性能提出極限要求，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體異質集成技術，已成為延續摩爾定律、突破性能瓶頸的關鍵。然而，傳統高溫鍵合工藝導致的熱應力損傷、材料失配與界面氧化問題，長期制約著該技術的進一步發展。 面對這一嚴峻
2025-12-29 11:24:17
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產品應用多面性氮化鎵是半導體領域后起之秀中的“六邊形戰士”，綜合性能全面，而射頻應用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現，在高頻高功率場景中讓傳統硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54735 
半導體封裝作為集成電路制造的關鍵環節，對材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應力及精密操作環境中。熱壓燒結氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨特的物理化學性能，在芯片貼裝、引線鍵合等工藝中發
2025-12-21 08:46:471581 
雙向器件，GaN BDS 的出現可以大大降低元器件的成本：無需工藝調整和 MASK 變動，通過合并漂移區和漏極及雙柵控制，即可實現單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
采用3kW大功率架構，可滿足重載啟動、急加速等嚴苛工況需求。驅動部分突破性選用第三代半導體氮化鎵器件，依托其寬禁帶材料帶來的耐高溫、高頻開關特性，在相同體積下實現了
2025-12-15 14:49:051829 
隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗。傳統的離子防護理念亟待升級。本文將探討在此背景下，高性能離子捕捉劑如何從“被動防御”轉向“主動保障”，成為高可靠性設計的核心一環。
2025-12-08 16:36:01531 
引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體材料，相比傳統硅基材料具有顯著的技術優勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場強達3MV/cm，是硅的10倍；熱導率
2025-12-08 07:20:34368 
在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步，打破車規級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優劣勢對比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統半導體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573101 現在氮化鎵材料技術比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術嘛？
2025-11-14 07:25:48
云鎵半導體云鎵半導體發布3kW無橋圖騰柱GaNPFC評估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術文檔將重點介紹基于云鎵半導體650VGaN器件的3kW無
2025-11-11 13:43:26816 
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導體行業領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經審計的第三季度財務業績。
2025-11-07 16:46:052452 隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 在半導體材料的研究領域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級別的排列細節——這種第三代半導體材料，正是現代快充設備、5G通信
2025-10-31 12:00:073857 
電子器件、材料、半導體和有源/無源元器件。
可以在 CV 和 IV 測量之間快速切換，無需重新連接線纜。
能夠捕獲其他傳統測試儀器無法捕獲的超快速瞬態現象。
能夠檢測 1 kHz 至 5 MHz
2025-10-29 14:28:09
到元件制作的技術與應用均已突破，散熱及封裝型式問題仍導致應用效果遠不符產業期待，成長性大打折扣。 智威科技董事長鐘鵬宇說，透過材料與制程創新，以系統性思維打造功率半導體新封裝技術平臺。(圖片來源:智威科技) 尤其GaN功率元件，因材料散熱系數較差及結構因素，雖具
2025-10-26 17:36:53989 
自由空間半導體激光器半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質而產生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶（導帶與價帶）之間，或者半導體物質的能帶與雜質（受主或施主）能級
2025-10-23 14:24:06
納微半導體正式發布專為英偉達800 VDC AI工廠電源架構打造的全新100V氮化鎵，650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件，以實現突破性效率、功率密度與性能表現。
2025-10-15 15:54:592482 
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，正加速替代傳統硅基材料，在新能源汽車、工業控制等領域實現規模化應用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、快充設備的核心材料
2025-10-13 18:29:43402 最終產品的質量。
**科研機構的半導體材料和器件研發**
1.**新材料特性研究**
在研究新型半導體材料（如碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN）時，測試設備可以幫助科研人員測量材料的基本電學特性
2025-10-10 10:35:17
在新能源革命與算力爆發的雙重驅動下，化合物半導體正以"材料代際躍遷"重構全球電子產業格局。從第三代半導體氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的規模化應用，到第四代氧化鎵（Ga2O3
2025-09-30 15:44:091412 
2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展會現場，羅姆（ROHM）攜多款功率半導體新品及解決方案精彩亮相。展會上羅姆重點展示了EcoSiC?碳化硅（SiC）模塊
2025-09-29 14:35:1812442 
，還請大家海涵，如有需要可看文尾聯系方式，當前在網絡平臺上均以“ 愛在七夕時 ”的昵稱為ID跟大家一起交流學習！ 近兩年來，氧化鎵作為一種“超寬禁帶半導體”材料，得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體
2025-09-24 18:23:164805 
的互補優勢，正式建立全面戰略合作伙伴關系，共同聚焦碳化硅與氮化鎵等寬禁帶半導體技術的研發與產業化應用，助力全球能源革命與工業升級。
2025-09-12 15:45:31722 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布一項重要人事任命：納微董事會已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執行官，自2025年9月1日起正式履職。同時，Chris
2025-08-29 15:22:423924 氮化鎵（GaN）技術為電源行業提供了進一步改進電源轉換的機會，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導體一直主導著電子行業。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業
2025-08-21 06:40:348327 近日，應充電頭網邀請，在行業目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術展開深度分享，為行業發展勾勒清晰且充滿希望的藍圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發表了他對氮化鎵材料發展的寄語。
2025-08-14 15:31:223004 制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰。
2025-07-25 16:30:444488 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現小于30mW的超低待機功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
為提供卓越的效率和功率密度，意法半導體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設計進程，推出了基于MasterGaN1L系統級封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計。
2025-07-18 14:40:16941 功率半導體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結構、功能、特性和特征。另外，書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關內容。
本書可作為微電子
2025-07-11 14:49:36
近日，全球半導體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業務，預計在未來兩年內完成這一過渡。這一決定引起了行業的廣泛關注，尤其是在當前競爭激烈的半導體市場環境中。據供應鏈
2025-07-07 10:33:223474 
炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯寶科技研發生產的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 7月3日，氮化鎵（GaN）制造商納微半導體（Navitas）宣布，其650V元件產品將在未來1到2年內，從當前供應商臺積電（TSMC）逐步過渡至力積電半導體（PSMC）。臺積電回應稱，經全面評估
2025-07-04 16:12:10660 關系 ，正式啟動并持續推進業內領先的 8英寸硅基氮化鎵技術生產。 納微半導體預計將使用位于臺灣苗栗竹南科學園區的力積電8B廠的
2025-07-02 17:21:091548 
第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現，正在成為半導體領域的重要發展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術發揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠實現更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關。
引言
氮化鎵(GaN)是一種III-V族半導體，為開關電模式電源(SMPS)提供了出眾的性能。GaN技術具有高介電強度、低開關損耗、高
2025-06-11 10:07:24
半導體器件作為現代電子技術的核心元件，廣泛應用于集成電路、消費電子及工業設備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導體，憑借高功率密度與能效優勢，正推動電子設備技術革新。
2025-06-05 10:33:562489 
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 前不久，納微半導體剛剛發布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態與非晶態之間的化合物。其物化性質可通過調控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵(Ga2O3)之間連續調整，兼具寬禁帶半導體特性與靈活的功能可設計性，因此在功率電子、紫外光電器件及光電催化等領域展現出獨特優勢。
2025-05-23 16:33:201473 
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵
2025-05-23 14:21:36883 隨著電子技術的快速發展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 半導體的破產重整。 ? 聚力成半導體早期由重慶捷舜科技有限公司投資設立，并于2018年9月與重慶大足區政府簽約，啟動外延片和芯片產線項目，主要業務是硅基氮化鎵/碳化硅基氮化鎵外延片、功率器件晶圓代工、封裝等。 ? 該公司位
2025-05-22 01:07:003546 
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業異軍突起，憑借領先的氮化鎵（GaN）技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02
摻雜的半導體材料可以滿足要求。本文不介紹駐極體材料，重點介紹P型摻雜的半導體材料。材料可以是P型摻雜的硅，也可以是P型摻雜的聚苯胺（有機半導體）。因為P型摻雜的半導體是通過空穴導電的，這種材料不產生
2025-05-10 22:32:27
深圳銀聯寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協議338E。輸入規格：180V-264V 50Hz，輸出規格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導體今日正式宣布推出 全新專為電機驅動
2025-05-09 13:58:181260 
在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協同工作，保障充電頭在電網波動時仍能穩定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發熱低等優勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。泰克中國區技術總監張欣與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現狀、應用前景及測試測量挑戰展開深入交流。
2025-04-29 11:13:001029 安世半導體近日宣布，旗下先進的氮化鎵(GaN)器件成功應用于浩思動力(Horse Powertrain)首款超級集成動力系統—Gemini小型增程器的發電系統中，并且憑借高功率性能和高頻開關特性
2025-04-29 10:48:473343 
從鍺晶體管到 5G 芯片，半導體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。
2025-04-24 14:33:371214 
發燒友拍攝 “與硅基器件相比，氮化鎵的功率密度可達 30W/mm，是硅的150倍，開關頻率提升 10 倍以上，可使電源適配器體積縮小 60%。” 西安電子科技大學廣州研究院教授弓小武對媒體表示。當前，GaN作為一種性能優異的寬禁帶半導體材料，近年
2025-04-21 09:10:422407 
日訊——納微半導體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規認證，這標志著氮化鎵技術在電動汽車市場的應用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產品家族， 集成了控制、驅動、感測以及關鍵的保護功能
2025-04-17 15:09:264298 
氮化鎵的應用已經從消費電子的快充向工業級功率領域滲透，這給了國內廠商非常大的市場機會。在2025CITE電子展上，鎵創晶合董事長助理趙陽接受媒體采訪，分享公司氮化鎵產品和市場近況以及行業趨勢等話題
2025-04-16 15:12:491444 半導體元素是芯片制造的主要材料，芯片運算主要是用二進制進行運算。所以在電流來代表二進制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導體通過一些微觀的構造與參雜可以這種性質。
2025-04-15 09:32:291644 
半導體材料是現代信息技術的基石，其發展史不僅是科技進步的縮影，更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導體，每一代材料的迭代都推動了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562601 ??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯合開發協議，致力于為AI數據中心、可再生能源發電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術。 ??英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產能，意法半導體可借助英諾賽
2025-04-01 10:06:023808 
深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關器件
2025-03-31 14:26:10
隨著半導體技術不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關鍵技術。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和功能，能實現高效的功率轉換、低能耗和高功率密度，廣泛應用于消費電子、工業、通信等多個領域，極大地推動了電子產品的升級和工業設備性能的提升。
2025-03-24 11:37:571472 
GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案
2025-03-13 18:06:0046951 
氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發布全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發總監馬歡應半導體在線邀請，分享了關于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優越的性能使其在電源轉換和射頻應用中展現出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527 【DT半導體】獲悉，隨著人工智能（AI）技術的進步，對半導體性能的提升需求不斷增長，同時人們對降低半導體器件功耗的研究也日趨活躍，替代傳統硅的新型半導體材料備受關注。石墨烯、過渡金屬二硫化物（TMD
2025-03-08 10:53:061189 半導體產業鏈的全面發展帶來了新的機遇和動力。一、氧化鎵8英寸單晶的技術突破與意義氧化鎵（Ga?O?）作為第四代半導體材料的代表，具有超寬的禁帶寬度（約4.8eV），遠
2025-03-07 11:43:222412 
氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?：并聯開關管廣泛應用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日公布了截至2024年12月31日的未經審計的第四季度及全年財務業績。
2025-02-26 17:05:131247 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數據中心、電動汽車和移動設備領域的應用新突破。
2025-02-25 10:16:381784 ，采用氮化鎵材料，體積小巧，僅為57.5*33.5*23.8mm，極大程度的節省了設計空間。該系列電源模塊共有4款，輸出功率40W，輸出電壓分別為9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 
GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發布全新的功率轉換技術，將觸發多個行業領域的顛覆性變革。該創新涵蓋半導體與系統級解決方案，預計將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術對傳統硅基器件的替代進程。
2025-02-21 16:41:10867 在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優化制程達到室溫連續波操作電激發氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發光層再搭配
2025-02-19 14:20:431085 
2024 ）上報告了 多項基于寬禁帶半導體氮化鎵，碳化硅的最新研究進展 。研究成果覆蓋功率器件技術和新型器件技術： 高速且具備優越開關速度控制能力的3D堆疊式GaN/SiC cascode 功率器件
2025-02-19 11:14:46950 
過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發的最新進展以及相關的可靠性挑戰。
2025-02-17 14:27:362014 
生長4英寸導電型氧化鎵單晶仍沿用了細籽晶誘導+錐面放肩技術，籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向，可加工4英寸（010）面襯底，適合SBD等高功率器件應用。 ? 在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導體之后，氧化鎵被視為是下一代半導體的最佳材
2025-02-17 09:13:241340 VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實現4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40901 
隨著人工智能、數據中心、汽車電子等應用領域的快速發展，第三代半導體——氮化鎵（GaN）正迎來前所未有的發展機遇。聞泰科技已布局GaN領域多年，憑借卓越的創新能力不斷推動產業鏈發展，創造新的價值增量。
2025-02-10 17:15:041127 
深圳銀聯寶科技氮化鎵芯片2025年持續發力氮化鎵芯片YLB銀聯寶/YINLIANBAO無線通信領域，設備往往需要在有限的空間內實現強大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234 
為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設計，意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝（SiP）的諧振轉換器參考設計。
2025-02-06 11:31:151133 近日，荷蘭特文特大學科學家開發出一種新工藝，能在室溫下制造出晶體結構高度有序的半導體材料。他們表示，通過精準控制這種半導體材料的晶體結構，大幅降低了內部納米級缺陷的數量，可顯著提升光電子學效率，進而
2025-01-23 09:52:54686 
在半導體產業這片高精尖的領域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅動著光電器件、功率器件等諸多領域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰
2025-01-22 09:43:37449 
在半導體制造這一微觀且精密的領域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應用蓬勃發展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在當今高速發展的半導體產業浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應用天地。然而，要想充分發揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導體領域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角，成為推動行業發展的關鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內部變壓器等原件體積，同時優秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統中猶如一對默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關速度和高頻率的開關能力，能夠迅速地切換電路狀態，實現
2025-01-15 16:08:501733 PI公司誠邀您報名參加電子研習社主辦的線上直播。我們的技術專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準。
2025-01-15 15:41:09899 東科半導體集成雙氮化鎵功率管的有源鉗位反激電源管理芯片-DK8607AD一、產品概述：DK8607AD電源管理芯片是一款集成了兩顆GaN功率器件的有源鉗位反激控制AC-DC功率開關芯片
2025-01-10 16:29:49
趨勢一：碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）大放異彩 在功率半導體領域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）宛如兩顆冉冉升起的新星，正以迅猛之勢改變著行業格局。 與傳統的硅基半導體相比，SiC
2025-01-08 16:32:155035 東科半導體集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋AC-DC-100W電源管理芯片-DK8710AD一、產品概述DK87XXAD是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關芯片
2025-01-08 15:33:07
東科半導體高性能AC-DC 45W氮化鎵電源管理芯片-DK045G 一、產品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片
2025-01-08 10:46:14
隨著科技的飛速發展，半導體技術已經成為現代電子產業的基石。在眾多半導體材料中，鎵因其獨特的物理和化學性質，在半導體制造中占據了一席之地。 鎵的基本性質 鎵是一種柔軟、銀白色的金屬，具有低熔點
2025-01-06 15:11:592707 近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導體領域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優質的投資標的。 英諾賽科作為全球首家實現量產8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
2025-01-06 11:29:141123
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