10月7日，臺積電宣布，其業界首款可商用的極紫外（EUV）光刻技術七納米plus（N7+）將向客戶交付產品。采用EUV技術的N7+工藝建立在臺積電成功的7nm節點之上，為6nm及更先進的技術鋪平了道路。

N7+的量產是有史記錄以來最快之一。N7+于2019年第二季度開始量產，其產量與最初的N7工藝（已超過一年的產量）相近。

N7+還提供了改進的整體性能。與N7工藝相比，N7+的密度提高了15％至20％，并降低了功耗，這使其成為行業下一波產品越來越受歡迎的首選。臺積電一直在快速部署容量以滿足由多個客戶驅動的N7+需求。

EUV技術使臺積電能夠繼續推動芯片尺寸的開發，因為較短波長的EUV光能夠更好地打印出先進技術設計的納米級特征。臺積電的EUV工具已達到生產成熟度，工具的可用性已達到批量生產的目標，并且在日常操作中的輸出功率大于250瓦。

“隨著AI和5G的不斷涌現，使IC改善生活的新方法如此之多，我們的客戶充滿了創新的前沿設計理念，他們依靠臺積電的技術和制造來使它們成為現實，”臺積電業務發展副總裁張凱文博士說。“我們在EUV上的成功讓臺積電不僅使那些領先的設計成為可能，而且憑借我們卓越的制造能力實現了大批量交付的又一個很好的例子。”

基于其成功的經驗，N7+為未來的先進工藝技術奠定了基礎。臺積電將在2020年第一季度將N6技術投入風險生產，并在年底之前實現量產。隨著EUV的進一步應用，N6的邏輯密度將比N7高18％，并且與N7完全兼容的設計規則使客戶可以大大縮短產品上市時間。