英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲(chǔ)器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項(xiàng)，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
51 KYOCERA AVX EM系列多層陶瓷電容器：非飛行原型設(shè)計(jì)的理想之選 在電子工程師進(jìn)行非飛行原型設(shè)計(jì)時(shí)，常常面臨著時(shí)間緊迫、成本控制以及性能匹配等多方面的挑戰(zhàn)。KYOCERA AVX推出
2025-12-30 11:10:06131 eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲(chǔ)，它彌補(bǔ)了 FPGA 芯片自身存儲(chǔ)能力的不足，為 FPGA 提供一個(gè)高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283984 
在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04243 如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序升級(jí)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)？
2025-12-15 07:39:51
的重要課題。ICYDOCK憑借在存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的技術(shù)積累，開發(fā)出系列PCIe插槽硬盤盒產(chǎn)品，為企業(yè)用戶提供高密度、易維護(hù)的存儲(chǔ)擴(kuò)展選擇。這些解決方案直接通過PCIe
2025-12-12 16:55:461079 
把時(shí)間撥回到上世紀(jì)80年代，個(gè)人PC的興起對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了全新要求，也預(yù)示著一場(chǎng)深刻變革的到來。當(dāng)時(shí)間演進(jìn)至1988年，在存儲(chǔ)技術(shù)的關(guān)鍵分水嶺上，“高密度非易失性存儲(chǔ)”正從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化的前沿。也
2025-12-11 08:58:591399 
在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）因其非易失性和可重復(fù)編程的特性，成為了眾多應(yīng)用的理想選擇。今天，我們就來深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42446 
霍爾開關(guān)的可靠性（穩(wěn)定工作、不易失效）和實(shí)用性（適配場(chǎng)景、易集成、低使用成本），核心依賴 “環(huán)境適配設(shè)計(jì)、電氣防護(hù)、低功耗優(yōu)化、標(biāo)準(zhǔn)化集成”四大方向，
2025-12-02 16:53:571188 
在鋰電池的生產(chǎn)與應(yīng)用領(lǐng)域，安全始終是重中之重。鋰電池外殼的氣密性直接關(guān)系到電池的性能、壽命以及使用安全。傳統(tǒng)的檢測(cè)方法往往存在一定的局限性，而如今，非破壞性檢測(cè)新選擇——鋰電池外殼氣密性檢測(cè)儀
2025-12-02 14:31:48134 
近日，易華錄研發(fā)的“全場(chǎng)景磁光電融合智能分級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)”成功入選《2025年度全球計(jì)算產(chǎn)業(yè)應(yīng)用案例匯編》，為全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè)提供了創(chuàng)新解決方案。
2025-11-27 17:40:10590 在labview里面對(duì)實(shí)時(shí)掃描資源中的C系列模塊NI9234進(jìn)行配置發(fā)生非預(yù)期錯(cuò)誤，采用的設(shè)備時(shí)cRIO-9033，使用掃描模式
2025-11-26 23:34:08
在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的新型非易失存儲(chǔ)器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35248 在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 Ω。
TPL0102配備非易失性存儲(chǔ)器（EEPROM），可用于存儲(chǔ)擦刷 位置。這很有好處，因?yàn)橛晁⑽恢眉词乖跀嚯姇r(shí)也會(huì)被存儲(chǔ)，且 開機(jī)后會(huì)自動(dòng)恢復(fù)。可以訪問TPL0102的內(nèi)部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623 
，都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來分，存儲(chǔ)芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲(chǔ)芯片就像電腦的內(nèi)存（像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:402724 
EEPROM是一項(xiàng)成熟的非易失性存儲(chǔ)（NVM）技術(shù)，其特性對(duì)當(dāng)今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲(chǔ)器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一，其連接安全產(chǎn)品部綜合
2025-11-17 09:30:101633 在需要高速數(shù)據(jù)讀寫與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨(dú)特的磁阻存儲(chǔ)技術(shù)，為工業(yè)控制、汽車
2025-11-13 11:23:46213 地上傳至主站。以下是具體實(shí)現(xiàn)邏輯： 一、暫態(tài)數(shù)據(jù)的本地存儲(chǔ)機(jī)制 非易失性存儲(chǔ)介質(zhì) 裝置內(nèi)置工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)模塊（如 SD 卡、eMMC 閃存或固態(tài)硬盤），容量通常為 8GB~64GB，可支持連續(xù)存儲(chǔ)數(shù)周的高頻暫態(tài)數(shù)據(jù)。例如，某高精度裝置以
2025-11-09 16:43:521103 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 創(chuàng)飛芯作為國(guó)內(nèi)一站式非易失存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商 ，獨(dú)立開發(fā)存儲(chǔ) IP 及 IC ，為客戶提供一站式定制服務(wù)，擁有多項(xiàng)國(guó)內(nèi)外發(fā)明專利。
2025-10-30 16:51:43809 一、并行NAND閃存的基本概念 并行NAND閃存（Parallel NAND）是一種通過多條數(shù)據(jù)線同時(shí)傳輸多位數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)芯片。不同于串行NAND依靠單線傳輸數(shù)據(jù)，并行NAND通過多個(gè)數(shù)據(jù)引腳
2025-10-30 08:37:07410 
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44414 作為磁阻存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重要分支，SOT-MRAM因其獨(dú)特的寫入機(jī)制與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點(diǎn)方向。該技術(shù)利用具有強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層，通過自旋軌道力矩驅(qū)動(dòng)磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 一次性可編程（OTP）非易失性存儲(chǔ)器問世已久。與其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡(jiǎn)單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對(duì)更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)，平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111442 
近日，兆易創(chuàng)新（GigaDevice）與南京南瑞繼保電氣有限公司（以下簡(jiǎn)稱“南瑞繼保”）達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。此舉旨在充分聚合雙方優(yōu)勢(shì)，將兆易創(chuàng)新在國(guó)產(chǎn)MCU、存儲(chǔ)及模擬器件領(lǐng)域的產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，與南
2025-10-14 18:05:52718 在無人機(jī)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，燃油存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能直接影響飛行器的續(xù)航能力、安全性和環(huán)境適應(yīng)性。傳統(tǒng)金屬或復(fù)合材料燃油箱雖然具備一定的可靠性，但重量大、空間利用率低、抗沖擊性不足等問題逐漸成為制約長(zhǎng)航
2025-09-25 11:17:51413 
兆易創(chuàng)新NOR Flash以其高速讀取、車規(guī)級(jí)可靠性和XIP技術(shù)，為車載導(dǎo)航系統(tǒng)提供快速啟動(dòng)、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和完整路徑規(guī)劃支持，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)安全性。
2025-09-23 09:22:003759 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近日，兆易創(chuàng)新談到公司的AI MCU規(guī)劃。該公司表示，關(guān)于AIMCU，分三個(gè)層次：一、配合AI場(chǎng)景的MCU。此類MCU主要應(yīng)用于人形機(jī)器人、機(jī)器狗等具身智能相關(guān)產(chǎn)品
2025-09-16 10:44:4610586 
計(jì)。最新版本的StorageGRID將引入新功能，旨在推進(jìn)人工智能計(jì)劃、提高數(shù)據(jù)安全性并實(shí)現(xiàn)企業(yè)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施的現(xiàn)代化。 無論企業(yè)是處于數(shù)據(jù)湖現(xiàn)代化的早期階段，還是正在試驗(yàn)高級(jí)人工智能應(yīng)用程序，他們都需要管理并存儲(chǔ)激增的非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)，例如文本、視頻、機(jī)器和傳感器數(shù)據(jù)、服務(wù)器日志等。想要利用這
2025-09-11 10:41:41401 的高速度、NAND的非易失性以及低能耗特性。IQE公司成功將Quinas創(chuàng)始人在蘭卡斯特大學(xué)首次開發(fā)的化合物半導(dǎo)體層技術(shù)擴(kuò)展到工業(yè)化工藝。這個(gè)為期一年的項(xiàng)目開發(fā)了先進(jìn)的銻化鎵和銻化鋁外延技術(shù)，被譽(yù)為可擴(kuò)展
2025-08-29 09:22:436366 
隨著工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)的快速發(fā)展，伺服電機(jī)作為核心執(zhí)行元件，其位置檢測(cè)精度和可靠性直接影響系統(tǒng)性能。傳統(tǒng)光電編碼器存在易受污染、抗震性差等固有缺陷，而磁性編碼器憑借非接觸式測(cè)量、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，正
2025-08-16 14:15:311127 蔡司光學(xué)測(cè)量家族系列：以非接觸式精準(zhǔn)，守護(hù)工業(yè)質(zhì)量高度
2025-08-15 16:46:151588 
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗(yàn)證！這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的技術(shù)實(shí)力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592248 在芯片工藝不斷演進(jìn)的今天，材料的物理特性與器件層面的可靠性測(cè)試正變得前所未有的重要。近日，在泰克云上大講堂關(guān)于《芯片的物理表征和可靠性測(cè)試》的直播中，大家就新型存儲(chǔ)技術(shù)、先進(jìn)材料電學(xué)表征等話題展開了熱烈討論。相變存儲(chǔ)作為新一代非易失性存儲(chǔ)的代表，其器件性能的測(cè)試與優(yōu)化自然也成為了焦點(diǎn)之一。
2025-08-11 17:48:371171 
NAND閃存芯片是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景的詳細(xì)分析： 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：以電信號(hào)形式長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)不丟失。 快速讀寫：支持
2025-08-11 10:43:441645 隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn)，可再生能源，尤其是太陽(yáng)能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽(yáng)能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，因此對(duì)可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求，F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲(chǔ)器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:061506 
GD32F5系列高性能MCU具備顯著擴(kuò)容的存儲(chǔ)空間、優(yōu)異的處理能效和豐富的接口資源，該系列MCU符合系統(tǒng)級(jí)IEC61508SC3(SIL2/SIL3)功能安全標(biāo)準(zhǔn)，并且提供完整的軟硬件安全方案，能夠
2025-08-07 10:11:231234 
VX8000系列效率快易操作閃測(cè)儀將遠(yuǎn)心鏡頭結(jié)合高分辨率工業(yè)相機(jī)，將產(chǎn)品影像經(jīng)過拍照后調(diào)整至合適大小后，再通過具有強(qiáng)大計(jì)算能力的測(cè)量系統(tǒng)完成預(yù)先編程指令，快速抓取產(chǎn)品輪廓圖，最后與拍照上的微小像素點(diǎn)
2025-07-23 13:53:43
近日，易普力股份有限公司與易控智駕科技股份有限公司在新疆國(guó)際煤炭工業(yè)博覽會(huì)現(xiàn)場(chǎng)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。
2025-07-21 09:28:16750 在萬物互聯(lián)向萬物智聯(lián)躍遷的時(shí)代，邊緣計(jì)算正面臨前所未有的性能挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)MCU難以承載復(fù)雜的AI算法，而云端方案又受限于實(shí)時(shí)性和隱私問題。兆易創(chuàng)新GD32H7系列應(yīng)勢(shì)而生，以600MHz Arm
2025-07-16 16:33:593166 
在AIoT技術(shù)快速演進(jìn)的時(shí)代背景下，AI IPC行業(yè)正在經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。作為中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)的領(lǐng)軍者，兆易創(chuàng)新憑借其在NOR/NAND Flash領(lǐng)域二十年的技術(shù)沉淀和持續(xù)創(chuàng)新，正為AI
2025-07-14 09:40:521907 
。 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲(chǔ)和非易失性(Non-Volatile)存儲(chǔ)。利基型DRAM屬于易失性存儲(chǔ)，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）6月19日，兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“兆易創(chuàng)新”）在港交所遞交招股書，擬香港主板IPO上市。6月23日，兆易創(chuàng)新向港交所提交了招股書（修訂版）。 ? 兆易
2025-06-25 00:09:007009 
/FeRAM (阻變/鐵電) 等，目標(biāo)是結(jié)合DRAM的速度和Flash的非易失性（存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存），部分已在特定領(lǐng)域應(yīng)用（如MRAM做緩存），是未來重要方向。
CXL：一種新的高速互連協(xié)議，旨在更高效地連接
2025-06-24 09:09:39
經(jīng)皮脊髓電刺激（transcutaneousspinalcordstimulation,tSCS）經(jīng)皮脊髓電刺激是一種通過皮膚表面電極向脊髓背根傳遞低頻脈沖電流、實(shí)現(xiàn)神經(jīng)調(diào)控的非侵入性技術(shù)。其核心
2025-06-17 19:21:044631 
國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲(chǔ)NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛芯在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域取得的一項(xiàng)重要成果 —— 基于130nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開發(fā)，為客戶定制開發(fā)的EEPROM IP，已順利通過客戶全流程的PVT測(cè)試
2025-06-12 17:42:071065 兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布，正式推出超值GD32C231系列入門型微控制器，進(jìn)一步擴(kuò)充了Arm Cortex-M23內(nèi)核的產(chǎn)品陣容。作為中國(guó)Arm MCU市場(chǎng)的領(lǐng)軍者，兆易創(chuàng)新此次推出
2025-06-07 14:49:181583 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數(shù)字邏輯節(jié)點(diǎn)的硬件跳線和機(jī)械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41749 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2025-05-26 09:50:50683 
深圳市易飛揚(yáng)通信技術(shù)有限公司將攜多款創(chuàng)新非相干與相干DWDM解決方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展會(huì)（5月27-29日，展位號(hào)3E2-5），展現(xiàn)高速、低功耗、低成本及長(zhǎng)距離光傳輸領(lǐng)域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04630 
系統(tǒng)分區(qū)（僅存儲(chǔ)固件）和數(shù)據(jù)分區(qū)（存儲(chǔ)波形文件），避免頻繁讀寫導(dǎo)致系統(tǒng)文件損壞。
工具：使用示波器內(nèi)置格式化工具（如Rigol DS1000Z系列支持快速格式化），而非直接在PC上格式化。
文件系統(tǒng)
2025-05-23 14:47:04
為滿足數(shù)據(jù)中心及高性能計(jì)算場(chǎng)景對(duì)超低延遲、高可靠性的迫切需求，易飛揚(yáng)正式推出全新低延遲光模塊產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品通過優(yōu)化光學(xué)性能與信號(hào)處理技術(shù)，實(shí)現(xiàn)在無需前向糾錯(cuò)（FEC）的條件下達(dá)到極低誤碼率，顯著降低鏈路傳輸延遲，為金融交易、AI訓(xùn)練、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析等場(chǎng)景提供關(guān)鍵性能優(yōu)勢(shì)。
2025-05-21 15:05:07638 
語(yǔ)音芯片作為智能設(shè)備的“聲音中樞”，其音頻存儲(chǔ)能力直接影響產(chǎn)品的功能設(shè)計(jì)與用戶體驗(yàn)。廣州唯創(chuàng)電子推出的WT2003H系列語(yǔ)音芯片，憑借差異化的存儲(chǔ)配置與高兼容性設(shè)計(jì)，成為工業(yè)控制、智能家電、消費(fèi)
2025-05-20 08:53:51517 
在全球供應(yīng)鏈緊張和國(guó)產(chǎn)替代需求推動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，形成設(shè)計(jì)到封測(cè)一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國(guó)芯、東芯股份、普冉股份和佰維存儲(chǔ)等六大上市公司在NOR/NANDFlash
2025-05-12 16:01:114752 
此前，4月29日-30日，第八屆數(shù)字中國(guó)建設(shè)峰會(huì)在福州隆重舉行。中國(guó)電科以“乘數(shù)而上，以智致遠(yuǎn)”為主題，全方位展示數(shù)字科技領(lǐng)域創(chuàng)新實(shí)力。30日上午，在電科新品發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，易華錄存儲(chǔ)事業(yè)部副總經(jīng)理呂曉鵬正式發(fā)布了“易存一體機(jī)”系列產(chǎn)品。
2025-05-08 11:41:46911 實(shí)現(xiàn)這些系統(tǒng)功能的關(guān)鍵基石。 在電子發(fā)燒友網(wǎng)《人形機(jī)器人的電機(jī)控制和傳感器》專題中，兆易創(chuàng)新微處理器事業(yè)部產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)陳思偉表示，兆易創(chuàng)新憑借在存儲(chǔ)、MCU 及模擬芯片領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，構(gòu)建起了覆蓋 GD32 MCU、Flash、利基型
2025-05-07 11:08:332272 
、工業(yè)控制等領(lǐng)域。兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)器事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)薛霆在接受電子發(fā)燒友網(wǎng)記者采訪時(shí)表示，隨著AI硬件爆發(fā)和新能源汽車智能化加速，高可靠性、高性能存儲(chǔ)芯片的需求正迎來新一輪增長(zhǎng)。今年的SPI NOR Flash市場(chǎng)前景看好。 ? 兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)器事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)薛霆 AI 終端與服
2025-04-23 11:12:543405 
，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢(shì)與NAND
2025-04-22 10:23:201516 
今日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊
2025-04-16 13:50:011168 今日，兆易創(chuàng)新攜90余款產(chǎn)品及解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展。本次展品陣容涵蓋存儲(chǔ)器、微控制器、傳感器、模擬芯片等全系產(chǎn)品線，深度覆蓋數(shù)字能源、工業(yè)、汽車、消費(fèi)電子以及物聯(lián)網(wǎng)等重點(diǎn)領(lǐng)域，全方位
2025-04-16 13:46:311318 特定的功能需求和提高系統(tǒng)的可靠性與便捷性，如存儲(chǔ)配置信息、快速啟動(dòng)、減少外部組件、用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、存儲(chǔ)固件版本等，一些芯片中也會(huì)集成非易事性存儲(chǔ)模塊。
2025-04-10 14:02:241333 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，RRAM（阻變存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)是一種新興的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，它基于材料的電阻變化來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其存儲(chǔ)單元通常由兩個(gè)電極和中間的阻變材料組成。當(dāng)在電極上施加一定的電壓脈沖時(shí)，阻變材料
2025-04-10 00:07:002089 芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號(hào)。在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735 
，又可再對(duì)它寫入，為可讀/寫存儲(chǔ)器， 或隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器。? 易失性
p 若存儲(chǔ)器在斷電之后，仍能保存其中的內(nèi)容，則稱為非易失性存儲(chǔ)器；否則，為易失性存儲(chǔ)器；
p 只讀存儲(chǔ)器（ROM）是非易失性的，隨機(jī)
2025-03-26 11:12:24
非易失存儲(chǔ)：斷電后數(shù)據(jù)不丟失 可重復(fù)編程：支持擦寫操作（需先擦除后寫入） 二進(jìn)制操作：擦除后全為 1，寫操作將 1 變?yōu)?0 核心差異 一、物理結(jié)構(gòu)對(duì)比 NOR 特性 獨(dú)立存儲(chǔ)單元并聯(lián)架構(gòu) 支持隨機(jī)
2025-03-18 12:06:501167 將進(jìn)一步強(qiáng)化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場(chǎng)對(duì)于先進(jìn)嵌入式存儲(chǔ)解決方案日益增長(zhǎng)的需求，成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。 GD25NE系列SPI NOR Flash的核心
2025-03-12 16:03:21833 NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145322 
進(jìn)一步強(qiáng)化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場(chǎng)對(duì)于先進(jìn)嵌入式存儲(chǔ)解決方案日益增長(zhǎng)的需求，成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。 GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供電
2025-03-12 09:11:001167 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，萊迪思宣布在FPGA設(shè)計(jì)上前瞻性的布局，使其能夠結(jié)合MRAM技術(shù)，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用
2025-03-08 00:10:001803 比特的用戶閃存模塊（UFM）用于非易失性存儲(chǔ)多電壓核心使能，可將外部電源電壓設(shè)為 3.3V、2.5V 或 1.8V多電壓 I/O 接口，支持 3.3V、2.5V、1
2025-03-07 15:19:03
英飛特非隔離體育照明電源NFM系列可廣泛適用于體育照明、植物照明、高桿燈等多種LED照明領(lǐng)域，已發(fā)布功率段 680W，880W，1200W。
2025-03-07 13:54:541151 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時(shí)，RAM受到寫保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能輸出會(huì)被
2025-02-28 10:00:43986 
帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17807 
帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45745 
技術(shù)文檔中給出了以下描述：
The parallel interface complies with standard graphics interface protocol, which
2025-02-28 07:26:33
DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問都通過字節(jié)寬接口實(shí)現(xiàn)，如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC
2025-02-27 15:51:09872 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54821 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09951 
你好， 我這邊目前遇到的問題是當(dāng)Source選擇Splash Screen時(shí)，光機(jī)能正常顯示。改為選擇FPGA Test pattern或者External Parallel Video時(shí)，輸出沒有任何變化（仍然顯示原先的Splash screen）。請(qǐng)問這種情況該如何調(diào)試？
2025-02-21 08:29:54
問題1：DLPC6540/DLPC7540可以支持什么Parallel flash?
問題2：以下型號(hào)哪些可以支持？需要使用這些芯片應(yīng)該怎么做？
S29GL256P90TFCR20
2025-02-21 08:07:56
可達(dá)90 MB/s?STR和DTR支持的協(xié)議——擴(kuò)展I/O協(xié)議——雙I/O協(xié)議——四I/O協(xié)議?就地執(zhí)行（XIP）?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設(shè)置?軟
2025-02-19 16:15:14
器? ? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），在沒有外部電源提供的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。 現(xiàn)今的計(jì)算機(jī)中央處理器（CPU：Central Processing Unit）中，直接、高速處理的數(shù)據(jù)通常保存在易失性存儲(chǔ)器中（
2025-02-13 12:42:142471 
對(duì)象存儲(chǔ)屬于非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)架構(gòu)，采用扁平化命名空間結(jié)構(gòu)。其核心通過唯一標(biāo)識(shí)符（ObjectID）定位數(shù)據(jù)對(duì)象，突破傳統(tǒng)文件系統(tǒng)的層級(jí)目錄限制，形成"桶-對(duì)象"兩級(jí)邏輯模型。數(shù)據(jù)以獨(dú)立對(duì)象為單位存儲(chǔ)，每個(gè)對(duì)象包含原始數(shù)據(jù)、可擴(kuò)展元數(shù)據(jù)和全局唯一標(biāo)識(shí)符三大要素。
2025-02-10 11:14:48765 半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM 存儲(chǔ)器，具有 16 Kbit 的存儲(chǔ)容量，專為需要非易失性存儲(chǔ)的應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款器件采
2025-02-10 07:41:41
近日，總投資高達(dá)30億元的致真存儲(chǔ)芯片制造廠房項(xiàng)目在青島市迎來了封頂儀式。該項(xiàng)目作為青島市的重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，自啟動(dòng)以來便備受矚目。
2025-02-05 15:25:521661 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001452 在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
彈性云服務(wù)器通過多種存儲(chǔ)方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和文件，包括云硬盤、對(duì)象存儲(chǔ)服務(wù)、分布式文件系統(tǒng)和數(shù)據(jù)庫(kù)服務(wù)。云硬盤提供高性能的塊存儲(chǔ)，適用于需要頻繁讀寫的場(chǎng)景；對(duì)象存儲(chǔ)適合大量非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如圖片、視頻
2025-01-13 09:50:27759
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