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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRF840IPBF-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRF840IPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### IRF840IPBF-VB MOSFET 產品簡介:

IRF840IPBF-VB 是一款高電壓 N 通道 MOSFET,適用于各種開關應用。該器件封裝在 TO-220F 外殼中,具有高達 650V 的最大漏源電壓(VDS),非常適合處理高電壓操作。其柵源電壓(VGS)能夠承受高達 ±30V,確保可靠的開關控制。其閾值電壓(Vth)為 3.5V,保證了在中等柵極電壓下有效開關。RDS(ON) 為 830mΩ(在 VGS = 10V 下),有效控制電流,支持最大 10A 的漏極電流(ID)。采用平面技術制造,確保在高功率和高電壓環境中可靠運行。

### 詳細參數說明:
- **封裝**:TO-220F(完全隔離,減少在高電壓應用中的額外絕緣需求)
- **配置**:單個 N 通道 MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:650V – 適用于高電壓電源轉換和開關應用。
- **柵源電壓(VGS)**:±30V – 高耐受度驅動電路,在惡劣電氣環境中提供穩定性。
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V – 使 MOSFET 導通所需的柵極電壓。
- **漏源導通電阻(RDS(ON))**:830mΩ(在 VGS = 10V 下)– 開關功率中的關鍵參數。
- **漏極電流(ID)**:10A – 最大電流處理能力。
- **技術**:平面技術 – 在高功率應用中提供高效性能,具有良好的熱管理。

### 應用示例:
1. **電源模塊**:IRF840IPBF-VB 非常適合用于 **開關電源** 和 **DC-DC 轉換器**。其 650V 的高 VDS 額定值使其在電源轉換電路的主開關中非常理想,特別是在工業電源和通信電源系統中。

2. **電動機控制**:其高電壓和中等電流的處理能力使其非常適合用于 **電動機控制電路**,尤其是在需要高電壓操作的應用中,如工業電動機驅動或暖通空調系統。

3. **照明鎮流器**:這款 MOSFET 廣泛用于 **高強度放電(HID)照明** 和 **LED 驅動器**,在高電壓開關中的高效性對于節能和穩定操作至關重要。

4. **逆變器和太陽能系統**:憑借其高擊穿電壓和在高電壓環境中處理開關的能力,IRF840IPBF-VB 非常適合 **太陽能逆變器** 和 **不間斷電源(UPS)**,有助于高效地將直流電轉換為交流電。

5. **電動汽車充電器**:它可以集成到 **電動汽車充電系統** 中,處理充電過程中 AC-DC 轉換所需的高電壓開關,確保電力的高效傳輸。

這款 MOSFET 的多功能性使其在多個行業的高電壓應用中非常適用。

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