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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1503S-VB一款TO263封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1503S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2.3mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRF1503S-VB** 是一款高性能的單極N溝道MOSFET,封裝形式為TO263,采用Trench技術(shù)。該MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,特別適合高效電源管理和高功率應(yīng)用。IRF1503S-VB 的最大漏極源極電壓為30V,最大漏極電流達到150A。它的低導(dǎo)通電阻確保在高電流工作情況下的低功耗和高效率。此MOSFET的低閾值電壓(Vth = 1.7V)使其在較低的柵源電壓下也能實現(xiàn)高效的導(dǎo)通,進一步提升了其在各種應(yīng)用中的表現(xiàn)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極N溝道
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.2mΩ @ VGS=4.5V
 - 2.3mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**IRF1503S-VB** MOSFET 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: 在高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器中,IRF1503S-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠有效地處理大電流負(fù)載,減少能量損失,提高轉(zhuǎn)換效率。這使得它非常適合用于電源管理模塊、開關(guān)電源和電源分配系統(tǒng)。

2. **電動工具和電機驅(qū)動**: 由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,IRF1503S-VB 在電動工具和電機驅(qū)動應(yīng)用中表現(xiàn)出色。它可以在電動工具的電機驅(qū)動電路中提供穩(wěn)定的開關(guān)操作,確保設(shè)備高效運行。

3. **高功率LED驅(qū)動**: 在高功率LED照明系統(tǒng)中,這款MOSFET能夠有效地管理大電流,提供穩(wěn)定的LED驅(qū)動電流。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗和熱量生成,從而提高整體照明系統(tǒng)的效率和可靠性。

4. **電動汽車和能源存儲系統(tǒng)**: 在電動汽車和能源存儲系統(tǒng)中,IRF1503S-VB 可以作為電池管理系統(tǒng)中的開關(guān)組件,處理大電流并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。其高電流能力和優(yōu)異的開關(guān)性能使其非常適合用于這些高負(fù)荷應(yīng)用場景。

總之,IRF1503S-VB MOSFET 在各種高電流和高效率應(yīng)用中都表現(xiàn)出色,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對性能和功效的高要求。

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