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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF7805ATRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF7805ATRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF7805ATRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRF7805ATRPBF-VB** 是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用**SOP8**封裝,專為需要高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET 具有30V的漏源電壓(VDS),并配備了±20V的柵源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,確保在較低的柵電壓下也能夠有效地啟動(dòng)。IRF7805ATRPBF-VB 采用溝槽技術(shù)(Trench),提供了極低的導(dǎo)通電阻,適用于各種高效能和高電流的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### IRF7805ATRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單個(gè) N 溝道 MOSFET
- **VDS(漏源電壓)**: 30V
- **VGS(柵源電壓)**: ±20V
- **Vth(閾值電壓)**: 1.7V(典型值)
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏電流)**: 13A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高效能開(kāi)關(guān)電源**: IRF7805ATRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度使其非常適合用于高效能開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。它可以在電源轉(zhuǎn)換器和電源模塊中提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能,例如計(jì)算機(jī)電源、工業(yè)電源和其他需要高效電源轉(zhuǎn)換的設(shè)備。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路**: 該MOSFET 可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,特別是在需要處理高電流和高開(kāi)關(guān)速度的場(chǎng)合。它適用于電動(dòng)工具、電動(dòng)車以及其他電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),提供高效的電流控制和開(kāi)關(guān)功能。

3. **功率管理系統(tǒng)**: IRF7805ATRPBF-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于各種功率管理系統(tǒng),如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理IC和開(kāi)關(guān)電源模塊。這些應(yīng)用需要高效的開(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)定的電流控制,以提高系統(tǒng)的整體效率。

4. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**: 在需要高電流和低功耗的負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,IRF7805ATRPBF-VB 也表現(xiàn)出色。它可以用于電池管理系統(tǒng)、家電負(fù)載開(kāi)關(guān)以及其他需要高效開(kāi)關(guān)控制的應(yīng)用,確保穩(wěn)定可靠的負(fù)載管理。

IRF7805ATRPBF-VB 以其優(yōu)越的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,適用于多種高電流和高效能的開(kāi)關(guān)應(yīng)用,為電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載控制系統(tǒng)提供了高性能的解決方案。

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