BM6337x/BM6357x系列最重要的亮點是同時實現了業內出色的降噪性能和低損耗性能。
2024-04-03 14:12:33
2008 
R系列IGBT-IPM的內部結構電路
2010-02-18 21:59:51
2112 
瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機驅動應用,包括冰箱和空調的壓縮機。
2012-09-05 11:09:19
1327 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列,藉以優化在10kHz以下操作的馬達驅動應用,包括冰箱及空調的壓縮機。
2012-09-06 09:51:00
2108 全球知名半導體制造商ROHM面向需要大功率(高電壓×大電流)的通信基站和工業設備領域,開發出耐壓高達80V的MOSFET內置型DC/DC轉換器 “BD9G341AEFJ”。
2015-10-28 14:09:03
4409 全球知名半導體制造商ROHM開發出高耐壓風扇電機驅動器“BM620xFS 系列”,用于實現未來在全球市場擁有巨大需求的家用空調等家電產品的變頻化。
2015-12-10 09:44:47
1664 全球知名半導體制造商ROHM新開發出兼備業界頂級低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關版)”,共21種機型。這些產品
2018-04-17 12:38:46
8644 
全球知名半導體制造商ROHM開發出滿足家電產品和工業設備等的小容量電機低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module)“BM65364S-VA/-VC(額定電流15A、耐壓600V)”,產品陣容更加豐富。
2018-09-19 08:32:00
5652 WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅動器,具有高低邊兩路輸出,可以單獨驅動兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。WD0412 的輸入信號兼容 CMOS
2022-04-28 08:22:45
2723 
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向包括xEV在內的動力傳動系統等車載系統,開發出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢壘二極管※2(以下簡稱“SBD”)“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。
2019-08-27 14:36:10
1631 ROHM針對這些挑戰,于2019年開始開發內置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉換器IC,并一直致力于開發出能夠更大程度地發揮SiC功率半導體性能的IC,在行業中處于先進地位。
2021-06-20 10:58:48
1452 
低VF和高速trr特性*1以及超低噪聲特性的第4代快速恢復二極管(以下稱“FRD”)650V耐壓“RFL/RFS系列”。 ? 近年來,隨著全球電力消耗量的增加,如何有效利用電力已成為亟待解決的課題。其中,高功耗的白色家電和電動汽車充電樁等工業設備
2022-06-27 09:45:40
1637 
*1,開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。 近年來
2023-07-24 11:47:02
877 
ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器,開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
、設計和應用的工程技術人員和高等院校相關專業師生閱讀參考。 本書在介紹IGBT和IPM結構與特性的基礎上,結合國內外電力電子器件的應用和發展趨勢,全面系統、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應用技術,突出
2011-11-25 15:46:48
的交疊損耗一致,導通損耗一致。 特性二:由于一般情況下IGBT的規格書給出是一個額定電流的能量損耗,例如600V/600A條件下損耗為Eon和Eoff,但是由于實際工作點在700V,一般默認“電壓
2023-02-24 16:47:34
相結合,可實現電機設備標準化。推薦產品:BM6202FS-E2;ROHM其它相關產品請 點擊此處 了解特性參數:輸出MOSFET電壓:600V驅動器輸出電流(DC):±1.5A(最大)驅動器輸出電流
2019-12-28 09:47:29
`全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
,也就是說將近5mA的電流損耗在7805里了。有沒有低損耗的電源芯片,可以最大限度的降低損耗呢?哪位神哥給推薦一個??!
2019-10-25 03:59:57
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅動器交叉傳導。漂浮的通道可用于驅動N通道電源高壓側配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性:欠壓鎖定,電壓高達600V耐負瞬態電壓,dV/dt柵極驅動電源
2021-05-11 19:40:19
一、概述:SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅動器,專為驅動MOSFET和IGBT設計。其核心優勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅動電流以及全電壓范圍內的浮動通道
2025-11-20 08:47:23
一、概述:高性能半橋驅動SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器,具備獨立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對稱
2025-11-21 08:35:25
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
、4A輸出的半橋門極驅動器,旨在通過增強抗擾性、提升驅動效率并簡化設計,幫助工程師更穩妥地駕馭MOSFET和IGBT,確保系統在高功率場景下穩定運行。產品主要特性:
寬工作電壓范圍:可承受高達600V
2025-12-23 08:36:15
`本書在介紹IGBT和IPM結構與特性的基礎上,結合國內外電力電子器件的應用和發展趨勢,全面系統、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應用技術,突出實用性。全書共7章,分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00
。目前,ROHM正在量產的全SiC功率模塊是二合一型模塊,包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產品類型。以下整理了現有機型產品陣容和主要規格。1200 V耐壓80A~600
2018-11-27 16:38:04
SBD)* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復二極管(Si FRD)的IGBT相比,開通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”)的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
STEVAL-IPM10B,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM10B是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-07-01 14:23:46
STEVAL-IPM15B,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM15B是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-07-02 09:47:51
STEVAL-IPM10F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM10F是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-06-28 08:36:40
STEVAL-IPM05F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM05F是基于SLLIMM(小型低損耗智能模塑模塊)第二系列產品STGIF5CH60TS-L
2019-07-01 12:01:49
STEVAL-IPM07F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM07F是一款緊湊型電機驅動電源板,基于小型低損耗智能模塊SLLIMM第二系列
2019-07-01 14:19:33
的電壓為 15 V;- IGBT導通損耗Eon的能量,IGBT關斷損耗Eoff的能量。測量條件:溫度25和150°C;集電極-發射極電壓600V;柵極-發射極電壓±15V;柵極電路中的電阻 2.2
2023-02-22 16:53:33
1700V高耐壓,還是充分發揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅開發最尖端的功率元器件,還促進充分發揮
2018-12-05 10:01:25
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:31
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:47
時間內(由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒),該器件具備出類拔萃的開關性能和短路魯棒性。結論利用英飛凌新型650V IGBT4可開發出專用于大電流應用的逆變器設計,以部署
2018-12-07 10:16:11
加深理解,最好還是參閱技術規格的標準值和特性圖表?!緲藴蔛J MOSFET:AN系列】R50xxANx(500V)R52xxANx系列(520V)R60xxANx系列(600V)R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術的 600V IGBT,即IGBT3在UPS中的應用。在介紹最新溝槽柵場終止技術的背景后,本文探討如何充分利用IGBT靜態與動態性能改進和175℃的
2009-11-20 14:30:27
89 低損耗超柔射同軸電纜AMR系列
應用環境
特性分析
2010-09-12 16:46:59
0 IGBT在客車DC 600V系統逆變器中的應用與保護
1.1 IGBT的結構特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:21
1691 
IR上市600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC
美國國際整流器公司(IR)上市了+600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32
1234 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優化
2011-10-13 09:03:46
1170 美國Transphorm公司發布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的GaN元器件研究人員為核心創建的風險企業,因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:44
2262 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:48
2638 瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40
1004 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日擴充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,這些經過優化的新器件尤為適合不間斷電源 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業電機和焊接應用。
2013-02-19 10:58:47
1416 全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布擴充節能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:42
1778 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗,旨在為焊接應用做出優化。
2014-08-19 16:31:53
3853 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日發布600V車用IGBT產品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0,針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅動應用而優化,包括空調壓縮機應用等。
2014-12-11 11:48:09
3378 
英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發布資料)。新產品在IGBT上集成續流用體二極管
2016-11-14 14:51:36
1744 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:11
2189 全球知名半導體制造商ROHM面向停車場車輛管理系統的車輛檢測領域,開發出檢測地磁的MI傳感器*1“BM1422AGMV”。
2017-09-05 15:48:27
8709 ROHM新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-13 18:30:57
1897 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-29 15:15:50
5922 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。
2019-09-24 14:39:28
2466 商業化正處于起步階段,FS技術更是遠遠落后于發達國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設計與制造方法,并通過
2019-12-19 17:59:00
25 ROHM繼2020年年底發布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開發出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02
1117 
羅姆(總部位于日本京都市)面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業設備領域,開發出內置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列(BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)”。
2021-12-21 15:52:07
1492 
Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性,能有效提高中頻功率轉換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11
2026 600V SPM? 2 系列熱性能(通過安裝扭矩)
2022-11-15 20:04:03
0 ROHM面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業設備領域,開發出內置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉換器IC “ BM2P06xMF-Z系列(BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)”。
2023-02-08 13:43:17
1748 
關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:21
1572 
600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 優化內置...
2023-02-08 13:43:21
2074 
ROHM新開發的“RGS系列”是滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導損耗非常低,非常有助于應用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23
1199 
ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關型)”共21種機型,該系列產品同時實現了業界頂級的低傳導損耗和高速開關特性,并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:25
1901 
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”,是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05
1192 
RJP60V0DPM 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:34
0 RJP60V0DPM-80 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:47
0 采用表貼型封裝,輸出可達45W,待機功耗顯著降低,支持自動貼裝 ROHM面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業設備領域,開發出內置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉換器IC
2023-04-04 12:40:05
1590 有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數量,并降低功率損耗 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET *1
2023-04-19 17:50:02
1093 
:IM323系列的新成員是專門為家用空調和家用電器應用設計的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優化的性能和緊湊的封裝,可用于額定功率達1
2022-04-24 14:39:00
1593 
同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻,可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增了
2023-07-12 12:10:08
1617 RJP60V0DPM 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:32
0 RJP60V0DPM-80 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:43
0 *1,開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。 近年來
2023-07-19 14:58:55
1485 
*1 ,開發出集650V GaN HEMT *2 和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“ BM3G0xxMUV-LB ” ( BM
2023-07-19 17:10:04
960 
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:50
0 供應5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS規格書參數 ,可應用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領域,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:13
2 供應全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:49
1 供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:10
6 3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”為例進行介紹。 點擊下載 成功實現功率器件熱設計的4大步驟 IGBT IPM實例:封裝?? ? BM
2023-12-07 09:30:02
2565 
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1
2023-12-08 17:38:08
1200 
小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ,新產品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01
1409 
IGBT IPM結合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護特性,其優點可以總結如下: 集成度高: IGBT IPM將多個IGBT器件與驅動、保護等電路集成在一個模塊中,減少
2024-02-23 10:50:10
1518 近日ROHM開發出車載一次側LDO“BD9xxM5-C”,是采用了ROHM高速負載響應技術“QuiCur”的45V耐壓LDO穩壓器,
2024-03-06 13:50:21
1223 
ROHM于2021年4月宣布推出600V耐壓IGBT IPM(Intelligent Power Module)新產品“BM6337x系列”,隨后又新增了“BM6357x系列”。
2024-03-27 14:10:22
1587 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用,開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:45
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新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級中提供15A、20A和30A三個型號,額定功率高達
2025-04-01 17:34:23
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內容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:30
0 ~兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻,被全球知名云平臺企業認證為推薦器件~ 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)于6月3日宣布,開發出100V耐壓的功率MOSFET*1
2025-06-05 13:15:05
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三方面展開分析: 一、高耐壓特性:材料與結構的雙重保障 1、核心材料選擇 采用聚丙烯(PP)薄膜作為介質,其分子結構穩定,介電常數低(約2.2),但耐壓強度高(可達600V/μm以上)。PP薄膜的熱穩定性優異,可在-55℃至+125℃環境下長期工作,且
2025-09-04 14:32:12
590 ROHM BM63574S-VC 是專為三相電機控制設計的智能功率模塊(IPM),集成 600V/15A IGBT、柵極驅動器、自舉二極管、續流二極管及完整保護電路,核心優勢在于高集成度、強保護能力
2025-10-05 15:11:00
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BM63377S-VA是將柵極驅動器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復二極管一體化封裝的智能電源模塊(IPM)。集成 600V/30AIGBT、柵極驅動器(HVIC/LVIC)、自舉二極管
2025-10-05 15:47:00
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BM64378S-VA是將柵極驅動器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復二極管一體化封裝的智能電源模塊(IPM),集成 600V/35AIGBT、柵極驅動器(HVIC/LVIC)、自舉二極管
2025-10-05 16:14:00
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BM63373S-VC是將柵極驅動器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復二極管一體化封裝的智能電源模塊(IPM)。集成 600V/10AIGBT、柵極驅動器(HVIC/LVIC)、自舉二極管
2025-10-05 16:52:00
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直接影響著整個系統的電壓穩定性和電能質量。本文將深入探討600V耐壓等級車規電容的技術特點及其在換電站接口電壓穩定中的保障機制。 一、高壓濾波電容的技術特性 1. 材料與結構創新 現代高壓濾波電容采用金屬化聚丙烯薄膜作為介質
2025-12-05 15:11:03
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