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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>ROHM開發出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”

ROHM開發出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”

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RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

ROHM開發的“RGS系列”是滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導損耗非常低,非常有助于應用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199

650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關型)”共21種機型,該系列產品同時實現了業界頂級的低傳導損耗和高速開關特性,并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:251901

實現工業設備的輔助電源應用要求的高耐壓低損耗

ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”,是實現1700V耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:051192

RJP60V0DPM 數據表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340

RJP60V0DPM-80 數據表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM-80 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470

R課堂 | 內置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉換器IC:BM2P06xMF-Z系列

采用表貼型封裝,輸出可達45W,待機功耗顯著降低,支持自動貼裝 ROHM面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業設備領域,開發出內置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉換器IC
2023-04-04 12:40:051590

新聞|同時實現業內出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET-R60xxRNx系列

有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數量,并降低功率損耗 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET *1
2023-04-19 17:50:021093

新品 | CIPOS? Tiny 600V 15A三相IPM

:IM323系列的新成員是專門為家用空調和家用電器應用設計的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優化的性能和緊湊的封裝,可用于額定功率達1
2022-04-24 14:39:001593

R課堂 | 600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS?產品陣容又增新品

同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻,可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增了
2023-07-12 12:10:081617

RJP60V0DPM 數據表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320

RJP60V0DPM-80 數據表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM-80 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430

ROHM開發出EcoGaN Power Stage IC

*1,開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。 近年來
2023-07-19 14:58:551485

ROHM開發出EcoGaN? Power Stage IC BM3G0xxMUV-LB,助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積

*1 ,開發出集650V GaN HEMT *2 和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“ BM3G0xxMUV-LB ” ( BM
2023-07-19 17:10:04960

600V三相MOSFET/IGBT驅動器

電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500

5a 600v耐壓igbt SGTP5T60SD1D/F/S可代換AOD5B65M1規格書參數

供應5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS規格書參數 ,可應用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領域,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:132

全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7規格書參數

供應全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491

電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A規格書參數

供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:106

R課堂 | IGBT IPM實例:封裝

3代IGBT IPMBM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”為例進行介紹。 點擊下載 成功實現功率器件熱設計的4大步驟 IGBT IPM實例:封裝?? ? BM
2023-12-07 09:30:022565

羅姆ROHM開發出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1
2023-12-08 17:38:081200

新聞 | 采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ,新產品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:011409

IGBT IPM的優點有哪些

IGBT IPM結合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護特性,其優點可以總結如下: 集成度高: IGBT IPM將多個IGBT器件與驅動、保護等電路集成在一個模塊中,減少
2024-02-23 10:50:101518

ROHM開發出一款采用高速負載響應技術QuiCur?的45V耐壓LDO穩壓器

近日ROHM開發出車載一次側LDO“BD9xxM5-C”,是采用了ROHM高速負載響應技術“QuiCur”的45V耐壓LDO穩壓器,
2024-03-06 13:50:211223

為什么逆變器這個應用領域對IGBT IPM的需求很大?

ROHM于2021年4月宣布推出600V耐壓IGBT IPM(Intelligent Power Module)新產品“BM6337x系列”,隨后又新增了“BM6357x系列”。
2024-03-27 14:10:221587

ROHM推出第四代1200V IGBT

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用,開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374

新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7

新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列600V等級中提供15A、20A和30A三個型號,額定功率高達
2025-04-01 17:34:231257

HPD2606X 600V半橋柵極驅動器技術手冊:高壓高速MOSFET和IGBT驅動設計

內容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300

ROHM開發出適用于AI服務器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

~兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻,被全球知名云平臺企業認證為推薦器件~ 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)于6月3日宣布,開發出100V耐壓的功率MOSFET*1
2025-06-05 13:15:05711

三環薄膜電容高耐壓低損耗特性分析

三方面展開分析: 一、高耐壓特性:材料與結構的雙重保障 1、核心材料選擇 采用聚丙烯(PP)薄膜作為介質,其分子結構穩定,介電常數低(約2.2),但耐壓強度高(可達600V/μm以上)。PP薄膜的熱穩定性優異,可在-55℃至+125℃環境下長期工作,且
2025-09-04 14:32:12590

ROHM BM63574S-VC智能功率模塊文檔介紹

ROHM BM63574S-VC 是專為三相電機控制設計的智能功率模塊(IPM),集成 600V/15A IGBT、柵極驅動器、自舉二極管、續流二極管及完整保護電路,核心優勢在于高集成度、強保護能力
2025-10-05 15:11:001306

BM63377S-VA智能電源模塊IPM文檔介紹

BM63377S-VA是將柵極驅動器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復二極管一體化封裝的智能電源模塊(IPM)。集成 600V/30AIGBT、柵極驅動器(HVIC/LVIC)、自舉二極管
2025-10-05 15:47:001271

BM64378S-VA智能電源模塊IPM文檔介紹

BM64378S-VA是將柵極驅動器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復二極管一體化封裝的智能電源模塊(IPM),集成 600V/35AIGBT、柵極驅動器(HVIC/LVIC)、自舉二極管
2025-10-05 16:14:001257

BM63373S-VC智能電源模塊IPM文檔總結

BM63373S-VC是將柵極驅動器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復二極管一體化封裝的智能電源模塊(IPM)。集成 600V/10AIGBT、柵極驅動器(HVIC/LVIC)、自舉二極管
2025-10-05 16:52:001328

高壓濾波車規電容 600V 耐壓 換電站接口電壓穩定保障

直接影響著整個系統的電壓穩定性和電能質量。本文將深入探討600V耐壓等級車規電容的技術特點及其在換電站接口電壓穩定中的保障機制。 一、高壓濾波電容的技術特性 1. 材料與結構創新 現代高壓濾波電容采用金屬化聚丙烯薄膜作為介質
2025-12-05 15:11:03270

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