国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

IRF7807ATR-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IRF7807ATR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### IRF7807ATR-VB MOSFET 產品簡介

IRF7807ATR-VB 是一款高效的 N-channel MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低電壓應用設計。該 MOSFET 提供了出色的導通電阻和電流處理能力,適用于需要高效開關和低功耗的系統。其最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V,支持多種驅動電壓。其閾值電壓(Vth)為 1.7V,能夠在較低的柵極電壓下開啟。在 VGS 為 4.5V 時的導通電阻(RDS(ON))為 11mΩ,VGS 為 10V 時進一步降低至 8mΩ,確保高效的電流傳輸和低功耗。最大連續漏電流(ID)為 13A,非常適合功率轉換和負載開關控制等應用。

### 詳細參數說明

- **封裝形式:** SOP8
- **配置:** 單 N-channel MOSFET
- **VDS(漏源電壓):** 30V
- **VGS(柵源電壓):** ±20V
- **Vth(柵極閾值電壓):** 1.7V
- **RDS(ON):** 11mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON):** 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續漏電流):** 13A
- **技術:** Trench 技術,實現低功耗和高效開關性能

### 應用示例

1. **DC-DC 轉換器:**
  IRF7807ATR-VB 由于其低導通電阻和高電流處理能力,特別適合用于 DC-DC 轉換器模塊。它能夠提高電源轉換的效率,減少功率損耗,適用于手機、筆記本電腦等便攜設備的電源管理。

2. **負載開關:**
  在工業控制設備和消費電子產品中,IRF7807ATR-VB 適合作為負載開關的核心元件。它的快速響應和低導通損耗使得它能夠高效地切換負載,從而優化系統功耗,提升整體可靠性。

3. **電機控制:**
  該 MOSFET 的高電流能力和低 RDS(ON) 特性使其成為小型電機驅動應用中的理想選擇。它能為低電壓電機提供穩定的電流控制,常用于智能家居設備中的電機控制模塊。

4. **電池管理系統:**
  IRF7807ATR-VB 的低功耗和高效性能也使其適用于電池管理系統中,用于控制電池充放電過程,延長電池壽命并提高系統效率。

該產品憑借其優異的開關速度、低導通電阻和高電流處理能力,廣泛適用于便攜設備電源管理、工業自動化控制等多個領域。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    467瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    405瀏覽量