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電子發燒友網>模擬技術>RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

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關于1200V耐壓IGBTRGS系列”性能分析

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白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

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AEC-Q101認證對象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
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符合AEC-Q101認證的車規級瞬態抑制二極管的特性及應用

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車規級AEC-Q認證技術的發展及標準的進化

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瞻芯電子正式量產了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV1Q12160D7Z),該產品通過了嚴格的車規級可靠性測試認證(AEC-Q101)。
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進入汽車領域,打入各一級(Tier1)汽車電子大廠供應鏈,必須取得兩張門票,一張是由北美汽車產業所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(分立半導
2023-08-25 08:28:091727

AEC-Q101 標準之TC解讀

AEC-Q101標準之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環測試意義在于證實極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時,機械應力對于器件焊接性能的作用,標準AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:504157

安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規全部測試

安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:451376

AEC-Q101功率循環測試 簡介

功率循環測試-簡介功率循環測試是一種功率半導體器件的可靠性測試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規級測試標準內的必測項目。相對于溫度循環測試,功率循環通過在器件內運行的芯片發熱使器件
2023-09-10 08:27:592842

MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

電子發燒友網站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規級認證

是車規元器件重要的認證標準之一。對于1200V耐壓器件,AEC-Q101在H3TRB(高溫高濕反偏試驗)考核標準中耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB(高壓高溫高
2023-10-24 15:52:321851

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規級認證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:101484

芯塔電子SiC MOSFET通過車規級認證, 成功進入新能源汽車供應鏈!

近日,芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構(廣電計量)全套AEC-Q101車規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V
2023-12-06 14:04:491019

蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規級可靠性認證

蓉矽半導體近日宣布,其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯
2024-03-12 11:06:301587

蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付。
2024-03-12 17:18:212547

SGS為安芯電子、安美半導體頒發了AEC-Q101認證證書

2024年3月22日, 國際公認的測試、檢測和認證機構SGS為安芯電子科技股份有限公司(以下簡稱“安芯電子”)及其子公司安徽安美半導體有限公司(以下簡稱“安美半導體”)頒發了AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:21:552151

SGS為華微電子頒發AEC-Q101認證證書

近日,國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:25:561834

瞻芯電子推出一款車規級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日,瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規級可靠性認證。
2024-04-07 11:37:323562

1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數據手冊

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2024-04-10 15:23:450

1200V 25A溝槽和場阻IGBT JJT25N120SE數據手冊

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2024-04-10 16:59:080

1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數據手冊

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2024-04-10 17:11:310

1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數據手冊

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1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數據手冊

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2024-04-10 17:16:100

1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數據手冊

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2024-04-10 18:02:380

1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120SA數據手冊

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2024-04-10 18:05:173

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582253

瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規級可靠性測試認證

近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品(IV3Q12013T4Z)通過了車規級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201944

車載SiC MOSFET又增10個型號,業界豐富的產品陣容!

SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產品“ 支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101 ”,而且共有13款型號,擁有業界豐富的產品陣容。 為了延長xEV的續航距離,要求車載
2024-08-25 23:30:22762

基本半導體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規級認證

近日,基本半導體自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規級可靠性認證,產品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環境下的嚴苛要求,至此公司獲車規級認證的碳化硅功率器件產品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191572

強茂車產品目錄Q3,2024版本上線

強茂車產品目錄Q3,2024 PDF版本上線啰!內含AEC-Q101認證的分離式器件,為您的汽車應用提供可靠性及最佳性能。
2024-09-29 10:27:041128

ROHM推出第四代1200V IGBT

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用,開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結構,并通過可以控制
2024-11-14 14:59:192865

多芯片組件AEC-Q104規范

)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q200(被動組件)。而AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)為近期較新的汽車電子規范。AEC測試條件雖然
2024-11-21 16:41:561792

森國科推出全新1200V/25A IGBT

森國科推出的1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強,當實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應,短路時間極短,僅5μs,最大工作結溫擴大到175℃,有助于延長產品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281122

AEC-Q101標準下的分立半導體器件認證

電子部件標準,其成員包括全球的汽車制造商、電子模塊生產商和元器件供應商。AECQ101標準簡述AECQ101標準是一套針對汽車離散半導體元件的可靠性測試和認證標
2024-12-23 17:29:481190

AEC-Q101——HAST試驗介紹

C-Q101-2021標準在汽車行業中,電子器件的可靠性直接關系到車輛的性能和乘客的安全。隨著汽車電子化程度的不斷提高,對電子器件的質量和可靠性要求也越來越高。AEC-Q101-2021標準應運而生
2025-01-09 11:04:301467

龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速發展的當下,如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統化設計能力,為工業逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅動力。
2025-04-29 14:43:471044

聞泰科技推出車規級1200V SiC MOSFET

在全球新能源汽車加速普及的今天,續航短、充電慢成為行業發展瓶頸。為突破這兩大痛點,高功率電壓系統對1200V耐壓功率芯片的需求愈發迫切,1200V SiC功率器件成為行業競相攻堅的焦點。在這一趨勢下
2025-05-14 17:55:021063

新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

新品針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK2B模塊,采用六單元配置,通過AQG324認證。一個模塊采用
2025-07-31 17:04:34837

Nexperia推出符合AEC-Q101標準的新款100V MOSFET

Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗,導通電
2025-09-18 18:19:141112

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域,柵極驅動器是驅動功率半導體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658

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