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云鎵半導體

云鎵半導體是一家專注于氮化鎵GaN功率器件原廠,主要面向消費電子工業(yè)電源及汽車電子領域提供GaN FETs、GaN ICs等產(chǎn)品。

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動態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2026-03-10 14:36

    云鎵半導體將參加 ISPSD 2026 國際功率器件與功率集成電路大會

    云鎵半導體研究創(chuàng)新|云鎵半導體六篇研究成果被ISPSD2026錄用在剛剛結束的ISPSD2026征稿評比中,云鎵半導體(CloudSemi)在GaN和ICDSession的六篇投稿獲得組委會錄用接收,成為連續(xù)三年登陸ISPSD國際大舞臺的GaN中國公司(其中兩篇口頭報告),再次印證云鎵團隊的技術水平與創(chuàng)新能力,證明了中國的GaN初創(chuàng)企業(yè)的創(chuàng)新能力,具備超車國
  • 發(fā)布了文章 2026-02-05 17:38

    650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉(zhuǎn)換器評估板

    云鎵半導體650V雙向E-modeGaN(MBDS)的應用1.MBDS器件介紹云鎵半導體推出了650VE-modeGaN雙向器件MBDS(MonolithicBi-DirectionalSwitch,MBDS)。這種GaN半導體器件使用GaN工藝制造平臺,在無需工藝調(diào)整和MASK變動的前提下,通過合并漂移區(qū)和漏極以及雙柵控制,即可以實現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器
  • 發(fā)布了文章 2026-01-13 16:24

    E-mode GaN助力4.5kW對稱半橋LLC諧振變換器突破99%最高效率

    云鎵半導體650VE-modeGaN的應用1.背景隨著AI大數(shù)據(jù)模型的興起,對高效率、高功率密度的電源需求逐步加強。世界能源短缺的加劇導致了其他領域?qū)﹄娫吹母咝市枨螅鳟a(chǎn)業(yè)迫切希望技術進步推動能源供應性能提升。與此相對應的一個變化是關鍵性的半導體和器件已經(jīng)出現(xiàn)了明顯的國產(chǎn)化率迅速提升的趨勢。寬禁帶半導體材料(如氮化鎵、碳化硅)的應用顯著降低了開關損耗,同時
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  • 發(fā)布了文章 2026-01-13 14:33

    最高效率突破99%的4.5kW對稱半橋LLC諧振變換器

    云鎵半導體650VEmodeGaN的應用1.背景隨著AI大數(shù)據(jù)模型的興起,對高效率、高功率密度的電源需求逐步加強。世界能源短缺的加劇導致了其他領域?qū)﹄娫吹母咝市枨螅鳟a(chǎn)業(yè)迫切希望技術進步推動能源供應性能提升。與此相對應的一個變化是關鍵性的半導體和器件已經(jīng)出現(xiàn)了明顯的國產(chǎn)化率迅速提升的趨勢。寬禁帶半導體材料(如氮化鎵、碳化硅)的應用顯著降低了開關損耗,同時數(shù)
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  • 發(fā)布了文章 2025-12-12 16:30

    云鎵半導體發(fā)布 2kW 雙向開關 (GaN BDS) 前置升壓 APFC 評估板

    云鎵半導體2kW雙向開關(GaNBDS)前置升壓APFC評估板CG-EVB-BDS-PFC-2KW1.雙向開關前置升壓APFC由來雙向開關前置升壓APFC是無橋APFC拓撲中的一種,從拓撲結構上來說實際就是Boost電路的變形,只是交流輸入的正負半周各自對應不同的電路,此拓撲省去了整流橋的應用。2.Boost型APFC和雙向開關前置升壓APFC的工作對比下表
  • 上傳了資料 2025-11-30 22:00

  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-11-26 09:32

    CG65140DAA增強型氮化鎵功率器件650V140mR封裝形式DFN8*8用于PD快充開關電源

    產(chǎn)品型號:CG65140DAA VDS耐壓:700 內(nèi)阻:140mR 最小包裝:2500PCS
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  • 發(fā)布了文章 2025-11-11 13:45

    云鎵大功率 GaN 產(chǎn)品 | 技術參數(shù)解讀 鈦金服務器電源 DEMO

    云鎵半導體云鎵工業(yè)級GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務器電源DEMO1.前言云鎵半導體在工業(yè)級GaN產(chǎn)品上不斷耕耘,推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動器產(chǎn)品。在應用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金3000W服務器電源及600W微型逆變器。本文從器件參數(shù)、系統(tǒng)DEMO及驅(qū)動器角度全方位解讀云鎵工業(yè)級GaN產(chǎn)品系列。2.云鎵工業(yè)級GaN產(chǎn)品參數(shù)優(yōu)勢聚焦數(shù)據(jù)中心與再生能源等
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  • 發(fā)布了文章 2025-11-11 13:45

    應用指導 | CGAN003: GaN switching behavior analysis

    云鎵半導體應用指導CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知,GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬的性能優(yōu)勢,如大幅提升的開關速度和顯著降低的開關損耗,從而提供更優(yōu)的整體效率,這使得GaN器件在高頻、高效率的應用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢。我們的應用指導將幫助客戶更好得使用云鎵的GaN器件,更大限度去挖掘云鎵的GaN器件的能力。
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  • 發(fā)布了文章 2025-11-11 13:44

    應用指導 | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)

    云鎵半導體應用指導CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)眾所周知,GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬的性能優(yōu)勢,如大幅提升的開關速度和顯著降低的開關損耗,從而提供更優(yōu)的整體效率,這使得GaN器件在高頻、高效率的應用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢。我們的應用指導將幫助客戶更好地使用云鎵的GaN器件,更大限度去挖掘云鎵的
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企業(yè)信息

認證信息: 云鎵半導體

聯(lián)系人:大鵬

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地址:南山智谷F棟404

公司介紹:云鎵半導體在工業(yè)級GaN產(chǎn)品上不斷耕耘,推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動器產(chǎn)品。在應用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金3000W服務器電源及600W微型逆變器。本文從器件參數(shù)、系統(tǒng)DEMO及驅(qū)動器角度全方位解讀云鎵工業(yè)級GaN產(chǎn)品系列。

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