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臺(tái)積電2nm制程近況佳,N3X、N2P以及A16節(jié)點(diǎn)已在規(guī)劃中

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-24 16:38 ? 次閱讀
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據(jù)悉,臺(tái)灣《MoneyDJ 理財(cái)網(wǎng)》于5月24日透露,臺(tái)積電高管在近期舉行的2024年技術(shù)論壇上透露,該公司采用Nanosheet納米片(GAA晶體管)的2nm節(jié)點(diǎn)研發(fā)進(jìn)程十分順利。

臺(tái)積電聯(lián)合首席運(yùn)營官張曉強(qiáng)進(jìn)一步指出,2nm制程的研發(fā)正處于“非常順利”的狀態(tài):納米片的“轉(zhuǎn)換效果”已達(dá)預(yù)定目標(biāo)中的90%,良率亦超過80%。臺(tái)積電預(yù)計(jì),其N2制程在2025年問世后,仍將保持業(yè)界領(lǐng)先地位。

此外,Anandtech網(wǎng)站整理顯示,臺(tái)積電計(jì)劃在2025年下半年實(shí)現(xiàn)N2制程的大規(guī)模生產(chǎn),同時(shí)還將推出適用于HPC應(yīng)用的3nm家族N3X制程。

N3X制程具備更優(yōu)的1.2V最大電壓,與N3P制程相比,在同等頻率下功耗降低7%,在同等面積下性能提高5%,在同等頻率下密度增加10%。據(jù)IT之家早前報(bào)道,該節(jié)點(diǎn)有望自今年起開始接受投片。

至于2026年下半年,臺(tái)積電將量產(chǎn)兩款2nm家族變體制程:N2P及A16。其中,N2P制程在同等頻率和密度下功耗降低5~10%,在同等密度和功耗下性能提高5~10%。

在A16節(jié)點(diǎn),臺(tái)積電將正式引入背面供電技術(shù)。該制程能在相同工作電壓下,頻率提高8~10%;在同等頻率下功耗降低15~20%,密度最高提高10%。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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