近日，唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。

APEC 2025將于3月16-20日在亞特蘭大喬治亞世界會(huì)議中心（Georgia World Congress Center）盛大舉辦。納微誠(chéng)邀觀眾參觀“納微芯球”展臺(tái)（展位號(hào)1107），共同探索納微用清潔能源的氮化鎵和碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)，為高增長(zhǎng)市場(chǎng)所打造的最高效和最高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體替代，達(dá)成Electrify our World的終極使命。預(yù)計(jì)到至2050年，從硅基向第三代功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換每年可減少超過(guò)60億噸碳排放。

亮點(diǎn)展品和技術(shù)：

雙向無(wú)界，超越極限

解鎖電力電子新范式的下一代技術(shù)

納微2025開(kāi)年力作，即將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)的顛覆性變革，全球直播亮劍進(jìn)入倒計(jì)時(shí)！鎖定納微芯球公眾號(hào)，3月13日解鎖完整技術(shù)細(xì)節(jié)。

全新中壓GaNFast FETs

為48V AI數(shù)據(jù)中心電源、下一代電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)及AI機(jī)器人系統(tǒng)而生，打造高頻、高效、高功率密度轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

見(jiàn)證全球首個(gè)為AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心打造的8.5kW OCP電源解決方案，其效率達(dá)98%。該方案采用大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs，分別用于三相LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和三相交錯(cuò)CCM TP-PFC結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)最高效率、性能以及最少的元件數(shù)量。

全球功率密度最高的AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

采用納微大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造，為最新的AI GPUs打造了體積最小的4.5kW電源，滿(mǎn)足搭載最新AI GPUs機(jī)柜增長(zhǎng)了3倍的功率需求，可實(shí)現(xiàn)137W/in3的全球最高功率密度以及超過(guò)97%的效率。

搭載IntelliWeave專(zhuān)利數(shù)字控制技術(shù)的

AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

采用了高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs的混合設(shè)計(jì)，PFC的峰值效率高達(dá)99.3%，相較現(xiàn)有方案降低30%的功率損耗。

GaNSlim氮化鎵功率芯片

全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片，以最高水平的集成度和散熱性能，將進(jìn)一步簡(jiǎn)化并加速小型化、高功率密度應(yīng)用的開(kāi)發(fā)。目標(biāo)應(yīng)用包括移動(dòng)設(shè)備和筆記本電腦充電器、電視電源以及高達(dá)500W的照明系統(tǒng)。

獲AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證的

第三代快速碳化硅MOSFETs

憑借著超20年的碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位，GeneSiC推出全球領(lǐng)先的第三代快速碳化硅功率器件，基于納微專(zhuān)有的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)研發(fā)，為實(shí)現(xiàn)最快的開(kāi)關(guān)速度、最高的效率和功率密度的增進(jìn)進(jìn)行優(yōu)化，為AI數(shù)據(jù)中心提升三倍功率并加速電動(dòng)汽車(chē)充電。

為耐久性和性能而生的

高功率SiCPAK模塊

采用行業(yè)領(lǐng)先的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)和環(huán)氧樹(shù)脂灌封，提高功率循環(huán)次數(shù)和持久可靠性，碳化硅封裝模塊外形緊湊，為電動(dòng)汽車(chē)充電、驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）等應(yīng)用提供具有成本效益、高功率密度的解決方案。

領(lǐng)先的GaNFast和GeneSiC技術(shù)新進(jìn)展

專(zhuān)門(mén)針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)牽引模塊優(yōu)化的GeneSiC MOSFET裸片，經(jīng)過(guò)額外篩選和鍍金金屬化處理以用于燒結(jié)。

為馬達(dá)驅(qū)動(dòng)打造的GaNSense功率芯片，具備雙向無(wú)損電流感測(cè)、電壓感測(cè)和溫度保護(hù)功能，進(jìn)一步提升性能和穩(wěn)健性，是任何分立氮化鎵或分立硅器件無(wú)法企及的水平。

此外，來(lái)自納微半導(dǎo)體的技術(shù)專(zhuān)家們還將發(fā)表多場(chǎng)精彩工業(yè)報(bào)告和技術(shù)分享，展示前沿研究成果，具體議程如下：

3月19日，星期三

1. GaNSlim Power IC & DPAK-4L Package Enables 100W, 100cc, PD3.1 Continuous Power Solution with 95% Efficiency

時(shí)間：2:20 pm

地點(diǎn)：IS14.3, A411

演講者：高級(jí)戰(zhàn)略市場(chǎng)總監(jiān)Tom Ribarich

2. 500kHz Inverter Design Using Bidirectional GaN Switches

時(shí)間：8:30 am

地點(diǎn)：IS11.1, A403

演講者：應(yīng)用與技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)副總裁Jason Zhang（張炬）

3. Advancing Power Solutions: Integrating Wide Bandgap Technologies for Next-Generation Applications

時(shí)間：1:30 pm – 4:55 pm

地點(diǎn)：ET, IS14

論壇主席：企業(yè)營(yíng)銷(xiāo)及產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān)Llew Vaughan-Edmunds

4. WBG Converter Design

時(shí)間：8:30 am – 11:55 am

地點(diǎn)：ET, IS11.1

論壇主席：Jason Zhang（張炬）

3月20日，星期四

1. Marketing & Technology Trends in Power Electronics

時(shí)間：10:10 am – 11:50 am

地點(diǎn)：ET

論壇主席：Stephen Oliver（史立維）

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專(zhuān)注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，于2024年迎來(lái)了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場(chǎng)提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場(chǎng)包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。納微半導(dǎo)體擁有超過(guò)300項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請(qǐng)中的專(zhuān)利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。