臺積電將于2024年引進ASML最新EUV光刻機，主要用于相關(guān)研究
日前，在臺積電召開的會議上，有一名高管稱臺積電將于2024年引進ASML正在研發(fā)的最新的High-NA EUV光刻機。
會議中，該高管稱：為了滿足客戶所需的相關(guān)基礎設施的開發(fā)等，臺積電將于2024年引進ASML最先進的High-NA EUV光刻機，并且推動臺積電的創(chuàng)新能力。不過另一位高管補充道：臺積電并不打算在2024年將High-NA EUV光刻機投入到生產(chǎn)工作中去，將首先與合作伙伴進行相關(guān)的研究。
據(jù)了解，High-NA EUV光刻機的High-NA代表的是高數(shù)值孔徑，相比于現(xiàn)在的光刻技術(shù)，這種光刻機能夠降低66%的尺寸，2nm及其之后的技術(shù)也都要靠High-NA EUV光刻機才能夠?qū)崿F(xiàn)，所以這種光刻機也被認為是延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)。
目前ASML還在制造High-NA EUV光刻機，首臺將會在明年完工，不過正式投入使用估計要等到2025年了。
綜合整理自 同花順財經(jīng) 澎湃新聞 IT之家
審核編輯 黃昊宇
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