集微網消息，2月28日，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地舉行投產儀式。

圖片來源：中國電科

中國電科黨組書記、董事長熊群力指出，中國電科（山西）電子信息科技創新產業園是中國電科圍繞半導體材料、裝備制造產業領域在晉的戰略布局。

中國電科（山西）電子信息科技創新產業園項目包括“一個中心、三個基地”。“三個基地”即中國電科（山西）碳化硅材料產業基地、中國電科（山西）電子裝備智能制造產業基地、中國電科（山西）能源產業基地。

其中，本次投產的中國電科（山西）碳化硅材料產業基地將建成國內最大的碳化硅（SiC）材料供應基地。中國電科（山西）碳化硅產業基地一期項目于2019年4月1日開工建設，同年9月26日封頂，據此前山西綜改示范區消息，一期項目建筑面積2.7萬平方米，能容納600臺碳化硅單晶生產爐和18萬片N型晶片的加工檢測能力，可形成7.5萬片的碳化硅晶片產能，將徹底解決國外對我國碳化硅封鎖的局面，實現完全自主可供。項目投產后將成為中國前三、世界前十的碳化硅生產企業，可實現年產值10億元。

由于大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率，碳化硅材料在眾多戰略行業具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。

自 2007 年，中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規劃，依靠自身在電子專用設備研發領域的技術優勢，潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。目前全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線，在國內最早實現了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產。