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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRF7467TRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IRF7467TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

IRF7467TRPBF-VB 是一款高效的單N溝道功率MOSFET,封裝為SOP8。這款MOSFET的漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)為±20V,導通電阻(RDS(ON))分別為11mΩ@VGS=4.5V 和 8mΩ@VGS=10V,確保了低損耗的電流傳導。其閾值電壓(Vth)為1.7V,能夠在較低的柵極電壓下啟動,最大漏極電流(ID)為13A。IRF7467TRPBF-VB 使用Trench技術,提供卓越的開關性能和高效能,特別適用于便攜式設備、電源管理以及開關電路等領域。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 值                    |
|---------------------|-----------------------|
| 器件型號            | IRF7467TRPBF-VB       |
| 封裝                | SOP8                  |
| 極性                | 單N溝道               |
| 漏源電壓 (VDS)      | 30V                   |
| 柵源電壓 (VGS)      | ±20V                  |
| 閾值電壓 (Vth)      | 1.7V                  |
| 導通電阻 (RDS(ON))  | 11mΩ @ VGS=4.5V       |
|                     | 8mΩ @ VGS=10V         |
| 漏極電流 (ID)       | 13A                   |
| 技術                | Trench                |

### 應用領域與模塊

1. **便攜式電子設備**
  - IRF7467TRPBF-VB 非常適合便攜式電子設備中的電源管理應用,如智能手機、平板電腦和筆記本電腦。這款MOSFET的低導通電阻可減少電流傳導損耗,提升設備的能效,幫助延長電池續(xù)航時間。

2. **DC-DC轉換器**
  - 該MOSFET的高效開關能力使其在DC-DC轉換器中表現(xiàn)出色。低RDS(ON)值意味著可以降低功率損耗,特別適合用于需要高效能的小型電源轉換系統(tǒng)中,確保能量的高效傳遞。

3. **負載開關和開關電路**
  - IRF7467TRPBF-VB 適用于負載開關和一般開關電路,其高電流能力和快速開關特性可以滿足高頻操作需求。在高頻設備中使用這款MOSFET,可以提升系統(tǒng)響應速度和降低電路能耗。

4. **工業(yè)和汽車控制**
  - 在工業(yè)控制和汽車電子領域,該MOSFET可以用于各種驅動和控制電路。由于其高效開關性能和緊湊的封裝設計,適合在空間有限的應用中提供穩(wěn)定的性能,例如傳感器接口、自動化系統(tǒng)以及汽車電源控制模塊。

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