10 17:16:100

1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數據手冊

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2024-04-10 18:02:380

1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120SA數據手冊

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2024-04-10 18:05:173

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582253

瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規級可靠性測試認證

近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品(IV3Q12013T4Z)通過了車規級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201947

車載SiC MOSFET又增10個型號,業界豐富的產品陣容!

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉換器,又推出10SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【 關鍵詞 】 滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101SiC?MOSFET
2024-08-25 23:30:22762

基本半導體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規級認證

近日,基本半導體自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規級可靠性認證,產品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環境下的嚴苛要求,至此公司獲車規級認證的碳化硅功率器件產品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191573

ROHM推出第1200V IGBT

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用,開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結構,并通過可以控制
2024-11-14 14:59:192867

多芯片組件AEC-Q104規范

)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q200(被動組件)。而AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)為近期較新的汽車電子規范。AEC測試條件雖然
2024-11-21 16:41:561792

森國科推出全新1200V/25A IGBT

森國科推出的1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強,當實際電流是標準電流的倍時無閂鎖效應,短路時間極短,僅5μs,最大工作結溫擴大到175℃,有助于延長產品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281123

AEC-Q101標準下的分立半導體器件認證

電子部件標準,其成員包括全球的汽車制造商、電子模塊生產商和元器件供應商。AECQ101標準簡述AECQ101標準是一套針對汽車離散半導體元件的可靠性測試和認證標
2024-12-23 17:29:481190

AEC-Q101——HAST試驗介紹

C-Q101-2021標準在汽車行業中,電子器件的可靠性直接關系到車輛的性能和乘客的安全。隨著汽車電子化程度的不斷提高,對電子器件的質量和可靠性要求也越來越高。AEC-Q101-2021標準應運而生
2025-01-09 11:04:301467

新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

新品針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK2B模塊,采用六單元配置,通過AQG324認證。一個模塊采用
2025-07-31 17:04:34837

Nexperia推出符合AEC-Q101標準的新款100V MOSFET

Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗,導通電
2025-09-18 18:19:141112

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域,柵極驅動器是驅動功率半導體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02660

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