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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF7811AVTR-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF7811AVTR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRF7811AVTR-VB 是一款高性能的N溝道功率MOSFET,封裝為SOP8。這款MOSFET的漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)為±20V,具有較低的閾值電壓(Vth)1.7V,使其在較低的柵極電壓下即可導(dǎo)通。IRF7811AVTR-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為11mΩ@VGS=4.5V 和 8mΩ@VGS=10V,最大漏極電流(ID)為13A。采用Trench技術(shù),這款MOSFET提供了優(yōu)異的開關(guān)性能和低功耗特性,適用于高效能的電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)                | 值                    |
|---------------------|-----------------------|
| 器件型號(hào)            | IRF7811AVTR-VB        |
| 封裝                | SOP8                  |
| 配置                | 單N溝道               |
| 漏源電壓 (VDS)      | 30V                   |
| 柵源電壓 (VGS)      | ±20V                  |
| 閾值電壓 (Vth)      | 1.7V                  |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))  | 11mΩ @ VGS=4.5V       |
|                     | 8mΩ @ VGS=10V         |
| 漏極電流 (ID)       | 13A                   |
| 技術(shù)                | Trench                |

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**
  - IRF7811AVTR-VB 非常適用于電源管理系統(tǒng),特別是在需要高效開關(guān)和低功耗的場(chǎng)景。其低RDS(ON)特性和高電流處理能力使其在電源開關(guān)和調(diào)節(jié)模塊中表現(xiàn)出色,幫助提高電源系統(tǒng)的效率和可靠性。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
  - 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,IRF7811AVTR-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠減少轉(zhuǎn)換損耗,提高轉(zhuǎn)換器的整體效率。這款MOSFET 適合用于高效的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如計(jì)算機(jī)電源、工業(yè)電源模塊等。

3. **負(fù)載開關(guān)**
  - 這款MOSFET 也非常適用于負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。其快速開關(guān)能力和低功耗特性使其能夠高效地控制負(fù)載,適用于需要高開關(guān)頻率和高負(fù)載處理能力的應(yīng)用,如電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)模塊等。

4. **汽車電子**
  - 在汽車電子系統(tǒng)中,IRF7811AVTR-VB 的高性能和可靠性使其適用于各種電源管理和控制電路。其緊湊的SOP8封裝使其能夠在空間受限的應(yīng)用中提供優(yōu)異的性能,非常適合用于汽車電源管理和開關(guān)控制模塊。

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