安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管 (BRT) 設計用于替換單個設備和相關外部偏置電阻網絡。這些PNP偏置電阻晶體管集成了單個晶體管和一個單片偏置網絡，該網絡由一個系列基極電阻和一個基極-發射極電阻組成。BRT通過將所有組件集成到單個設備中，從而消除了單個組件。使用BRT可降低系統成本和電路板空間。安森美 (onsemi) NSBAMXW采用XDFNW3封裝，具有卓越的熱性能。這些設備非常適合用于電路板空間和可靠性至關重要的表面貼裝應用。

數據手冊：*附件：onsemi NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管數據手冊.pdf

特性

XDFNW3外殼521AC封裝，安裝高度低至0.44mm（最大值）
可濕性側翼封裝，實現最佳自動光學檢測（AOI）
靜電放電 (ESD) 等級 (HBM)：級別1B
NSV前綴適用于汽車和其他需要獨特現場和控制變更要求的應用；符合AEC-Q101標準并具備PPAP功能
無鉛、無鹵/無溴化阻燃劑（BFR），符合RoHS指令

Pni連接

深入解析onsemi偏置電阻晶體管(BRT)NSBAMXW系列技術特性與應用

產品概述

?NSBAMXW系列?是一款集成偏置電阻的PNP數字晶體管(Bias Resistor Transistor)，專門設計用于替代單個器件及其外部電阻偏置網絡。該系列器件在單顆晶體管中集成了完整的偏置網絡，包含兩個電阻：串聯基極電阻和基極-發射極電阻。通過使用BRT，可以有效降低系統成本和節省電路板空間。

主要特性

?內置偏置電阻?：集成完整的偏置網絡
?互補NPN型號可選?：提供更靈活的設計選擇
?XDFNW3封裝?：最大安裝高度僅0.44mm，提供卓越的熱性能
?可潤濕側翼封裝?：優化自動光學檢測(AOI)性能
?汽車級認證?：NSV前綴適用于汽車應用，通過AEC-Q101認證并支持PPAP
?環保材料?：無鉛、無鹵素/BFR free，符合RoHS標準

極限參數詳解

絕對最大額定值(TA = 25°C)

參數	符號	最小值	最大值	單位
集電極-發射極電壓	VCEO	-	-50	V
集電極-基極電壓	VCBO	-	-50	V
輸入電壓	VI	-40/+10(不同型號有差異)	-	V
集電極電流	IC	-	100	mA
靜電放電(人體模型)	ESD	-	Class 1B	-

?重要說明?：超過最大額定值列表中規定的壓力可能會損壞設備。如果超過任何這些限制，則不應假設設備功能正常，可能會發生損壞，并且可能會影響可靠性。

熱特性參數

特性	符號	最大值	單位
總功耗@TA=25°C	PD	450	mW
結至環境熱阻	RθJA	145	°C/W
結溫和存儲溫度范圍	TJ, Tstg	-65 到 +150	°C

注1：基于JESD51-7標準，使用標準PCB焊盤和2oz銅層

電氣特性(TA = 25°C)

截止電流特性

?集電極-基極截止電流?(VCB = -50 V, IE = 0)：ICBO ≤ -100 nA
?集電極-發射極截止電流?(VCE = -50 V, IB = 0)：ICEO ≤ -500 nA
?發射極-基極截止電流?(VEB = -5 V, IC = 0)：IEBO ≤ -0.5 mA(不同型號有差異)

直流電流增益

在VCE = -10.0 V, IC = -5 mA條件下：

NSBA114E/NSBA124E/NSBA123Y：hFE ≥ 35
NSBA143E：hFE ≥ 15
NSBA144E：hFE ≥ 80

飽和與開關特性

?集電極-發射極飽和電壓?(IC = -10 mA, IB = -0.3 mA)：VCE(sat) ≤ -0.25 V

? 輸入電壓(關斷) ?(VCE = -5.0 V, IC = -100 mA)：
各型號VI(off)范圍從-1.2 V到-0.3 V不等

? 輸入電壓(導通) ?：

NSBA114E(VCE = -0.3 V, IC = -10 mA)：VI(on) = -2.5 到 -1.8 V
其他型號在類似測試條件下呈現不同的導通電壓特性

內置電阻參數

偏置電阻值(R1)

型號	最小值	典型值	最大值	單位
NSBA114E	7	10	13	kΩ
NSBA124E	15.4	22	28.6	kΩ
NSBA143E	3.3	4.7	6.1	kΩ
NSBA144E	32.9	47	61.1	kΩ
NSBA123Y	1.54	2.2	2.86	kΩ

電阻比率(R1/R2)

大多數型號的電阻比率范圍為0.8到1.2，而NSBA123Y具有特殊的0.18到0.27比率。

典型特性曲線分析

飽和電壓特性

圖1顯示VCE(sat)隨集電極電流增加而增加，在IC/IB = 10條件下，典型飽和電壓在0.1-0.3V范圍內。

直流電流增益

圖2展示hFE在不同溫度下的變化趨勢，在VCE = 10V條件下，電流增益隨集電極電流變化呈現典型分布。

開關特性

圖3和圖4分別展示了輸出電流與輸入電壓、輸入電壓與輸出電流的關系，為開關應用設計提供重要參考。

封裝與訂購信息

封裝規格

?封裝類型?：XDFNW3 (DFN1010-3)
?特點?：優越的熱性能，適合板空間和可靠性要求較高的表面貼裝應用

訂購代碼說明

器件型號	汽車級型號	R1(kΩ)	R2(kΩ)	部件標記	包裝
NSBA114EMXWTBG	NSVBA114EMXWTBG	10	10	4X	3000/卷帶
NSBA124EMXWTBG	NSVBA124EMXWTBG	22	22	4Y	3000/卷帶
NSBA143EMXWTBG	NSVBA143EMXWTBG	4.7	4.7	4V	3000/卷帶
NSBA144EMXWTBG	NSVBA144EMXWTBG	47	47	4Z	3000/卷帶
NSBA123YMXWTBG	NSVBA123YMXWTBG	2.2	10	4W	3000/卷帶