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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRF8714GTRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IRF8714GTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### IRF8714GTRPBF-VB MOSFET 產品簡介:

IRF8714GTRPBF-VB 是一款高效能 N 通道 MOSFET,專為需要低導通電阻和高開關速度的應用設計。該器件采用 SOP8 封裝,適合空間緊湊的電子電路。其最大漏源電壓(VDS)為 30V,適用于低至中等電壓的開關和放大應用。IRF8714GTRPBF-VB 具有 ±20V 的柵源電壓(VGS)耐受能力,提供了可靠的柵極控制。其閾值電壓(Vth)為 1.7V,能夠在較低的柵極電壓下導通。其導通電阻(RDS(ON))在 VGS = 4.5V 下為 11mΩ,在 VGS = 10V 下為 8mΩ,表明其在開關狀態下具有非常低的電阻。該 MOSFET 能處理最大 13A 的漏極電流(ID),并采用 Trench 技術制造,提供優良的電流開關性能和熱管理能力。

### 詳細參數說明:
- **封裝**:SOP8(小型化封裝,適合高密度電路板)
- **配置**:單個 N 通道 MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:30V – 適用于低電壓應用。
- **柵源電壓(VGS)**:±20V – 高耐受度柵極驅動電路。
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V – 使 MOSFET 導通所需的柵極電壓。
- **漏源導通電阻(RDS(ON))**:
 - 11mΩ(在 VGS = 4.5V 下)
 - 8mΩ(在 VGS = 10V 下)– 低導通電阻確保高效能。
- **漏極電流(ID)**:13A – 最大電流處理能力。
- **技術**:Trench 技術 – 提供優秀的開關速度和低導通電阻。

### 應用示例:
1. **DC-DC 轉換器**:IRF8714GTRPBF-VB 適用于 **DC-DC 轉換器**,特別是在需要高效開關和低導通電阻的場合。其低 RDS(ON) 值幫助減少功率損耗,提高轉換效率,適合用于高效能電源模塊。

2. **電源管理**:在 **電源管理系統** 中,如電池供電的便攜設備,IRF8714GTRPBF-VB 可以作為開關或負載開關,確保低功耗和長電池壽命。

3. **電機驅動**:其高電流處理能力和低導通電阻使其適合用于 **電動機驅動電路**。在電動機驅動和其他負載開關應用中,可以有效控制電流,提供平穩的電機操作。

4. **LED 驅動器**:在 **LED 驅動電路** 中,IRF8714GTRPBF-VB 能夠提供穩定的開關性能,幫助調節 LED 的亮度和工作狀態,同時減少能量損耗。

5. **自動化設備**:其高開關速度和低導通電阻使其適用于 **自動化控制系統** 中的開關應用,比如用于傳感器接口或控制電路中,實現高效控制和信號處理。

這些應用展示了 IRF8714GTRPBF-VB 在不同領域中廣泛的適用性,特別是在需要高效、低功耗和可靠性的電子設計中。

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