寶礫微MOS管 PL0807N10 DFN5*6 100V/74.4A N溝道MOSFET

應用領域：

DC-DC轉換

硬開關和高速電路

電動工具

概述：

PL0807N10是寶礫微推出的漏源電壓100V的N溝道功率MOSFET。產品采用DFN5* 6mm封裝，經過100％的UIS測試，100％的Rg測試，安全性能較好。產品適用于DC-DC轉換、SMPS中的同步整流和電機控制等。最大額定值參數，25℃下的連續(xù)漏*電流74A。脈沖漏*電流高達260A。單脈沖雪崩能量為245mJ。耗散功率為83W。工作溫度和存儲溫度范圍為-55℃~150℃，溫度適應性較好。結殼熱阻為1.5℃/W，散熱性能較好。25℃下，漏源導通電阻的典型值為6.5mΩ(VGS=10V)。漏源體二極管的反向恢復時間的典型值為40ns，產品響應快。

產品特點：

高速電源開關，邏輯電平

較強的體二極管dv/dt能力

較強的雪崩強度

經過100％的UIS測試，100％的Rg測試

無鉛，無鹵素

DFN5* 6mm封裝

深圳市芯美力科技有限公司

寶礫微原廠代理，可提供樣品測試和技術支持，歡迎聯系咨詢

審核編輯?黃宇

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選型手冊：MOT12N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領域

2025-11-07 10:31:03

211

選型手冊：MOT9N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-07 10:23:59

240

選型手冊：MOT7N65AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED

2025-11-06 16:15:37

292

選型手冊：MOT5N50BD N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-06 16:05:07

286

選型手冊：MOT100N03MC N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關特性，適用于各類開關應用（如

2025-11-06 15:44:22

305

ZK40N100G：PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標桿

在中低壓功率電子系統(tǒng)的設計中，MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現，是決定產品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管，以40V耐壓、90A大電流、PDFN5x6

2025-11-05 16:30:47

343

中科微電ZK60N04NF：DFN封裝加持的中低壓功率控制核心

在中低壓功率電子系統(tǒng)中，MOS管的性能參數與封裝形式直接決定了電路的效率、可靠性與集成度。ZK60N04NF作為一款聚焦實用化的N溝道MOS管，以60V耐壓、40A電流承載能力及DFN5*6封裝

2025-11-05 16:15:44

304

選型手冊：MOT70N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性，適用于各類開關應用（如DC-DC

2025-11-05 16:01:03

239

選型手冊：MOT15N50F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源

2025-11-05 12:10:09

283

中科微電ZK60N04NF：N溝槽MOS管中的場景適配專家

在功率半導體的細分賽道中，MOS管的性能參數直接決定著電路系統(tǒng)的效率與可靠性。ZK60N04NF這款明確標注“N溝槽”屬性的MOS管，以60V額定電壓、40A額定電流與DFN5*6封裝的精準組合

2025-11-05 11:24:13

254

選型手冊：MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息MOT4N65F為N溝道功率MOSFET，核心參數表現為：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：6

2025-11-04 15:59:03

238

選型手冊：MOT9N50D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-04 15:22:12

226

選型手冊：MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉換場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導通損耗及優(yōu)異開關特性，廣泛適用于高要求DC-DC轉換器、高效

2025-11-03 16:33:23

497

選型手冊：MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-03 15:26:33

298

選型手冊：MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開關應用（如DC-DC轉換器

2025-10-31 17:36:09

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N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管

N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管

2025-10-31 09:35:26

ZK30N100T N溝道增強型功率MOSFET技術手冊

ZK30N100T是一款采用先進溝槽技術的N溝道增強型功率MOSFET，文檔從核心特性、關鍵參數、應用場景、封裝與包裝、電氣及熱特性、測試電路、機械尺寸等多維度展開介紹，為該器件的選型

2025-10-16 16:23:01

中科微電mos管ZK30N100G 30V 90A

2025-10-15 17:54:45

中科微電N溝道MOS管：ZK60N20DQ技術解析特性、應用與設計指南

在便攜式電子、物聯網、小型電機驅動等中小功率場景中，兼具低功耗、快速響應與高可靠性的MOS管成為核心器件。ZK60N20DQ作為一款高性能N溝道增強型MOS管，憑借 “高耐壓、大電流、微型封裝

2025-09-29 17:45:06

696

Toshiba推出采用最新一代工藝技術[1]的100V N溝道功率MOSFET，以提升工業(yè)設備開關電源效率

Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標應用包括數據中心和通信基站所用

2025-09-28 15:17:14

500

FS8205 20V N 溝道增強型MOS場效應管技術手冊

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2025-09-23 15:03:33

100V200V250V MOS管詳解 -HCK450N25L

施加正電壓會使P型硅表面反型形成N型溝道；而對于PMOS管，柵極施加負電壓則使N型硅表面反型形成P型溝道。這種溝道的形成與調控機制，構成了MOS管工作的基礎。主要特點高輸入電阻：由于柵極與半導體間

2025-08-29 11:20:36

N管15N10 場效應管 100V60V30V15A 電源MOS管HC070N10L TO-252封裝散熱好低內阻皮實耐抗

高效可靠，驅動未來：惠海HC070N10L MOSFET賦能電子設計在追求高效能與緊湊設計的電子工程領域，惠海半導體推出的HC070N10L N溝道MOS管憑借其良好性能與工業(yè)級可靠性，成為中小

2025-08-09 11:10:45

支持60V70V80V100V45A大電流方案N通道MOS管HC025N10L高性價比高效率穩(wěn)定

。惠海半導體MOS管包含20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN33、PDFN56、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-220的全系列NMOS和PMOS

2025-07-10 14:03:45

DK5V100R10VN 東科集成100V功率NMOS管同步整流芯片

DK5V100R10VN是一款簡單高效率的同步整流芯片。芯片內部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導通損耗，提高整機效率，取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基整流二極管

2025-07-05 15:53:44

AP8N10MI 永源微8A100V SOT23-3n溝道增強模式MOSFET

描述AP8N10MI采用先進的溝槽技術提供優(yōu)良的rds (ON)，低柵極電荷和工作電壓低至4.5V。這該裝置適合作為電池保護裝置使用或其它開關應用。一般特征vds = 100v I d = 8aR

2025-06-30 09:50:05

100V15A點煙器N溝道MOS管HC070N10L

N溝道MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種電壓控制型器件，依靠N型半導體中的電子導電。當柵極電壓超過閾值電壓時，源極與漏極之間形成導電溝道，實現電流導通，具有輸入阻抗高、開關速度快

2025-06-27 17:35:56

20A TO252 -2L 20N10D N溝道增強型MOSFET規(guī)格書

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2025-05-14 16:42:46

ZSKY-2302-20V-2.3A 150-160K N溝道MOSFET技術手冊

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2025-05-13 16:40:56

ZSKY-2302-20V-2.3A 155K N溝道MOSFET技術手冊

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2025-05-13 16:38:34

ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET技術手冊

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2025-05-13 16:34:29

ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-05-13 16:31:15

MOS管的工作原理：N溝道與P溝道的區(qū)別

MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是現代電子設備中最常用的半導體器件之一。它通過電場效應控制電流的導通與截止，廣泛應用于放大、開關和信號處理等電路中。MOS管根據溝道類型的不同，主要分為N溝道

2025-05-09 15:14:57

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CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換應用中的損耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET

2025-04-16 10:54:00

755

CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換應用中的損耗。 *附件：CSD18512Q5B 40 V N 溝道 NexFET

2025-04-16 10:20:33

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納祥科技NX7010，PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A雙N溝道MOSFET

NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX701030V20A雙N溝道MOSFET30V20A雙N溝道MOSFET納祥科技NX7010是一款30V20A雙N溝道MOSFET，它的工作原理是基于柵

2025-03-21 15:33:20

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PSMN2R6-100SSF N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-02-18 15:41:52

PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標準電平MOSFET規(guī)格書

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2025-02-14 15:44:04

PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書

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2025-02-14 15:42:09

2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網站提供《2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載

2025-02-09 11:29:17

瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

全球領先的半導體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項重要技術創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10

2025-01-22 17:04:06

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Powlicon/寶礫微 60V 5A 同步降壓轉換芯片PL86051 DC-DC應用

寶礫微代理商 PL86051是一款為高性能同步降壓DC/DC應用設計的高壓降壓轉換器，輸入電壓高達60V。PL86051集成了一個高效率的同步降壓開關穩(wěn)壓器，包括一個60V、20毫歐的高端和一個

2025-01-20 14:29:39

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寶礫微MOS管 PL0807N10 DFN5*6 100V/74.4A N溝道MOSFET

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