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電子發燒友網>汽車電子>臺積電:2024年將推出N4AE和N3AE平臺

臺積電:2024年將推出N4AE和N3AE平臺

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報道稱將于2022下半年量產3納米芯片

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2024可能會從第一跌到第三

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2023-09-08 10:02:141240

3nm產量大幅增加,已預計6.5萬片晶圓

計劃到2023為止,只批量生產蘋果的3nm工程,新iphone15的初期訂貨量將比以前的型號有所減少。因此,預計4/4季度的3納米工程生產量很難達到當初的預測值80-10萬盒。消息人士稱,因此有人提出質疑稱,tsmc能否在2023之前實現n3的銷售額增長4%至6%的目標。
2023-09-15 10:35:461354

3nm月產能明年增至10萬片

據悉,第一個3nm制程節點N3于去年下半年開始量產,強化版3nm(N3E)制程預計今年下半年量產,之后還會有3nm的延伸制程,共計將有5個制程,包括:N3、N3E、N3P、N3S以及N3X。
2023-09-26 17:00:431709

傳蘋果確認iPhone 16系列采用第二代3nm工藝N3E

據悉,蘋果公司在iphone15 pro (pro)和iphone15 pro max (pro max)兩種機型上搭載了采用n3b(3納米)工藝的a17 pro芯片,此次n3e將在此基礎上節省費用,提高芯片性能和能源效率。蘋果將成為 n3e技術的最大客戶。
2023-10-16 10:20:541532

計劃2024在日本熊本建設第二廠量產6納米芯片

計劃2024在日本熊本建設第二廠量產6納米芯片 計劃在2024動工建設日本熊本第二廠,熊本第二廠總投資額約為2萬億日元,的日本熊本的第二工廠主要面向量產6納米芯片。 熊本
2023-10-16 16:20:021987

3nm芯片銷售額預計占2023收入的4-6%

根據發展藍圖,下一個3nm節點的n3e升級重點放在芯片性能、電力消耗和生產力的提高上。據消息人士透露,該工廠已經開始批量生產n3e,計劃從2024開始n3更換為升級版。
2023-10-17 10:09:271318

有望2025量產2nm芯片

? ? ? ?在臺的法人說明會上據總裁魏哲家透露臺有望2025量產2nm芯片。 目前,已經開始量產3nm工藝; 臺灣新竹寶山、高雄兩座工廠的2nm芯片計劃2024試產
2023-10-20 12:06:232227

AE8電機控制器的拆解分析

上期拆解報告展示了春風摩極核AE8的整車拆解,這期給大家帶來AE8電機控制器的拆解分析。
2023-10-23 15:11:216084

宣布日本第二座晶圓廠!

日本正積極與等公司合作,幫助其振興本土半導體產業。目前臺在熊本建廠計劃,與索尼、日本裝合資,原計劃一廠采用22/28nm制程,隨后推進到12/16nm,預計2024底開始量產。2025開始獲利。
2023-11-22 17:52:191486

2024恢復成熟制程價格折讓 幅度約2%

在上次降價3后,ic制造企業表示,此次將在2024之前部分成熟工程的價格下調約2%。另一家ic企業表示:“確實正在與就明年的價格打折問題進行協商。”另外,ic設計工廠表示,提供的優惠方式是在第一季度膠卷投入結束后進行結算,因此換算成下季度的光罩費用。
2023-11-27 11:39:001377

傳高通驍龍8 Gen 4取消雙代工策略 由獨家代工

法人方面表示:“隨著3nm設備數量劇增,聯發科、高通、英偉達、AMD等4個客戶正在引進高端制程,因此到2024末為止,3nm 家族(包括n3e)的月生產量增加到10萬左右?!?/div>
2023-12-04 14:10:281679

再現排隊潮,最先進制程越來越搶手

3nm制程家族在2024有更多產品線,除了當前量產的N3E之外,明年再度推出N3P及N3X等制程,讓3nm家族成為繼7nm家族后另一個重要生產節點。
2023-12-05 10:25:061038

3nm工藝預計2024產量達80%

據悉,2024的第二代3nm工藝(稱為N3E)有望得到更廣泛運用。此前只有蘋果有能力訂購第一代N3B高端晶圓。經過解決工藝難題及提升產量后,推出經濟實惠的3nm版型,吸引更多企業采用。
2024-01-03 14:15:171715

晶圓平均售價同比上漲22.8%!

根據最新的財報,2024第四季度,12英寸晶圓的平均售價同比上漲了22.8%,達到了6611美元。這一漲幅的主要原因在于,N33nm)制程技術的收入占比大幅提升。市場分析
2024-01-25 15:35:34746

ISSCC 2024談萬億晶體管,3nm導入汽車

推出更先進封裝平臺,晶體管可增加到1萬億個。
2024-02-23 10:05:572112

產能受益于先進制程,索尼半導體選擇熊本?

英偉達GTC大會將在美西時間3月17日啟幕,市場認為H200和B100可能會于大會期間提前公開以搶占市場份額。據悉,這兩款產品分別使用N4N3制程,其中H200有望在今年Q2面市,而B100采用Chiplet設計架構的消息已得到證實,并且已下單進行投片。
2024-03-11 09:45:03965

將建第3座晶圓廠 美國提供66億美元補貼

亞利桑那州已經在建設2座晶圓廠,加上計劃中的第3座晶圓廠,預計在亞利桑那州總資本支出超過650億美元,換算下來約人民幣4700億。 在美第一座晶圓廠Fab 21一期工程計劃2025上半年投產,5nm、4nm工藝。 Fab 21二期工程計劃2028投產
2024-04-09 10:56:351549

2023報:先進制程與先進封裝業務成績

據悉,近期發布的2023報詳述其先進制程與先進封裝業務進展,包括N2、N3、N4N5、N6e等工藝節點,以及SoIC CoW、CoWoS-R、InFO_S、InFO_M_PoP等封裝技術。
2024-04-25 15:54:581797

蘋果M4芯片采用N3E工藝,分三款

據悉,蘋果將于當地時間今晚十時舉行的“放飛吧”特別活動上發布全新iPad Pro產品,預計搭載M4處理器,且有傳言稱其采用N3E制程。
2024-05-07 15:40:501557

4月銷售額同比增長59.6%

4月銷售額同比增長59.6% 根據公布的數據顯示,在244月份銷售額為2360.2億元新臺幣,環比增長20.9%,同比增長59.6%;如果合計來算的話,20241至4月銷售額達8286.7億元新臺幣,同比增長26.2%。
2024-05-11 19:41:432063

N3P工藝新品投產,性能提質、成本減負

N3E工藝的批量生產預期如期進行,其缺陷密度與2020量產的N5工藝相當。N3E的良率評價頗高,目前僅有的采用N3E的處理器——蘋果M4,其晶體管數量及運行時鐘速度均較基于N3工藝的M3有所提升。
2024-05-17 09:17:242996

采用HBM4,提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲方案

在近期舉行的2024歐洲技術研討會上,透露了即將用于HBM4制造的基礎芯片的部分新信息。據悉,未來HBM4采用邏輯制程生產,而計劃利用其N12和N5制程的改良版來完成這一任務。
2024-05-20 09:14:111792

準備生產HBM4基礎芯片

在近日舉行的2024歐洲技術研討會上,透露了關于HBM4基礎芯片制造的新進展。據悉,未來HBM4采用邏輯制程進行生產,計劃使用其N12和N5制程的改良版來完成這一任務。
2024-05-21 14:53:141442

2nm制程近況佳,N3X、N2P以及A16節點已在規劃中

聯合首席運營官張曉強進一步指出,2nm制程的研發正處于“非常順利”的狀態:納米片的“轉換效果”已達預定目標中的90%,良率亦超過80%。預計,其N2制程在2025問世后,仍將保持業界領先地位。
2024-05-24 16:38:451663

2024新建七座工廠,3nm產能翻倍

在近日舉行的2024技術論壇新竹場,高管黃遠國透露了公司宏偉的擴張計劃。他宣布,將在今年新建七座工廠,其中包括五座晶圓廠和兩座先進封裝廠,以滿足全球日益增長的半導體需求。
2024-05-29 11:22:121849

2025繼續漲價,5/3納米制程產品預計漲幅3~8%

據業內資深人士透露,全球芯片制造巨頭已不僅限于2024的價格調整策略,而是漲價趨勢延續至2025。近期,已向多家重要客戶傳達了關于20255納米及3納米制程產品的漲價計劃,預計
2024-08-08 09:57:082602

谷歌Tensor G系列芯片代工轉向

近日,谷歌Tensor G4將成為該公司最后一款由三星代工的手機芯片。從明年的Tensor G5開始,谷歌選擇作為其新的代工伙伴,并采用的第二代制程(N3E)進行生產。 值得注意
2024-10-24 09:58:411299

美國Fab 21晶圓廠2024Q4量產4nm芯片

近日,據外媒報道,已確認其位于美國亞利桑那州的Fab 21晶圓廠將在2024第四季度正式進入大批量生產階段,主要生產4nm工藝(N4P)芯片。 然而,與在臺灣地區的晶圓廠相比,Fab
2025-01-20 14:49:411130

蘋果M5芯片量產,采用N3P制程工藝

工藝——N3P。與前代工藝相比,N3P在性能上實現了約5%的提升,同時在功耗方面降低了5%至10%。這一顯著的進步意味著,搭載M5芯片的設備將能夠提供更強大的處理能力,同時擁有更出色的電池續航能力。 除了制程工藝的提升,蘋果M5系列芯片還采用了
2025-02-06 14:17:461315

英特爾18A與N2工藝各有千秋

TechInsights分析,N2工藝在晶體管密度方面表現突出,其高密度(HD)標準單元的晶體管密度高達313MTr/mm2,遠超英特爾Intel 18A的238MTr/mm2和三星SF2/SF3
2025-02-17 13:52:021090

西門子與合作推動半導體設計與集成創新 包括N3P N3C A14技術

西門子和在現有 N3P 設計解決方案的基礎上,進一步推進針對臺 N3C 技術的工具認證。雙方同時就電新的 A14 技術的設計支持展開合作,為下一代設計奠定基礎。
2025-05-07 11:37:061416

力旺NeoFuse于N3P制程完成可靠度驗證

力旺電子宣布,其一次性可編程內存(One-Time Programmable, OTP)NeoFuse已于N3P制程完成可靠度驗證。N3P制程為3奈米技術平臺中,針對功耗、效能與密度進行
2025-07-01 11:38:04877

選型手冊:VS2622AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持2.5V邏輯電平控制,采用PDFN3x3封裝,適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品
2025-12-18 17:42:57176

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