長期以來，在功率應用方案中，熱管理一直是挑戰。當項目有空間放置大型的散熱器時，從電路板和半導體器件上將廢熱導出較為容易。然而，隨著輸出功率提升以及功率密度和電路密度的要求，散熱處理的難度越來越大。對于當今的大電流、高功率應用和650 V GaN功率場效應晶體管，通常需要更高效的器件散熱方式，甚至已成為強制性的要求。因此，頂部散熱方式的 CCPAK封裝，可以提供更佳散熱性能。

在大功率器件封裝中，最主要的散熱要素就是傳導路徑。對于傳統的SMD封裝，廢熱通過器件的底部散熱，將器件引腳和PCB作為散熱器使用。因為采用PCB進行散熱的能力是有限的，為提高底部散熱功率MOSFET的散熱性能，通常在鋪銅設計中，加入許多“過孔”，作為熱傳導的路徑。

熱傳播現象

在某些應用中，要求更高的散熱效率或者需要減少傳輸至PCB的熱量，尤其是大電流既高功率的項目。例如數據中心的電源、通信基站設施、在600V或更高電壓中作動的汽車系統。對于寬帶隙器件(WBG)?要求更高功率密度和更高的功率耗散，因此更具有挑戰性。在這種情況下，Nexperia 650 V GaN FET?頂部散熱的CCPAK?能夠大幅提高性能。通過對PCB布局和半導體器件進行散熱的優化，頂部散熱可實現更高的功率密度并延長系統壽命。

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CCPAK1212i – 輕松翻轉實現頂部散熱

由Nexperia開發的CCPAK封裝，專注于為650 V GaN HEMT?器件提供最優化的器件封裝。其中一個關鍵技術?使用銅夾片技術?Copper-Clip。如我之前在博客中討論的“CCPAK：銅夾片技術進入高壓應用”，在內部銅夾片設計中加入"支柱"，可解決這一個挑戰。不需要設計人員更改電路板的布局（使用外部連接時需要更改布局），這些內部支柱還提供一定程度的冗余、更出色的散熱性能和分布電阻。

采用CCPAK封裝，很容易翻轉器件的外部接腳，讓負責導熱的銅片外露在器件封裝頂部。然后，該外露的銅片可將芯片和PCB的廢熱更高效傳導出去。對于更大電流既更高功率的應用，可以通過絕緣導熱墊片連接到額外的散熱器。

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因此，采用Nexperia?頂部散熱?CCPAK1212i??650 V GaN FET?，可實現以下優點?，更快的切換速度，提升效率，縮小尺寸，減輕重量，最大限度降低總體系統成本，同時為?大電流/高功率項目的設計人員，提供更好的散熱效能。簡而言之，與底部散熱的器件相比，使用頂部散熱的Nexperia器件，可以實現更高的功率密度。

審核編輯：郭婷