GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術，開創了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時代。

基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。

經過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia 在提供大規模、高質量的銅夾片 SMD 封裝方面積累了豐富的專業知識，如今成功將這一突破性的封裝方案 CCPAK 應用于級聯氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia 對此感到非常自豪。GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術，開創了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時代。這項技術為太陽能和家用熱泵等可再生能源應用帶來諸多優勢，進一步加強了 Nexperia 為可持續應用開發前沿器件技術的承諾。該技術還適用于廣泛的工業應用，如伺服驅動器、開關模式電源(SMPS)、服務器和電信應用。

Nexperia 的創新型 CCPAK 封裝采用了 Nexperia 成熟的銅夾片封裝技術，無需內部焊線，從而可以減少寄生損耗，優化電氣和熱性能，并提高了器件的可靠性。為了更大限度地提升設計靈活性，CCPAK GaN FET 提供頂部或底部散熱配置，進一步改善散熱性能。

GAN039-650NTB 的級聯配置使其能夠提供出色的開關和導通性能，此外其穩健可靠的柵極結構可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡化應用設計，無需復雜的柵極驅動器和控制電路，只需使用標準硅 MOSFET 驅動器即可輕松驅動這些器件。Nexperia 的 GaN 技術提高了開關穩定性，并有助于將裸片尺寸縮小約 24%。此外，器件的 RDS(on) 在 25℃ 時僅為 33 mΩ（典型值），同時其具有較高的門極閾值電壓和較低的等效的體二極管導通壓降。

Nexperia 副總裁兼 GaN FET 業務部總經理 Carlos Castro 表示：

“Nexperia 深刻認識到，工業和可再生能源設備的設計人員需要一種高度穩健的開關解決方案，以便在進行功率轉換時實現出色的熱效率。因此 Nexperia 決定將其級聯 GaN FET 的優異開關性能與其 CCPAK 封裝的優越熱性能結合起來，為客戶提供杰出的解決方案。”

Nexperia 不斷豐富其 CCPAK 產品組合，目前已推出頂部散熱型 33 mΩ（典型值）、650 V GAN039-650NTB，很快還將推出底部散熱型版本 GAN039-650NBB，其 RDS(on) 與前者相同。







審核編輯：劉清