ADL8105是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為5 GHz至20 GHz。

數據手冊：*附件：ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，5 GHz至20 GHz技術手冊.pdf

在12 GHz至17 GHz范圍內，ADL8105提供27 dB典型增益、1.8 dB典型噪聲系數和30.5 dBm典型輸出三階交調截點(OIP3)以及高達20.5 dBm的飽和輸出功率(P SAT )，采用5 V電源電壓時功耗僅為90 mA。可通過犧牲OIP3和輸出功率(P OUT )來降低功耗。ADL8105還具有內部匹配50 Ω的輸入和輸出。RFIN和RFOUT引腳均內部交流耦合，同時集成了偏置電感，使其非常適合基于表貼技術(SMT)的高容量微波無線電應用。

ADL8105采用符合RoHS標準的2 mm × 2 mm 8引腳LFCSP封裝。

特性

• 單正電源（自偏置）
• 增益：27 dB（典型值，12 GHz至17 GHz時）
• OP1dB：18 dB（典型值，12 GHz至17 GHz時）
• OIP3：30.5 dBm（典型值，12 GHz至17 GHz時）
• 噪聲系數：1.8 dB（典型值，12 GHz至17 GHz時）
• 符合RoHS標準的2 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型特性

應用

• 電信
• 衛星通信
• 軍用雷達
• 氣象雷達
• 電子戰
• 儀器儀表