概述

HMC347B 是一款寬頻、非反射、砷化鎵 (GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、單刀雙擲 (SPDT)、單片微波集成電路 (MMIC) 芯片。因為采用片內通孔結構，該交換芯片在 0.1 GHz ~ 20 GHz 的頻段內工作，插入損耗為 1.7 dB，在 20 GHz 時隔離度為 46 dB。

該交換芯片由兩個負控電壓輸入 (V~CTL = ?5 V / 0 V) 供電，無需另外電源，且不消耗電流。HMC347B 的 RFx 焊盤通過一條 3.0 mil × 0.5 mil 的最小號連接帶與 50 Ω 條傳輸線連接，可獲取所有電氣性能數(shù)據(jù)。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC347B 0.1GHz~20GHz GaAs SPDT非反射交換芯片技術手冊.pdf

應用

• 測試儀器儀表
• 微波射頻和甚小孔徑終端 (VSAT)
• 軍用射頻、雷達和電子對抗 (ECM)
• 寬頻帶電信系統(tǒng)
  特性
• 寬帶頻率范圍：0.1 GHz ~ 20 GHz
• 非反射 50 Ω 設計
• 低插入損耗：?20 GHz 時為 1.7 dB
• 高隔離：20 GHz 時為 46 dB（典型值）
• 高輸入線性度
  • 輸入 P1dB：25 dBm（典型值）
  • 輸入 IP3：41 dBm（典型值）
• 高功率處理能力
  • 27 dBm 通路
  • 25 dBm 終止路徑
• 10焊盤 1.3 mm × 0.85 mm × 0.102 mm 芯片

框圖

引腳配置

典型性能特征

HMC347B背面金屬化，必須用金錫(AuSn)共晶預制件或導電環(huán)氧樹脂直接附著到接地層。芯片厚度為0.102毫米(4密耳)。推薦使用0.127 mm (5 mil)厚的氧化鋁薄膜基板上的50ω微帶傳輸線，將RF信號引入HMC347B或從HMC 347 b引出(見圖15)。

當使用0.254毫米(10密耳)厚的氧化鋁薄膜基板時，HMC347B必須升高0.150毫米(6密耳)，以便HMC347B的表面與基板表面共面。該器件可以通過將0.102毫米(4密耳)厚的芯片連接到0.150毫米(6密耳)厚的鉬(Mo)上來升高散熱器(鉬片)，然后連接到接地層(見圖16)。