近日全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:54
2185 德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET(JFET)“CoolSiC產品群”,并在2012年5月8日~10日于德國舉行的電源技術展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
2140 美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的首款產品。
2012-05-18 09:25:34
1103 
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平臺采用
2012-11-17 10:40:17
1973 富士電機直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V,電流為500A,面積為320mm×170mm。在海外,該模塊已被用于2012年底上市的混合動力車(HEV),而在日本,將配備在預定2013年6月上市的HEV上。
2013-06-03 08:53:07
1818 業內最受歡迎的適用于AEC-Q101高溫應用的BAS16 / 21二極管和BC807 / 817晶體管。
2019-07-07 10:33:18
1394 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)最近,又有國內GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術。7月26日,宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發生產的藍寶石基GaN功率器件工作電壓達到1200V,已進入
2024-07-31 01:06:00
5182 (Gen3)1200V aSiC MOSFET系列產品,旨在為蓬勃發展的工業電源應用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產品相比,該系列產品在高負載條件下能夠保持較低導通損耗的同時,其開關品質因數
2025-05-07 10:56:10
728 
。尤其在高壓工作環境下,依然體現優異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性,也大幅度提高電氣設備的整體效率?! ‘a品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域?! ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
電壓(600V、1200V、1700V)均對應于常用電網的電壓等級。考慮到過載,電網波動,開關過程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結構、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
RD-354,參考設計使用FNA22512A 25A / 1200V,3.7 kW三相逆變器。該參考設計支持1200 V Motion SPM 2系列的設計
2020-07-18 12:23:30
RD-354,參考設計使用FNA23512A 35A / 1200V,5.5 kW三相逆變器。該參考設計支持1200 V Motion SPM 2系列的設計
2020-07-18 12:46:31
,1200V產品可支持50A的裸芯片。而且在進行1700V高耐壓產品的開發。下表為機型名中符號的意義及當前供應中的產品陣容一覽。此外,機型名的最后帶有HR的表示為支持車載產品,符合AEC-Q101標準
2018-12-04 10:09:17
RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管的開關特性參數RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的特點:·低集電極 - 發射極飽和壓降·短路耐受時間為8μs·符合AEC-Q101標準·內置
2019-04-09 06:20:10
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
對江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡稱中科君芯)針對焊機領域開發1200V系列產品性能、和國外主流器件的參數比對、實際焊機測試比對展開討論。1電路拓撲工業用焊接電源電路拓撲有半橋和全橋(圖1,圖2)兩種
2014-08-13 09:01:33
),AEC-Q101,AEC-Q200為最常見。其中AEC-Q100是AEC的第一個標準,AEC-Q100于1994年6月首次發表,現經過了十多年的發展,AEC-Q100已經成為汽車電子系統的通用標準。對于車
2019-07-18 13:19:45
AEC-Q101認證的車規級TVS管SM8ZXXA/CA系列,產品系列齊全,以滿足不同標準要求的客戶需求。特性:[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽車標準AEC-Q101認證;[size
2019-03-28 10:45:32
,RGWxx65C系列在替換現有的IGBT時,基本不需要改變電路板或元器件常數等,因此可以輕松且高性價比地提高效率。符合AEC-Q101標準的車載級高可靠性IGBTRGWxx65C系列符合汽車電子產品可靠性標準
2022-07-27 10:27:04
2ED250E12-F_EVAL,2ED250E12-F評估驅動板的開發是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進行首次設計時為其提供支持。評估驅動板是一個功能齊全的IGBT模塊驅動器,其中兩個1ED020I12-F驅動器IC過程控制和反饋信號并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保護器是符合AEC-Q101標準的浪涌保護器,適用于汽車應用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封裝,設有雙路
2021-01-27 10:11:12
)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)、AEC-Q200(被動組件)。其測試條件雖然比消費型芯片規范嚴苛,但測試條件仍以JEDEC或
2018-09-06 17:05:17
AEC-Q101認證試驗廣電計量在SiC第三代半導體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰經驗,為您提供專業可靠的AEC-Q101認證服務,同時,我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST
2024-01-29 21:35:04
IR針對汽車應用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32
955 華潤上華已開發完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺,各項參數均達到設計要求,成功進入Trench IGBT代工市場。
2011-03-31 09:23:06
1844 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平臺利用IR新一代溝道閘極場截止技術,為工業及節能
2012-11-21 09:39:40
3388 賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出通過AEC-Q101認證
2013-12-13 15:07:13
1158 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩顆用于汽車和工業應用的經AEC-Q101認證的表面貼裝光傳感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
2016-04-13 14:20:02
935 驅動IGBT 1200V模塊的輔助電源(3 W反激式),感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:45
34 Vishay宣布,推出業內首批通過AEC-Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,可在汽車應用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:17
1295 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設計_陳天
2017-01-08 14:36:35
7 現已符合AEC-Q101資格,證明這些電子組件符合用于汽車市場的主要標準。美高森美的DQ二極管取得AEC-Q101資格,意味著汽車原始設備制造商(OEM)以及一級和其他供應商能夠在各種車載應用中使用這款產品。
2017-06-19 10:20:29
979 Littelfuse, Inc.,作為全球電路保護領域的領先企業,宣布新推符合AEC-Q101標準的瞬態抑制二極管陣列系列,該系列產品經過優化,可保護敏感的電信端口免因靜電放電 (ESD) 和雷擊
2018-05-03 17:59:00
1158 Littelfuse公司,近日宣布推出兩個符合AEC-Q101標準的瞬態抑制二極管陣列(SPA?二極管)系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔斷、高性能過電壓保護器件,最適合用于電源接口、乘客充電接口以及LED照明模塊和低速I/O。
2018-05-09 17:15:00
1442 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關頻率在15kHz以上的硬開關和諧振拓撲而設計,可滿足其對更高能效以及更低導通損耗和開關損耗的要求.
2018-07-11 11:28:57
5622 
本文檔的主要內容詳細介紹的是AEC-Q101基于離散半導體元件應力測試認證的失效機理中文標準規范。
2018-10-25 08:00:00
39 視頻簡介:這視頻介紹我們全新的Q0和Q2系列功率模塊,應用于太陽能逆變器,額定功率超過100kVA。Q0PACK模塊包括一個T-NPC拓撲結構,具有65A / 1200V IGBT、60A
2019-03-14 06:12:00
6116 
ROHM新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-13 18:30:57
1897 據外媒報道,最近,日本羅姆半導體公司(ROHM)宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內的逆變器,以及正溫度系數(PTC)加熱器中的開關電路。
2019-05-27 08:41:50
1845 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-29 15:15:50
5922 電流流過PTC元件使之產生熱量。低溫時會流過大電流,產生大量熱量,隨著發熱量的增加,電阻值增大,電流受限,從而抑制發熱量。利用這些特性,可加熱空氣和水,并使之循環,從而成為制熱用的熱源。
2019-08-22 09:29:17
5782 AECQ101主要對汽車分立器件,元器件標準規范要求,AECQ101認證將會是汽車級半導體企業的首選。AEC-Q101認證包含了離散半導體元件(如晶體管,二極管等)最低應力測試要求的定義和參考測試條件,目的是要確定一種器件在應用中能夠通過應力測試以及被認為能夠提供某種級別的品質和可靠性。
2021-05-20 11:50:38
6819 – 現已通過AEC-Q101汽車級認證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術,可在軟開關和低反向恢復電荷(Qrr)之間提供獨特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲,這對于車載音響系統特別重要。
2019-09-16 10:23:00
3615 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBTRGS系列產品。該系列產品非常適用于電動壓縮機※2)的逆變器電路
2020-09-18 16:57:09
3104 ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標準、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產品。該系列具有更低的傳導損耗,有助于提高應用產品的效率并實現小型化,是電動壓縮機的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-10-02 17:34:00
3421 
)今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)功率器件,為電動汽車(EV)系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案,同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。 Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證,對于需要在提高系統效率的同時保持高質
2020-11-05 10:20:35
2091 9月20日,廣州廣電計量檢測股份有限公司(簡稱:廣電計量)聯袂上海陸芯電子科技有限公司(簡稱:上海陸芯),于廣州順利舉行“廣電計量與上海陸芯合作交流會暨上海陸芯IGBT汽車級AEC-Q101驗證報告頒發儀式”。
2022-09-22 14:54:25
2254 值得一提的是,這款TO247-4封裝的產品通過AEC-Q101認證,同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進一步突破傳統單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16
1791 (Automotive Electronics Council,簡稱AEC)作為車規驗證標準,包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2023-01-29 11:04:43
4122 ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產品“支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101”,而且共有13款型號,擁有業界豐富的產品陣容。
2023-02-09 10:19:24
1521 
白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:03
3 白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:50
3 2022年11月,上海瞻芯電子開發的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101),該產品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:33
3850 
。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51
1651 
℃ AEC-Q101認證對象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:01
2333 
AEC-Q101標準是用于分立半導體器件的,標準全稱:Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:08
6304 
器件的標準為 [AEC-Q101],針對于LED的標準為 [AEC-Q102],針對于被動元件設計為[AEC-Q200],AEC-Q104(多芯
2023-06-16 14:32:53
3393 
Semiware推出符合AEC-Q101認證的車規級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護產品系列齊全,以滿足高標準的客戶需求.
2021-12-08 11:41:13
1463 
3月11日,國際獨立第三方檢測檢驗和認證機構德國萊茵TV(以下簡稱“TV萊茵”)向上海陸芯電子科技有限公司(以下簡稱“上海陸芯”)的第三代IGBT產品頒發了AEC-Q101認證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:39
2221 
AEC-Q100、AEC-Q101和AEC-Q200這三個標準是最早制訂的、也最常被引用的AEC-Q標準。在AEC網站上的“文檔”頁面列出了37個標準和子標準,其中七個被列為“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:55
2775 
是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過來是基于失效機制對汽車領域應用中分立半導體器件的認證測試AEC-Q101最新的版本是Rev_E,發布于2021年3月
2023-01-13 10:00:29
4638 
USAEC-Q101認證的概念AEC-Q101:車用分立半導體元器件的基于失效機理的應力測試驗證。半導體分立器件被廣泛應用到消費電子、計算機及外設、網絡通信、汽車電子、LED顯示屏等領域,而汽車領域
2023-01-13 10:02:03
2195 
瞻芯電子正式量產了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV1Q12160D7Z),該產品通過了嚴格的車規級可靠性測試認證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:48
7870 
AEC其實是Automotive Electronics Council汽車電子協會的簡稱,并且AECQ標準包括以下幾個領域,對于不同領域的電子器件,適用于不同的標準。目前見到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:16
9221 
進入汽車領域,打入各一級(Tier1)汽車電子大廠供應鏈,必須取得兩張門票,一張是由北美汽車產業所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(分立半導
2023-08-25 08:28:09
1727 
AEC-Q101標準之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環測試意義在于證實極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時,機械應力對于器件焊接性能的作用,標準AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:50
4157 
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45
1376 功率循環測試-簡介功率循環測試是一種功率半導體器件的可靠性測試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規級測試標準內的必測項目。相對于溫度循環測試,功率循環通過在器件內運行的芯片發熱使器件
2023-09-10 08:27:59
2842 
電子發燒友網站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:08
1 是車規元器件重要的認證標準之一。對于1200V耐壓器件,AEC-Q101在H3TRB(高溫高濕反偏試驗)考核標準中耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB(高壓高溫高
2023-10-24 15:52:32
1851 繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10
1484 
近日,芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構(廣電計量)全套AEC-Q101車規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V
2023-12-06 14:04:49
1019 
蓉矽半導體近日宣布,其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯
2024-03-12 11:06:30
1587 蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付。
2024-03-12 17:18:21
2547 
2024年3月22日, 國際公認的測試、檢測和認證機構SGS為安芯電子科技股份有限公司(以下簡稱“安芯電子”)及其子公司安徽安美半導體有限公司(以下簡稱“安美半導體”)頒發了AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:21:55
2151 近日,國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:25:56
1834 近日,瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規級可靠性認證。
2024-04-07 11:37:32
3562 
電子發燒友網站提供《1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:23:45
0 電子發燒友網站提供《1200V 25A溝槽和場阻IGBT JJT25N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 16:59:08
0 電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:11:31
0 電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:14:08
0 電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:16:10
0 電子發燒友網站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:02:38
0 電子發燒友網站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120SA數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:05:17
3 雷卯解析AEC-Q101與AEC-Q200
2024-06-12 08:02:58
2253 
近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品(IV3Q12013T4Z)通過了車規級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:20
1944 
SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產品“ 支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101 ”,而且共有13款型號,擁有業界豐富的產品陣容。 為了延長xEV的續航距離,要求車載充
2024-08-25 23:30:22
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近日,基本半導體自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規級可靠性認證,產品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環境下的嚴苛要求,至此公司獲車規級認證的碳化硅功率器件產品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:19
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強茂車用產品目錄Q3,2024 PDF版本上線啰!內含AEC-Q101認證的分離式器件,為您的汽車應用提供可靠性及最佳性能。
2024-09-29 10:27:04
1128 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用,開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:45
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本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結構,并通過可以控制
2024-11-14 14:59:19
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)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q200(被動組件)。而AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)為近期較新的汽車電子規范。AEC測試條件雖然
2024-11-21 16:41:56
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森國科推出的1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強,當實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應,短路時間極短,僅5μs,最大工作結溫擴大到175℃,有助于延長產品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:28
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電子部件標準,其成員包括全球的汽車制造商、電子模塊生產商和元器件供應商。AECQ101標準簡述AECQ101標準是一套針對汽車用離散半導體元件的可靠性測試和認證標
2024-12-23 17:29:48
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C-Q101-2021標準在汽車行業中,電子器件的可靠性直接關系到車輛的性能和乘客的安全。隨著汽車電子化程度的不斷提高,對電子器件的質量和可靠性要求也越來越高。AEC-Q101-2021標準應運而生
2025-01-09 11:04:30
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在功率器件快速發展的當下,如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統化設計能力,為工業逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅動力。
2025-04-29 14:43:47
1044 在全球新能源汽車加速普及的今天,續航短、充電慢成為行業發展瓶頸。為突破這兩大痛點,高功率電壓系統對1200V耐壓功率芯片的需求愈發迫切,1200V SiC功率器件成為行業競相攻堅的焦點。在這一趨勢下
2025-05-14 17:55:02
1063 新品針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK2B模塊,采用六單元配置,通過AQG324認證。一個模塊采用
2025-07-31 17:04:34
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Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗,導通電
2025-09-18 18:19:14
1112 6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域,柵極驅動器是驅動功率半導體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02
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