碳化硅單晶的制造一直是世界性的技術難題，穩定性高的結晶生長工程是其中最核心的技術。

第三代半導體碳化硅材料生產及研究開發企業作為中國電科集團的“12大創新平臺之一，山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領域，已成為國內實現碳化硅襯底材料供應鏈自主創新的供應商之一。

爍科晶體核心團隊，從2009年開始埋頭開發包括碳化硅生長碳化硅材料設備制造，粉末合成材料，決定成長及chende加工等先后突破預測高純碳化硅粉末合成技術，我缺點大直徑碳化硅生長工藝技術和超平坦碳化硅chende加工技術等核心技術難題。爍科晶體表示，公司在國內率先突破了8英寸高純度半切割及導電基板制造技術，已實現少量銷售，技術技術達到國際先進水平。

爍科晶體將以8英寸導電N型碳化硅襯底4N48競逐IC風云榜“年度優秀創新產品獎”。硅碳化硅同質板是在導電硅電石基板上生長硅碳化硅外延而得到的，可制造肖特基二極管、mosfet等功率器件，應用于新能源汽車，軌道交通以及大功率輸電變電等領域。

爍科晶體于2018年獲得山西省優秀技術難題解決組，2019年作為配套企業獲得“國家科學技術進步一等獎”。爍科晶體國家級專業化特新“小巨人”企業，山西省制造業單項排名第一的企業，山西省第三代半導體產業鏈條“鏈主”企業、山西省碳化硅材料工程研究中心、山西省碳化硅材料中試基地建設獲得了依賴企業等榮譽。

爍科晶體表示，將向著“國內最高、世界一流的碳化硅材料供應企業”的企業飛躍邁進。