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滿足AEC-Q101標準的SiC MOSFET又增10個型號,業界豐富的產品陣容!

吳湛 ? 來源:羅姆 ? 作者:羅姆 ? 2023-02-09 10:19 ? 次閱讀
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ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產品“支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101”,而且共有13款型號,擁有業界豐富的產品陣容。

為了延長xEV的續航距離,要求車載充電器實現高輸出、高效率

近年來,xEV(電動汽車的總稱)汽車迅速普及。其中電動汽車(EV)的普及速度尤為迅速,然而續航距離短卻成為亟需解決的課題。為了延長續航距離,所配置電池的容量呈日益增加趨勢,與此同時,還要求縮短充電時間。為了滿足這種市場需求,比起11kW、22kW這樣的說法,市場更需要更高輸出、更高效率的車載充電器,故采用SiC MOSFET的應用案例越來越多。另外,以歐洲為中心,所配置電池的電壓也呈日益增高趨勢(800V),這就需要更高耐壓且更低損耗的功率元器件。

poYBAGPbi4qAKjVgAAC8hX_yd18729.jpg

基于這種市場需求,ROHM一直致力于擴充支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的產品陣容。此次新增的10款型號,是采用了ROHM第三代溝槽柵結構的SiC MOSFET。第三代SiC MOSFET與第二代平面型SiC-MOSFET相比,導通電阻降低約50%,輸入電容降低約35%。這些新產品的加入,使包括SiC SBD(肖特基勢壘二極管)在內的滿足AEC-Q101標準的分立型產品目前多達34款型號,實屬業界頂級陣容。下面是滿足AEC-Q101標準的SiC MOSFET所有產品的陣容。如欲了解單個產品的規格,請點擊產品名稱的鏈接。

<滿足AEC-Q101標準的車載用SiC MOSFET產品陣容>

通用規格:工作溫度范圍-55℃~+175℃、TO-247N封裝、支持AEC-Q101

代別
(柵極結構)
產品名稱 VDS
(V)
導通電阻(typ.)
(mΩ)
ID
(A)
PD
(W)
第3代
(溝槽柵結構)
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3017ALHR
650 17 118 427
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3022ALHR
22 93 339
SCT3030ALHR 30 70 262
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3060ALHR
60 39 165
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3080ALHR
80 30 134
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3120ALHR
120 21 103
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3022KLHR
1200 22 95 427
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3030KLHR
30 72 339
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3040KLHR
40 55 262
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3080KLHR
80 31 165
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3105KLHR
105 24 134
poYBAGPbb_2ADUBXAAAH7gePBJQ420.png
SCT3160KLHR
160 17 103
第2代
(平面柵結構)
SCT2080KEHR 1200 80 40 262

領先業界的SiC功率元器件的開發和生產體制

ROHM于2010年在全球率先成功實現了SiC MOSFET的量產,在SiC功率元器件領域始終在推進領先業界的產品開發并打造相應的量產體制。針對需求不斷擴大的車載市場,ROHM及時確立了支持AEC-Q101等的車載級品質和可靠性,并從2012年起開始供應車載充電器用的SiC SBD,從2017年起開始供應車載充電器和DC/DC轉換器用的SiC MOSFET。

pYYBAGPbi5uAI4CHAAFBarzjKo8240.jpg

另外,ROHM一直秉承“質量第一”的理念,采用從開發到制造全部在集團內進行的“垂直統合型”體制,針對在SiC功率元器件,也建立了從晶圓到封裝全部在集團內部進行的一條龍生產體制,實現了高品質和高可靠性。

poYBAGPbi52ARcfbAAGkMWZjhyE826.jpg

未來,ROHM將繼續致力于擴充車載用SiC功率元器件的產品陣容。

審核編輯黃宇


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