意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布1200V碳化硅太陽能解決方案

　　意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)佈碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果，協(xié)助系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻柲苻D(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。

　　意法半導(dǎo)體已于近期在美國佛羅里達(dá)州舉辦的2012年國際太陽能展覽會暨研討會（Solar Power International 2012）展出1200V碳化硅二極體。該產(chǎn)品可取代DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器和DC-AC 逆變器所用的一般二極體，把太陽能模組的低壓輸出電能轉(zhuǎn)換成高品質(zhì)的電網(wǎng)電壓AC電能。

　　作為太陽能發(fā)電應(yīng)用二極體的基本材料，碳化硅二極體的各項技術(shù)指標(biāo)皆優(yōu)于一般雙極二極體（silicon bipolar）技術(shù)。碳化硅二極體導(dǎo)通與關(guān)閉狀態(tài)的轉(zhuǎn)換速度非常快，而且沒有普通雙極二極體技術(shù)開關(guān)時的反向恢復(fù)電流。在消除反向恢復(fù)電流效應(yīng)后，碳化硅二極體的能耗可降低70%，在寬溫度範(fàn)圍內(nèi)保持高能效，并提高設(shè)計人員最佳化系統(tǒng)工作頻率的靈活性。

　　意法半導(dǎo)體的1200V碳化硅二極體試驗證明，即便負(fù)載和開關(guān)頻率很高，逆變器總體能效仍然提高2%。在逆變器的已定使用壽命內(nèi)，2%的能效可為家庭太陽能發(fā)電系統(tǒng)和大功率發(fā)電站節(jié)省數(shù)兆瓦小時的寶貴電能。

　　意法半導(dǎo)體并發(fā)佈了碳化硅MOSFET專案的最新發(fā)展。意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET將是全球首批商用碳化硅MOSFET，因為有諸多優(yōu)點，預(yù)計將會取代太陽能逆變器中的高壓硅絕緣柵雙極電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT，）。除了可比IGBT降低50%能耗外，碳化硅MOSFET無需特殊的驅(qū)動電路，且工作頻率更高，這讓設(shè)計人員能夠盡可能減少電源元件數(shù)量，降低電源成本和尺寸，并提高能效。

　　碳化硅MOSFET和二極體的其它應(yīng)用包括電腦機房和數(shù)據(jù)中心所使用的大型電源和電動汽車的馬達(dá)驅(qū)動電子系統(tǒng)。

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茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！傾佳電子

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碳化硅在電機驅(qū)動中的應(yīng)用

今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。

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意法半導(dǎo)體（ST）是英偉達(dá)800V機架內(nèi)配電新倡議的核心合作伙伴。

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今年6月，備受期待的意法半導(dǎo)體KNX培訓(xùn)中心首期課程在深圳TCL意法半導(dǎo)體辦公室成功舉辦。該中心是意法半導(dǎo)體全球首個獲得國際KNX協(xié)會官方認(rèn)證的培訓(xùn)機構(gòu)，嚴(yán)格符合培訓(xùn)師資質(zhì)與專業(yè)設(shè)備的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)，致力于推廣ST KNX解決方案并擴大KNX技術(shù)生態(tài)圈的影響力。

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激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略

提供理論與技術(shù)支持。引言隨著碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對碳化硅襯底質(zhì)量要求日益嚴(yán)苛，晶圓總厚度變化（TTV）作為關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo)，其精確測量至關(guān)重要。激光干涉法

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基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。

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意法半導(dǎo)體全新eSIM解決方案ST4SIM-300介紹

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如何選擇 1200V SiC（碳化硅）TO-247 單管的耐高溫絕緣導(dǎo)熱墊片？

近期，華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進(jìn)軍碳化硅功率器件領(lǐng)域，推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業(yè)高溫、高壓場景場景。圖片

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華為海思入局碳化硅！推出1200V工規(guī)級SiC單管

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瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。

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碳化硅晶圓特性及切割要點

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近日，知名半導(dǎo)體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產(chǎn)品的推出旨在滿足日益增長的工業(yè)電源應(yīng)用需求，特別是在超低功率損耗整流方面。這一創(chuàng)新不僅將

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Nexperia推出兩款1200V SiC肖特基二極管

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博世上海碳化硅功率半導(dǎo)體實驗室介紹

隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉(zhuǎn)型，碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性，正成為下一代電驅(qū)動系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下，2025年1月，在上海正式設(shè)立碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)與測試實驗室，旨在面向本土市場，提供領(lǐng)先的碳化硅產(chǎn)品研發(fā)、測試及驗證能力，助力客戶高性能電驅(qū)產(chǎn)品落地。

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EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

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2025-06-25 09:13:14

基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC

2025-06-24 17:26:28

492

基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的產(chǎn)品力分析

從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實現(xiàn)顯著進(jìn)步，具體體現(xiàn)在以下核心維度。

2025-06-19 17:02:15

706

SiC碳化硅MOSFET時代的驅(qū)動供電解決方案：基本BTP1521P電源芯片

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC

2025-06-19 16:57:20

1227

SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源：Pixabay、Pexels單晶方面，碳化硅作為目前

2025-06-15 07:30:57

968

意法半導(dǎo)體與新加坡能源集團(tuán)共同開發(fā)新型雙溫冷卻系統(tǒng)

意法半導(dǎo)體（簡稱ST）委托新加坡能源公司（SP集團(tuán)）升級意法半導(dǎo)體大巴窯工廠的冷卻基礎(chǔ)設(shè)施。大巴窯工廠是意法半導(dǎo)體重要的封裝研發(fā)和晶圓測試基地。新的冷卻系統(tǒng)將大大提高能源效率，預(yù)計每年可減少碳排放約2,140噸。

2025-06-14 14:45:54

1600

基本半導(dǎo)體亮相2025國際太陽能光伏和智慧能源展覽會

6月11-13日，全球光儲產(chǎn)業(yè)年度盛會——SNEC PV&ES 第十八屆(2025)國際太陽能光伏和智慧能源&儲能及電池技術(shù)與裝備（上海）大會暨展覽會在上海隆重舉行。基本半導(dǎo)體攜全系碳化硅功率器件及驅(qū)動解決方案亮相本次展會，吸引了眾多行業(yè)專家、企業(yè)代表及專業(yè)觀眾的廣泛關(guān)注。

2025-06-13 16:18:28

905

碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響

對碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)體行業(yè)實現(xiàn)高效且可靠的解決方案。

2025-06-13 09:34:06

1290

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用一、引言在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件

2025-06-10 08:38:54

829

意法半導(dǎo)體與高通打造的ST67W611M1無線模塊量產(chǎn)

意法半導(dǎo)體宣布Wi-Fi 6和低功耗藍(lán)牙5.4二合一模塊ST67W611M1正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，與此同時，重要客戶Siana采用該模塊的設(shè)計項目已取得初步成功，大大縮短了無線連接解決方案的研發(fā)周期。

2025-06-09 09:42:34

1045

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代：能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

傳統(tǒng)IGBT，成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著能效的躍升，更將重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動

2025-06-09 07:07:17

727

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代

2025-06-08 11:13:47

1096

國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless

2025-06-07 06:17:30

911

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

從Wolfspeed破產(chǎn)到中國碳化硅崛起：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落：技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯作為碳化硅（SiC）領(lǐng)域的先驅(qū)，Wolfspeed

2025-05-21 09:49:40

1085

納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。

2025-05-14 15:39:30

1341

基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等

2025-05-09 11:45:40

1018

基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日，全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET

2025-05-09 09:19:10

1116

基本半導(dǎo)體碳化硅（SiC）MOSFET低關(guān)斷損耗（Eoff）特性的應(yīng)用優(yōu)勢

BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗（Eoff）特性，在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢：傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅

2025-05-04 09:42:31

740

基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊

2025-05-03 10:45:12

561

SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊：高效能、超快開關(guān)與卓越熱管理

近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計，具備更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于

2025-04-25 11:39:28

987

碳化硅功率器件有哪些特點

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點及其應(yīng)用現(xiàn)狀。

2025-04-21 17:55:03

1081

傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案

SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅

2025-04-21 09:21:56

868

意法半導(dǎo)體披露公司全球計劃細(xì)節(jié)

意法半導(dǎo)體（簡稱ST）披露了全球制造布局重塑計劃細(xì)節(jié)，進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計劃。2024年10月，意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項覆蓋全公司的計劃，擬進(jìn)一步增強企業(yè)的競爭力，鞏固公司全球半導(dǎo)體龍頭地位，利用公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產(chǎn)，保障公司的垂直整合制造（IDM）模式長期發(fā)展。

2025-04-18 14:15:47

993

意法半導(dǎo)體深圳大學(xué)講座圓滿舉行

日前，意法半導(dǎo)體(ST)在深圳大學(xué)舉辦了一場主題為“‘職’點迷津，打破偏見，點亮未來”的校園講座。

2025-04-10 17:04:53

1139

意法半導(dǎo)體：推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略，引領(lǐng)行業(yè)規(guī)模化發(fā)展

新的機遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進(jìn)方向，行家說三代半與行家極光獎聯(lián)合策劃了《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》專題報道。 ? ? 日前，意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體中國區(qū)-功率分立和模擬產(chǎn)品器件部-市場及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI 接受

2025-04-10 09:18:41

3662

碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢。

2025-04-09 18:02:04

1275

先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝：技術(shù)突破與行業(yè)變革

本文聚焦于先進(jìn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)，闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在移動應(yīng)用功率密度提升的背景下

2025-04-08 11:40:33

1493

碳化硅VS硅基IGBT：誰才是功率半導(dǎo)體之王？

在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當(dāng)前市場上

2025-04-02 10:59:41

5531

東升西降：從Wolfspeed危機看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

Wolfspeed作為全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè)，其股價暴跌（單日跌幅超50%）、財務(wù)困境與德國30億歐元項目擱淺危機，折射出歐美與中國在SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈競爭中

2025-03-31 18:03:08

982

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。

2025-03-21 10:11:00

1232

意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作

日前，服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（ST）與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議。

2025-03-21 09:39:24

1355

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。

2025-03-19 14:31:28

1103

全球功率半導(dǎo)體變革：SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革：傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)

2025-03-13 00:27:37

767

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅

2025-03-12 11:31:09

896

瞻芯電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

近日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應(yīng)用場景，提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試。

2025-03-11 15:22:52

1249

安意法合資工廠通線啟示：國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強之路

近日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線，預(yù)計2025年四季度批量生產(chǎn)，形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng)，結(jié)合過去二十年合資汽車和自主品牌的此消彼長發(fā)展歷程，不難看出國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體必須走自立自強與突圍之路：從合資依賴到自主創(chuàng)新的路徑分析。

2025-03-01 16:11:14

1015

BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動隔離供電的性價比最優(yōu)解

在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中，驅(qū)動隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素。基本半導(dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F 通過技術(shù)整合與設(shè)計創(chuàng)新，完美適配SiC器件的需求，成為推動硅基向碳化硅升級的核心驅(qū)動方案。

2025-03-01 10:16:09

1311

超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析

隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。

2025-03-01 08:53:44

1053

SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象，比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算，僅有碳化硅二極管

2025-02-28 10:34:31

752

三安意法重慶8英寸碳化硅項目正式通線將在2025年四季度實現(xiàn)批量生產(chǎn)

2月27日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計項目將在2025年四季度實現(xiàn)批量生產(chǎn)，這將成為國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線，項目規(guī)劃全面達(dá)產(chǎn)

2025-02-27 18:45:10

4655

三安光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項目通線

三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司，簡稱安意法)，全面落成后預(yù)計總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預(yù)計將在2025年四季度投產(chǎn)，屆時將成為國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線。

2025-02-27 18:12:34

1589

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及，全球?qū)Ω咝堋⒌湍芎碾娏﹄娮悠骷男枨笕找嬖黾印Ｔ谶@一背景下，碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角

2025-02-26 11:03:29

1399

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新

2025-02-19 11:35:41

1716

納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。

2025-02-07 13:35:08

1231

意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。

2025-02-07 10:38:50

1640

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。

2025-02-05 13:49:12

1950

碳化硅的缺陷分析與解決方案

碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料，因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、位錯、堆垛層錯等，會嚴(yán)重影響器件的性能和可靠性

2025-01-24 09:17:14

2515

碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。硅（Si）作為最常用的半導(dǎo)體材料，已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而，隨著電子器件對性能要求的不斷提高，碳化硅（SiC）作為一種新型半導(dǎo)體材料

2025-01-23 17:13:03

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碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢：一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高

2025-01-23 17:09:35

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碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅（SiC）是一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。由于其寬帶隙特性，SiC基半導(dǎo)體器件能夠在

2025-01-23 17:06:13

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碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附

2025-01-23 10:30:54

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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET

2025-01-22 10:43:28

意法半導(dǎo)體推出創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)工具ST AIoT Craft

意法半導(dǎo)體新推出了一款基于網(wǎng)絡(luò)的工具ST AIoT Craft，該工具可以簡化在意法半導(dǎo)體智能MEMS傳感器的機器學(xué)習(xí)內(nèi)核（MLC）上開發(fā)節(jié)點到云端的AIoT（物聯(lián)網(wǎng)人工智能）項目以及相關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置。

2025-01-16 13:33:07

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不同的碳化硅襯底的吸附方案，對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數(shù)猶如精密天平上的砝碼，細(xì)微

2025-01-14 10:23:10

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碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW

2025-01-13 14:36:13

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意法半導(dǎo)體與彭水共繪可持續(xù)發(fā)展新篇章

???????作為全球最早承諾實現(xiàn)碳中和的半導(dǎo)體企業(yè)之一，意法半導(dǎo)體將可持續(xù)發(fā)展視為釋放企業(yè)競爭力，推動產(chǎn)業(yè)增長的重要手段。通過研發(fā)碳化硅等綠色技術(shù)和產(chǎn)品，堅持可持續(xù)發(fā)展的方式，打造為利益相關(guān)者創(chuàng)造長遠(yuǎn)價值的可持續(xù)企業(yè)，助力全球綠色生產(chǎn)力的蓬勃發(fā)展。

2025-01-09 15:08:13

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意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動器概述

意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。

2025-01-09 14:48:33

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安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？5步法應(yīng)對碳化硅特定挑戰(zhàn)，mark~，我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)、安森美（onsemi）在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。本文為白皮書第三篇，將重點介紹應(yīng)用于柵極的 5 個步驟。

2025-01-09 10:31:47

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安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中，我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn)，本文為白皮書第二部分，將重點介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美（onsemi）在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。

2025-01-07 10:18:48

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意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布1200V碳化硅太陽能解決方案

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