援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網消息： 【英飛凌公司正推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，并與中國碳化硅材料供應商北京天科合達半導體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協議，以確保獲得更多具有競爭力的碳化硅來源。天科合達將為英飛凌供應用于生產SiC半導體的6英寸碳化硅材料，其供應量占到英飛凌未來長期預測需求的兩位數份額。】

英飛凌是國際著名的半導體公司，其前身是西門子集團的半導體部門，英飛凌技術實力雄厚，在功率半導體市場占有率國際第一。近年來，英飛凌公司不斷加強其SiC制造能力，并持續看好亞太區第三代半導體市場。公司制訂了遠景目標，力爭在2030年達成30%全球SiC市場份額。

基于對碳化硅發展前景的充分看好，英飛凌公司在過去幾年，與全球碳化硅材料主要供應商紛紛簽訂長期供貨協議。可能是出于對亞太市場尤其是中國市場的考慮，英飛凌公司推動了這次與中國供應商天科合達長期合作協議的簽訂。

據業一位內人士稱，天科合達這家碳化硅材料公司是具有深厚的中科院背景和國資背景的高科技企業。公司在2006年成立，成立之初的主要技術源自中科院物理研究所，主要產業化支持資金來源于新疆天富集團。近年來，伴隨著“雙碳”建設的深入實施以及國家對第三代半導體的大力支持，以新能源汽車、光伏風電、儲能設施、軌道交通、5G通訊等為主要應用的碳化硅市場快速擴容。以天科合達、天岳先進、爍科晶體等為代表的國內碳化硅材料企業迎來快速發展的時機。天科合達在導電襯底領域尤為出色，占據了國內一半以上的市場份額，2021年國際市場占有率排名第四，在產品良率方面也處于行業領先地位。公司已經得到國家政策基金和產業基金的大力支持，國家集成電路產業投資基金、哈勃科技投資基金、比亞迪、寧德時代、潤科基金都是天科合達的股東。此次雙方合作協議的簽訂，是英飛凌公司對天科合達產品質量的充分肯定，也是英飛凌完善供應鏈建設的一次關鍵選擇。英飛凌位于馬來西亞居林的碳化硅工廠計劃于2024年投產，預計天科合達將會有效保證該廠的碳化硅晶圓供應。

本報記者就相關情況致電中科院物理研究所碳化硅團隊負責人、天科合達首席科學家陳小龍研究員。

陳小龍談起就碳化硅的重要優勢時說：

「碳化硅是引領第三代半導體產業發展的重要材料，應用前景廣闊，大大助力于“雙碳”戰略的實施。碳化硅屬于第三代半導體材料，和第一代以硅為主、第二代以砷化鎵為主的半導體材料相比，具有禁帶寬度大、飽和電子遷移率高、導熱性能等優勢，特別適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導體器件。比如電動汽車應用碳化硅器件做逆變器、變壓器，甚至是車載充電樁，可以做得體積小，重量輕，這樣提高電動汽車的續航里程，同時轉換效率高，能夠有效節能。在光伏逆變器和儲能逆變器領域，提高電能利用率，大大降低能耗損失。未來碳化硅器件將會覆蓋更高電壓等級器件，可應用于軌道交通和智能電網等領域。碳化硅功率器件導通電阻底，開關頻率高，能夠有效降低系統能耗，達到節能減排的目的，是為“雙碳”戰略服務的重要材料。」

陳教授談起我國的碳化硅技術發展，他說：

「我國碳化硅技術起步較晚，天科合達是中科院物理研究所產學研合作成功的典型案例，一直在推動著國內碳化硅技術進步。碳化硅（SiC）晶體生長極其困難，上世紀90年代只有少數發達國家掌握SiC晶體生長和加工技術，我國起步較晚。為推動SiC晶體國產化，避免我國寬禁帶半導體產業被“卡脖子”，我們團隊從1999年開始，從基礎研究到應用研究，自主研發突破了從生長設備到高質量SiC晶體生長和加工等關鍵技術。我們形成了具有自主知識產權的完整技術路線，進而推動國內第一家SiC晶體產業化公司北京天科合達成立。天科合達不斷發展壯大，取得了不錯的經濟和社會效益，帶動了整個產業鏈快速發展，團隊因此獲得了中國科學院2020年度科技促進發展獎，成為中科院產學院合作的一個優秀案例。」

對于這次簽約，陳教授說：

「國際碳化硅器件廠商與材料廠簽訂長約，一直是普遍的做法，英飛凌鎖定天科合達的部分產能，即有利于推動天科合達技術進步，也鞏固了英飛凌的供應鏈系統，是一個雙贏的選擇。」

另外，中科院物理所陳小龍教授還稱，目前物理所研發團隊還關注碳化硅液相法晶體生長技術，希望基礎研究上跟進一步，為其產業化發展奠定基礎。

審核編輯 黃宇