近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數據中心、電動汽車和移動設備領域的應用新突破。

APEC 2025將于3月16-20日在亞特蘭大喬治亞世界會議中心（Georgia World Congress Center）盛大舉辦。納微誠邀觀眾參觀“納微芯球”展臺（展位號1107），共同探索納微用清潔能源的氮化鎵和碳化硅半導體技術，為高增長市場所打造的最高效和最高功率密度應用設計，進而實現對傳統硅基半導體替代，達成Electrify our World的終極使命。預計到至2050年，從硅基向第三代功率半導體的轉換每年可減少超過60億噸碳排放。

亮點展品和技術：

雙向無界，超越極限

解鎖電力電子新范式的下一代技術

納微2025開年力作，即將觸發多個行業的顛覆性變革，全球直播亮劍進入倒計時！鎖定納微芯球公眾號，3月13日解鎖完整技術細節。

全新中壓GaNFast FETs

為48V AI數據中心電源、下一代電動汽車平臺及AI機器人系統而生，打造高頻、高效、高功率密度轉換系統。

全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源

見證全球首個為AI和超大規模數據中心打造的8.5kW OCP電源解決方案，其效率達98%。該方案采用大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs，分別用于三相LLC拓撲結構和三相交錯CCM TP-PFC結構，可實現最高效率、性能以及最少的元件數量。

全球功率密度最高的AI數據中心服務器電源

采用納微大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造，為最新的AI GPUs打造了體積最小的4.5kW電源，滿足搭載最新AI GPUs機柜增長了3倍的功率需求，可實現137W/in3的全球最高功率密度以及超過97%的效率。

搭載IntelliWeave專利數字控制技術的

AI數據中心服務器電源

采用了高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs的混合設計，PFC的峰值效率高達99.3%，相較現有方案降低30%的功率損耗。

GaNSlim氮化鎵功率芯片

全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片，以最高水平的集成度和散熱性能，將進一步簡化并加速小型化、高功率密度應用的開發。目標應用包括移動設備和筆記本電腦充電器、電視電源以及高達500W的照明系統。

獲AEC-Q101車規認證的

第三代快速碳化硅MOSFETs

憑借著超20年的碳化硅創新領導地位，GeneSiC推出全球領先的第三代快速碳化硅功率器件，基于納微專有的“溝槽輔助平面柵”技術研發，為實現最快的開關速度、最高的效率和功率密度的增進進行優化，為AI數據中心提升三倍功率并加速電動汽車充電。

為耐久性和性能而生的

高功率SiCPAK模塊

采用行業領先的“溝槽輔助平面柵”技術和環氧樹脂灌封，提高功率循環次數和持久可靠性，碳化硅封裝模塊外形緊湊，為電動汽車充電、驅動器、太陽能和儲能系統（ESS）等應用提供具有成本效益、高功率密度的解決方案。

領先的GaNFast和GeneSiC技術新進展

專門針對電動汽車牽引模塊優化的GeneSiC MOSFET裸片，經過額外篩選和鍍金金屬化處理以用于燒結。

為馬達驅動打造的GaNSense功率芯片，具備雙向無損電流感測、電壓感測和溫度保護功能，進一步提升性能和穩健性，是任何分立氮化鎵或分立硅器件無法企及的水平。

此外，來自納微半導體的技術專家們還將發表多場精彩工業報告和技術分享，展示前沿研究成果，具體議程如下：

3月19日，星期三

1. GaNSlim Power IC & DPAK-4L Package Enables 100W, 100cc, PD3.1 Continuous Power Solution with 95% Efficiency

時間：2:20 pm

地點：IS14.3, A411

演講者：高級戰略市場總監Tom Ribarich

2. 500kHz Inverter Design Using Bidirectional GaN Switches

時間：8:30 am

地點：IS11.1, A403

演講者：應用與技術營銷副總裁Jason Zhang（張炬）

3. Advancing Power Solutions: Integrating Wide Bandgap Technologies for Next-Generation Applications

時間：1:30 pm – 4:55 pm

地點：ET, IS14

論壇主席：企業營銷及產品管理高級總監Llew Vaughan-Edmunds

4. WBG Converter Design

時間：8:30 am – 11:55 am

地點：ET, IS11.1

論壇主席：Jason Zhang（張炬）

3月20日，星期四

1. Marketing & Technology Trends in Power Electronics

時間：10:10 am – 11:50 am

地點：ET

論壇主席：Stephen Oliver（史立維）

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過300項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。