AMEYA360：羅姆ROHM新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。
功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運(yùn)算時間較長等問題，亟待改進(jìn)。
新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型公式，能夠在保持計(jì)算穩(wěn)定性和開關(guān)波形精度的同時，將仿真時間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析，從而有助于提升應(yīng)用設(shè)計(jì)階段的器件評估與損耗確認(rèn)的效率。
“ROHM Level 3（L3）”的第4代SiC MOSFET模型（共37款機(jī)型）已于2025年4月在官網(wǎng)上發(fā)布，用戶可通過產(chǎn)品頁面等渠道下載。新模型L3推出后，以往模型仍將繼續(xù)提供。另外，ROHM還發(fā)布了詳細(xì)的使用說明白皮書，以幫助用戶順利導(dǎo)入新模型。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
SPICE
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
198瀏覽量
44563 -
Rohm
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
415瀏覽量
67874
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
羅姆功率半導(dǎo)體技術(shù)助力應(yīng)對AI數(shù)據(jù)中心電力難題
隨著AI的驚人發(fā)展，支撐其運(yùn)轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)中心的電力消耗量急劇攀升，這一嚴(yán)峻課題也日益突出。如何破解這一難題，已成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。本文將聚焦羅姆SiC等功率器件及解決方案，并介紹其在革新服務(wù)器電源系統(tǒng)、
羅姆半導(dǎo)體：聚焦功率與模擬半導(dǎo)體，把握 2026年AI與脫碳雙重機(jī)遇
網(wǎng)策劃了《2025年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到數(shù)十位國內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。其中，電子發(fā)燒友特別采訪了羅姆半導(dǎo)體，以下是他們
羅徹斯特電子通過擴(kuò)充ROHM產(chǎn)品組合保障長期供應(yīng)
羅姆半導(dǎo)體(ROHM)擁有涵蓋集成電路、分立器件、模塊及電阻器的完整產(chǎn)品陣容，專注于功率半導(dǎo)體和
羅姆面向下一代800 VDC架構(gòu)發(fā)布電源解決方案白皮書
ROHM（羅姆半導(dǎo)體）宣布，作為半導(dǎo)體行業(yè)引領(lǐng)創(chuàng)新的主要企業(yè)，發(fā)布基于下一代800 VDC架構(gòu)的AI數(shù)據(jù)中心用的先進(jìn)電源解決方案白皮書。 本
AMEYA360 | 羅姆面向下一代800 VDC架構(gòu)發(fā)布電源解決方案白皮書
～為實(shí)現(xiàn)千兆瓦級AI基礎(chǔ)設(shè)施的800 VDC構(gòu)想提供支持～ 2025年10月28日，全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，作為半導(dǎo)體行業(yè)引領(lǐng)創(chuàng)新的主要企業(yè)，發(fā)布基于下
互通有無擴(kuò)展生態(tài)，英飛凌與羅姆達(dá)成碳化硅功率器件封裝合作
9 月 28 日消息，兩家重要功率半導(dǎo)體企業(yè)德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC)
羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及硅基器件引領(lǐng)功率半導(dǎo)體創(chuàng)新
2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場，羅姆（ROHM）攜多款功率半導(dǎo)體新品及解決方案精彩亮相。
羅姆將攜眾多先進(jìn)解決方案和技術(shù)亮相2025 PCIM Asia Shanghai
今天ROHM（羅姆半導(dǎo)體）宣布，將于9月24日～26日參加上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會（以下簡稱PCIM Asia Shanghai）。屆時，
羅姆與獵芯網(wǎng)簽署正式代理銷售協(xié)議
~同步啟動面向中國市場的“ROHM官方技術(shù)論壇(Engineer Social Hub?)”技術(shù)支持服務(wù)~ 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，與中國電子元器件平臺
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型
發(fā)表于 07-11 14:49
大模型在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用可行性分析
有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會不會存在AI缺陷檢測。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測
發(fā)表于 06-24 15:10
羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能
在SiC（碳化硅）等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中，以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問題。但是，這次開發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。
羅姆發(fā)布高效能100V功率MOSFET，助力AI服務(wù)器電源管理升級
近日，羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET，專為AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路設(shè)計(jì)。旨在提升數(shù)據(jù)中心的效率和
羅姆與獵芯網(wǎng)簽訂授權(quán)分銷合同
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布已與中國的電子元器件網(wǎng)絡(luò)電商獵芯網(wǎng)（以下簡稱“ICHunt”）簽訂了授權(quán)分銷合同。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論