概述

ADL8107是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波IC (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶、高線性度放大器，工作頻率范圍為6 GHz至18 GHz。

ADL8107在7 GHz至16 GHz范圍內提供24 dB的典型增益，在7 GHz至16 Ghz范圍內的典型噪聲系數為1.3 dB，在7 GHz至16 GHz范圍內具有1 dB壓縮(OP1dB)，典型輸出功率為18.5 dBm，在7 GHz至16 GHz范圍內的典型輸出三階交調點(OIP3)為29 dBm，采用5 V漏電源供電功耗僅90 mA。此款低噪聲放大器在7 GHz至16 GHz范圍內的輸出二階交調點(OIP2)為30.5 dBm（典型值），使ADL8107適合軍事和測試儀器儀表應用。

ADL8107還具有內部匹配50 Ω的輸入和輸出。RFIN和RFOUT引腳均內部交流耦合，同時集成了偏置電感，使ADL8107非常適合基于表貼技術(SMT)的高密度應用。

ADL8107采用符合RoHS標準的2 mm × 2 mm 8引腳LFCSP封裝。
數據表：*附件：ADL8107 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，6GHz至18GHz技術手冊.pdf

應用

• 測試儀器儀表
• 軍事通信
• 雷達

特性

• 單一正電源（自偏置）
• 增益：7 GHz到16 GHz范圍內為24 dB（典型值）
• OIP3：7 GHz到16 GHz時為29 dBm（典型值）
• 噪聲指數：7 GHz到16 GHz范圍內為1.3 dB（典型值）
• 8引腳2mm x 2mm LFCSP（參見數據手冊的“外形尺寸“章節）

框圖

引腳配置

接口示意圖

圖79顯示了ADL8107在特定頻率范圍內的基本連接。不需要外部偏置電感，可以將5 V電源連接到VDD引腳。建議使用0.1 uF和100電源去耦電容。圖79所示的電源去耦電容代表用于表征和驗證ADL8107的配置。

要設置IDo，請在RBIAS和VDDpins之間連接一個電阻(R2)。建議默認值為7.15 k?q，這將產生90 mA的標稱lDo。表9顯示了lDo和lDo放大器與RBIAS的關系。RBIAS引腳也會產生一個隨RBIAS值而變化的電流(見表9)。不要讓偏置引腳開路。
為了使ADL8107安全工作，需要對直流和射頻電源進行正確的時序控制。上電期間，在RF電源施加于RFIN之前施加VDD，斷電期間，在VDD斷電之前移除RFIN的RF電源。