解讀DS90C363與DS90CF364：高帶寬FPD鏈路芯片組的卓越之選 在電子工程師的日常設計工作中，選擇合適的芯片組對于實現高效、穩定的系統至關重要。今天我們要深入探討的是德州儀器（TI
2026-01-04 14:50:03
50 探索DS90CR287/DS90CR288A：高性能LVDS芯片組的設計秘訣 在高速數據傳輸的領域中，如何高效、穩定地傳輸數據一直是電子工程師們面臨的核心挑戰。德州儀器（TI）的DS90CR287
2025-12-31 16:35:1275 和SN65LV1224B解串器組成的10位串行器/解串器芯片組，為10 MHz至66 MHz時鐘速度下的數據傳輸提供了高效的解決方案。下面我們將深入探討這一芯片組的特點、功能、應用以及設計要點。 文件下載
2025-12-29 15:50:0666 汽車電子利器：DS90UB901Q/DS90UB902Q芯片組深度解析 在汽車電子領域，攝像頭系統與主機控制器或電子控制單元（ECU）之間的數據傳輸至關重要。德州儀器（TI）的DS90UB901Q
2025-12-28 15:50:03423 汽車級FPD-Link II串行器和解串器芯片組DS90URxxx-Q1技術解析 作為電子工程師，在設計工作中，我們常常會遇到需要高效傳輸數據的場景，尤其是在汽車電子領域。今天就來和大家深入探討一下
2025-12-27 14:10:06391 深入解析DS90URxxx - Q1：高效FPD - Link II串行解串器芯片組 在電子設計領域，數據傳輸的高效性和穩定性一直是工程師們關注的焦點。DS90URxxx - Q1 5MHz 至
2025-12-26 09:25:09273 探索DS90UB901Q/DS90UB902Q：汽車應用的理想FPD - Link III芯片組 在汽車電子領域，數據傳輸的高效性、穩定性和可靠性至關重要。DS90UB901Q/DS902Q作為
2025-12-25 17:10:12310 解析DS92LV042x：高性能Channel Link II serializer和deserializer芯片組 在電子設計領域，數據傳輸的高效性、穩定性和抗干擾能力一直是工程師們關注的重點
2025-12-24 15:50:13129 離不開高效、可靠的數據傳輸與處理。德州儀器（TI）推出的DS90UB901Q/DS90UB902Q芯片組，憑借其卓越的性能，成為汽車視覺系統應用的理想選擇。今天，我們就來深入了解一下這款芯片組。 文件下載： ds90ub902q-q1.pdf 產品特性亮點 1. 數據傳輸能力強勁 芯片組支持10 MHz至43 M
2025-12-24 14:45:17169 探索DS92LX2121/DS92LX2122：高性能通道鏈路III芯片組的深度解析 在當今的電子設計領域，高速數據傳輸和可靠的通信接口是眾多應用的核心需求。德州儀器（TI）的DS92LX2121
2025-12-24 13:55:15131 產品應用多面性氮化鎵是半導體領域后起之秀中的“六邊形戰士”，綜合性能全面，而射頻應用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現，在高頻高功率場景中讓傳統硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54724 
探索DS90UR903Q/DS90UR904Q：FPD - Link II芯片組的卓越性能與應用 在電子工程師的日常工作中，選擇合適的芯片組對于實現高效、穩定的系統設計至關重要。今天，我們將深入探討
2025-12-24 10:10:06166 深度解析DS90UB91xQ-Q1：高性能FPD - Link III serializer與deserializer芯片組 在如今的電子設備設計中，視頻數據傳輸的高效性和可靠性至關重要
2025-12-23 16:15:12167 CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
汽車顯示屏利器：DLP5534-Q1芯片組深度解析 在汽車電子領域，顯示屏技術的發展日新月異。DLP5534-Q1汽車芯片組作為一款專為高性能透明窗口顯示投影儀設計的產品，正逐漸成為行業關注的焦點
2025-12-11 14:10:03459 可穩定控制在5微米以內。材料兼容性擅長切割砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)等射頻芯片常用化合物材料，并兼容硅、石英、玻璃、陶瓷等多種材料。核心技術與工藝采用空
2025-12-03 16:37:39259 
TGS2351-SM是Qorvo（原TriQuint）推出的一款采用氮化鎵（GaN）技術制造的單刀雙擲（SPDT）射頻開關芯片，具備高頻、高功率處理能力及快速切換特性，廣泛應用于雷達、通信系統等射頻
2025-11-28 09:59:47
在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步，打破車規級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 TGA4536-SM內容介紹： 今天我要向大家介紹的是 Qorvo 的一款放大器——TGA4536-SM。 它擁有強大的力量，能夠將微弱的信號放大
2025-11-21 14:58:23
Integrations（PI）正式推出其新一代半橋LLC諧振控制器芯片組——HiperLCS-2系列，并于近日推出基于HiperLCS-2 LLC芯片組的電動兩輪及三輪車充電器參考設計，為中高功率AC/DC轉換應用樹立了全新標桿。 ? HiperLCS-2并非單一芯片，而是一套高度集成的芯片組解決方案，包含
2025-11-17 07:45:004796 云鎵半導體云鎵半導體發布3kW無橋圖騰柱GaNPFC評估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術文檔將重點介紹基于云鎵半導體650VGaN器件的3kW無
2025-11-11 13:43:26816 
隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 ??恩智浦推出業界首款基于硬件級同步機制的電化學阻抗譜（EIS）技術電池管理系統芯片組，實現對高壓電池組內所有電芯的精準監測 ??將實驗室級診斷能力引入汽車應用，提升電池健康監測水平，以先進監測功能
2025-10-30 17:24:232474 
云鎵半導體在工業級GaN產品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驅動器產品。在應用DEMO上陸續展示了鈦金3000W服務器電源及600W微型逆變器。本文從器件參數、系統DEMO及驅動器角度全方位解讀云鎵工業級GaN產品系列。
2025-10-11 09:22:25
MAS系統遠程監控和自診斷功能，工程師可以輕松的對設備進行監控和維護，確保生產的連續性和穩定性，引領半導體制造企業向智能化、高效化方向大步邁進。
公司注重產品質量，更注重客戶服務滿意度及產品
2025-10-10 10:35:17
QTS12331-L L波段射頻信號采集記錄與回放系統 專業采集 精準回放 賦能衛星與雷達應用 坤馳科技推出高性能L波段射頻信號采集記錄與回放系統QT12331-L，專為衛星通信、雷達信號處理及軟件
2025-09-29 18:02:00881 
摩矽半導體：專耕半導體行業20年，推動半導體國產化進展！
2025-09-24 09:52:052102 
泉州海川半導體有限公司——SM5501規格書
2025-09-18 16:38:07
0 深耕高性能模擬及數模混合集成電路的高新技術企業，江蘇拓能此次突破，將第三代半導體氧化鎵的潛力注入工業電機領域，以“高頻、高效、高可靠”的技術優勢，推動制造業向“低碳智能”升級，為工業電機的能效革命提供全新范式。
2025-09-05 18:22:59828 AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化鎵高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT），選用陶瓷 BI 封裝，頻率范圍高達 12 GHz，適用于的L / S / C波段寬帶功率
2025-08-25 10:06:43
空間、降低研發生產成本，在小型家電中實現能效、空間與成本的優化平衡。
突破能效瓶頸，駕馭小型化浪潮！面對家電與工業驅動領域對高效率、極致緊湊、超強可靠性與成本控制的嚴苛需求，深愛半導體重磅推出
2025-07-23 14:36:03
為提供卓越的效率和功率密度，意法半導體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設計進程，推出了基于MasterGaN1L系統級封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計。
2025-07-18 14:40:16941 此章節中將介紹低漂移霍爾元件（砷化鎵 (GaAs)）的應用實例。
2025-07-10 14:27:45681 
氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優異的超寬禁帶半導體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優值和約翰遜優值，在功率和射頻器件領域具有重要的應用前景。本文聚焦于 Ga2O3射頻器件
2025-06-11 14:30:062163 
CMD229P4低噪聲放大器Custom MMIC原裝庫存CMD229P4是一款由Custom MMIC生產的寬帶砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC）低噪聲放大器（LNA），專為射頻(RF
2025-06-06 09:15:18
控化學試劑使用，護芯片周全。
工藝控制上，先進的自動化系統盡顯精準。溫度、壓力、流量、時間等參數皆能精確調節，讓清洗過程穩定如一，保障清洗效果的一致性和可靠性，極大降低芯片損傷風險，為半導體企業良品率
2025-06-05 15:31:42
前不久，納微半導體剛剛發布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502384 
化合物半導體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎，展現出獨特的電學與光學特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達8500cm2/V·s，本征電阻率達10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:382338 
波濾波電路。其單芯片設計顯著簡化了外圍電路，適合對尺寸和功耗敏感的物聯網設備，如Zigbee、智能家居和工業自動化系統。 CMOS工藝優勢?： 低成本?：相比傳統砷化鎵（GaAs）工藝，CMOS更適合大規模量產，降低芯片成本。 高集成度?：可與其他數字電路（如微控制器）
2025-05-27 15:00:011773 
隨著電子技術的快速發展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 TGA2521-SM 是一款由 Qorvo 公司生產的 K 波段線性驅動放大器，以下是其詳細的技術參數和應用場景：### 技術參數- **工作頻率范圍**：17 GHz 至 24 GHz
2025-05-22 14:24:02
TGA2535-SM 是一款由 Qorvo 公司生產的 X 波段功率放大器，以下是其詳細的技術參數和特性：### 基本參數- **工作頻率范圍**：10 GHz 至 12 GHz。- **輸出功率
2025-05-22 14:20:50
### TGA4533-SM K波段功率放大器#### 技術參數- **頻率范圍**：21.2 GHz 至 23.6 GHz。- **飽和輸出功率**：32 dBm。- **1 dB 壓縮點功率
2025-05-21 16:21:41
### TGA2701-SM C波段功率放大器#### 技術參數- **頻率范圍**：5.9 GHz 至 8.5 GHz。- **飽和輸出功率**：35 dBm。- **1 dB 壓縮點功率
2025-05-21 16:19:22
### TGA2706-SM C波段功率放大器#### 技術參數- **頻率范圍**：5.5 GHz 至 8.5 GHz。- **飽和輸出功率**：34 dBm。- **1 dB 壓縮點功率
2025-05-21 16:16:51
### TGA4536-SM K波段功率放大器#### 技術參數- **頻率范圍**：24.2 GHz 至 26.5 GHz。- **飽和輸出功率**：34 dBm。- **1 dB 壓縮點功率
2025-05-21 16:12:55
### TGA2237-SM L波段功率放大器#### 技術參數- **頻率范圍**：0.03 GHz 至 2.5 GHz。- **飽和輸出功率**：> 40 dBm（10 W）。- **1 dB
2025-05-21 16:06:22
### TGA2595 Ka波段功率放大器#### 技術參數- **頻率范圍**：27.5 GHz 至 31 GHz。- **飽和輸出功率**：9 W（39.5 dBm CW）。- **功率附加效率
2025-05-21 16:01:20
### TGA2575-TS Ka波段功率放大器#### 技術參數- **頻率范圍**：32.0 GHz 至 38.0 GHz。- **飽和輸出功率**：35.5 dBm。- **功率附加效率
2025-05-21 15:57:04
### TGA4508 Ka波段低噪聲放大器#### 技術參數- **頻率范圍**：30 GHz 至 42 GHz。- **增益**：21 dB。- **噪聲系數**：2.8 dB。- **1 dB
2025-05-21 15:54:03
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業異軍突起，憑借領先的氮化鎵（GaN）技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02
CMD280 是 Qorvo 公司推出的一款負控制寬帶砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）5 位數字衰減器芯片，以下是其主要參數和特點：### 基本參數- **工作頻率范圍**：DC 至
2025-05-16 15:04:19
CMD279 是 Qorvo（原 Custom MMIC）公司推出的一款正控制寬帶砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）5 位數字衰減器芯片，以下是其主要參數和特點：### 基本參數
2025-05-16 14:59:51
內存模塊 ? ? 中國北京， 2025 年5月15日 —— 作為業界領先的芯片和半導體IP供應商，致力于使數據傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出
2025-05-15 11:19:421570 
海川半導體——SM5212規格書
2025-05-08 17:18:171 科研人員的高效探索。南京大展儀器新推出一款自動化操作的DZ-TGA201升降熱重分析儀，大大提升了測量的效率和準確性。一、一鍵自動升降，效率翻倍DZ-TGA201是
2025-05-07 10:34:21640 
我使用 CY3014USB 芯片組制作了一臺相機，視頻從相機流向計算機，顯示屏上顯示出精美的圖像。
我注意到攝像機前發生的事情和信息在屏幕上更新/流動之間存在延遲。
延遲時間幾乎持續 1 秒。 這
2025-05-06 09:11:52
海川半導體芯片原廠出品的SM5206，以其高耐壓、BAT 防反接功能、200mA大涓流等卓越性能成為便攜型設備的充電管理的理想選擇。
2025-04-30 16:35:081517 
前言海川半導體-SM5307產品是泉州海川半導體有限公司自主研發的一款充放電管理的高品質移動電源主控芯片，投入市場多年，廣泛應用于消費電子產品，如移動電源、充電寶、暖手寶等產品。隨著移動設備的普及
2025-04-30 15:56:26
納芯微今日重磅推出基于全國產供應鏈、采用HSMT公有協議的車規級SerDes芯片組，包括單通道的加串器芯片NLS9116和四通道的解串器芯片NLS9246。該系列芯片專為ADAS（攝像頭、域控制器
2025-04-29 16:24:153603 
HMC424A芯片是一款寬帶、6位、砷化鎵(GaAs)、數字衰減器單芯片微波集成電路(MMIC)，以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。
2025-04-24 14:44:51851 
ADL8121是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為0.025 GHz至12 GHz。
2025-04-22 14:38:50790 
ADL8105是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為5 GHz至20 GHz。
2025-04-22 14:29:34758 
日訊——納微半導體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規認證，這標志著氮化鎵技術在電動汽車市場的應用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產品家族， 集成了控制、驅動、感測以及關鍵的保護功能
2025-04-17 15:09:264296 
HMC557A是一款通用型雙平衡混頻器，采用符合RoHS標準的24引腳陶瓷無鉛芯片載體封裝。該器件可用作頻率范圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造，無需外部元件或匹配電路。
2025-03-28 10:28:251025 
ADMV1012 是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)雙邊帶(DSB)下變頻器，采用符合RoHS標準的封裝，針對輸入頻率范圍為17.5 GHz至24 GHz的點對點微波無線電設計進行優化。
2025-03-27 16:51:58799 
ADMV1009 是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)、上邊帶(USB)、差分上變頻器，采用符合RoHS標準的封裝，針對工作頻率范圍為12.7 GHz至15.4 GHz的點對點微波無線電設計進行優化。
2025-03-27 16:51:58932 
ADMV1011是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙邊帶(DSB)上變頻器，采用符合RoHS標準的封裝，針對工作頻率范圍為17 GHz至24 GHz的點對點微波無線電設計進行優化。
2025-03-27 16:51:58874 
HMC787A是一款通用型雙平衡混頻器，采用符合RoHS標準的12引腳陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝，可用作3 GHz至10 GHz范圍內的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬
2025-03-27 16:51:58928 
HMC525ALC4是一款砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，采用符合RoHS標準的24引腳、陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊
2025-03-27 10:57:41898 
HMC774A是一款通用型砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙平衡混頻器芯片，可用作7 GHz至40 GHz頻率范圍內的上變頻器或下變頻器。此混頻器無需外部元件或匹配電路。
2025-03-27 09:35:03943 
HMC560A 芯片是砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、雙平衡混頻器，可以在較小的芯片面積內用作 24 GHz至38 GHz 的上變頻器或下變頻器。此混頻器無需外部元件或匹配電路。
2025-03-26 10:09:16803 
金屬導體，其導電性能比導體差而比絕緣體好。 半導體:導電性能介于導體與絕緣體之間的物質稱半導體。常用的半導體材料有硅（Si）、鍺（Ge）、硒（Se）和砷化鎵（GaAs）及其他金屬氧化物和硫化物等
2025-03-25 16:21:28
國產汽車半導體先行者CHIPWAYS，在其豐富的汽車三電領域核心車規芯片組合的基礎上，結合客戶實際應用需求，迭代創新設計，推出第四代更高精度、更高可靠性、更高性價比的車規級多節電池組監控器芯片：XL8832A。
2025-03-20 17:26:321870 
GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案
2025-03-13 18:06:0046931 
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發布全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發總監馬歡應半導體在線邀請，分享了關于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優越的性能使其在電源轉換和射頻應用中展現出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526 ADL8107是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波IC (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶、高線性度放大器，工作頻率范圍為6 GHz至18 GHz。
2025-03-10 14:14:07968 
ADL8105是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為5 GHz至20 GHz。
2025-03-10 11:45:461070 
ADL8102是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為1 GHz至22 GHz。
2025-03-10 10:25:58960 
CHA5659-98F/CHA5659-QXG是法國UMS公司推出的四級單片砷化鎵（GaAs）高功率放大器，專為36-43.5GHz毫米波頻段設計。該器件采用先進的0.15μm pHEMT工藝制造，在K波段衛星通信和點對點無線電系統中展現卓越性能。
2025-03-07 16:24:081114 
CHA5659-98F/CHA5659-QXG是法國UMS公司推出的四級單片砷化鎵（GaAs）高功率放大器，專為36-43.5GHz毫米波頻段設計。該器件采用先進的0.15μmpHEMT工藝制造，在K波段衛星通信和點對點無線電系統中展現卓越性能。
2025-03-07 16:23:140 2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布，成功發布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標志著我國在超寬禁帶半導體領域取得了國際領先地位，也為我國
2025-03-07 11:43:222410 
HMC1055是一款低成本、砷化鎵(GaAs)、單刀單擲(SPST)開關，采用LFCSP表貼封裝。 該開關具有低插入損耗、高隔離度和出色的三階交調性能，非常適合0.5 GHz至4.0 GHz范圍內的許多蜂窩和無線基礎設施應用。
2025-03-06 11:47:17922 
北京市最值得去的十家半導體芯片公司
原創 芯片失效分析 半導體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國半導體產業的重要基地，聚集了眾多在芯片設計、制造、設備及新興技術領域具有
2025-03-05 19:37:43
HMC347B 是一款寬頻、非反射、砷化鎵 (GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、單刀雙擲 (SPDT)、單片微波集成電路 (MMIC) 芯片。因為采用片內通孔結構，該交換芯片
2025-03-05 14:12:14955 
近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數據中心、電動汽車和移動設備領域的應用新突破。
2025-02-25 10:16:381781
技術支持您好！我用的DMD開發板如上圖，采用是DLP4100系列芯片組，現在所遇到的問題：第一個是通過微鏡加載二值圖片，接收光強信息的探測器收集到電壓數據整體會有偏上或者偏下的現象，導致實驗
2025-02-24 08:35:31
我們新設計采用DLP300S,DLPC1438，網站上找不到固件下載， 請問從哪里可以獲取到此芯片組的固件？
2025-02-21 06:22:49
電子發燒友網綜合報道 最近氧化鎵領域又有了新的進展。今年1月，鎵仁半導體宣布基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實現4英寸氧化鎵單晶的導電型摻雜。本次
2025-02-17 09:13:241340 VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實現4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40900 
HMC637BPM5E是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、級聯分布式功率放大器，在正常工作時可實現自偏置且具有IDQ可選偏置控制和增益調整
2025-02-08 15:52:21
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081231 
為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設計，意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝（SiP）的諧振轉換器參考設計。
2025-02-06 11:31:151133 半導體激光器常用工作物質有砷化鎵、硫化鎘等，激勵方式有電注入、電子束激勵和光抽運三種方式。 半導體激光器主要優點是體積小、效率高、能耗低，以電注入式半導體激光器為例，半導體材料中通常會添加GaAS
2025-01-27 17:43:001042 
AI DSP以其卓越的處理能力和能效比，在智能邊緣設備領域廣受好評。此次授權許可，將使歐冶半導體的龍泉560系列ADAS芯片組能夠更可靠、更高效
2025-01-15 14:31:571002 Semiconductor)已成功獲得Ceva的SensPro? Vision AI DSP授權許可。 此次授權許可針對的是歐冶半導體公司的龍泉560系列高級駕駛輔助系統(ADAS)芯片組。該芯片組將集成Ceva
2025-01-14 14:30:111181 隨著科技的飛速發展，半導體技術已經成為現代電子產業的基石。在眾多半導體材料中，鎵因其獨特的物理和化學性質，在半導體制造中占據了一席之地。 鎵的基本性質 鎵是一種柔軟、銀白色的金屬，具有低熔點
2025-01-06 15:11:592707 的芯片組成，每個小格子狀的結構就代表一個芯片。芯片的體積大小直接影響到單個晶圓上可以產出的芯片數量。半導體制程工序概覽半導體制程工序可以分為三個主要階段：晶圓制作、封裝
2025-01-06 12:28:111167 
的芯片都是用硅片生產的，而不是用今天熱門的碳化硅、砷化鎵、氮化鎵等材料生產。這是為什么？ 材料的選擇標準 在選擇用于生產芯片的材料時，需要考慮以下幾個主要因素： 電子特性：材料必須具備良好的半導體特性，能有效控制電子
2025-01-06 10:40:402391 
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