納微半導體正式發布專為英偉達800 VDC AI工廠電源架構打造的全新100V氮化鎵，650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件，以實現突破性效率、功率密度與性能表現。

加利福尼亞州托倫斯2025年10月13日訊——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其在先進中高壓（800 VDC）氮化鎵與碳化硅功率器件研發方面取得重要進展，此舉將助力英偉達（NVIDIA）打造面向下一代AI工廠計算平臺的800 VDC電源架構。

AI工廠的興起催生了一類全新的數據中心，旨在為大規模并行人工智能和高速計算（HPC）實現高效的算力服務。這類全新數據中心的誕生，帶來了功率傳輸的新挑戰。而依賴于54V機架內配電輸送的傳統企業級和云端數據中心，已無法滿足當下高速運算平臺所需要的兆瓦級機架的功率密度要求, 新的功率挑戰正在推動數據中心電源構架的基礎革新。

800 VDC配電系統具備以下優勢：

降低電阻損耗與銅材用量，實現更高能效；

基礎設施具備可擴展性，能以高緊湊性方案為兆瓦級機架供電；

與國際電工委員會（IEC）低壓直流（LVDC）分類標準（≤1,500 VDC）保持全球一致；

通過高效的熱管理，實現簡單可靠的電力分配。

800 VDC架構支持在數據中心電力機房或周邊區域，將13.8 kVAC的市電直接變換為800 VDC。通過采用固態變壓器與工業級整流器，該方案可省去傳統AC/DC及DC/DC的多級變換，最大限度提升能效、減少損耗，并增強整體系統的可靠性。

800 VDC配電系統直接為IT機房內的服務器機架供電，省去了額外的傳統AC-DC變換級。電力隨后通過兩級高效DC-DC變換（從800 VDC降至54V/12 VDC，再轉換至GPU所需電壓），以驅動英偉達Rubin Ultra平臺等先進基礎設施。

這類先進的AI工廠對功率密度、能效及可擴展性提出了前所未有的要求，而納微半導體高性能GaNFast氮化鎵與GeneSiC碳化硅技術，恰恰能滿足這些需求。

圖1：從電網到GPU，納微先進的氮化鎵和碳化硅技術為AI數據中心功率轉換的每一級提供支持

專注于寬禁帶功率半導體的納微，始終致力于突破性的氮化鎵和碳化硅技術研發，助力AI數據中心從電網到GPU的每一級，實現高效、高功率密度的功率轉換。

納微半導體全新100V氮化鎵FET產品系列，采用先進雙面散熱封裝，具備卓越的能效、功率密度與熱性能。該系列產品專為GPU電源板上的DC-DC變換級進行了優化—— 在該環節中，超高密度與熱管理能力是滿足下一代AI計算平臺需求的關鍵。目前，該系列產品的樣品、數據手冊及評估板已就緒，可供客戶申請。

此外，全新高效的納微100V氮化鎵FET產品基于和力積電的戰略合作，誕生于8英寸晶圓制程之上，適合大規模量產。

納微的650V氮化鎵產品組合包括一條全新的大功率氮化鎵FET產品線，以及集成了控制、驅動、感測和內置保護功能的先進GaNSafe功率芯片，以卓越的魯棒性和可靠性，滿足下一代AI基礎架構對性能和安全性的嚴苛要求。

作為全球氮化鎵技術安全巔峰，GaNSafe具備以下特性：

超高速短路保護（最快350ns的響應時間）；

所有引腳均具備2kV靜電放電（ESD）防護；

無需負柵極電壓驅動；

可編程的壓擺率（slew-rate）控制。

以上功能可通過芯片4個引腳實現，使得封裝可以像一個分立式氮化鎵FET一樣使用，不需要額外的VCC引腳。

憑借超過20年在碳化硅領域積累的創新經驗，納微旗下的GeneSiC技術擁有自主研發的溝槽輔助平面柵技術，可為大功率、高可靠性的應用在全溫度范圍內提供卓越的高速，低溫升運行能力。GeneSiC技術提供從650V到6,500V的行業最廣電壓范圍，應用于包括與美國能源部合作的在內的，諸多兆瓦級儲能與并網逆變器項目。

納微半導體總裁兼首席執行官Chris Allexandre：“在英偉達驅動AI基礎設施轉型的過程中，納微非常榮幸能運用我們的氮化鎵和碳化硅方案來幫助其實現效率，可拓展性和可靠性的提升，以滿足下一代數據中心的需求。

隨著行業快速向兆瓦級AI計算平臺邁進，對更高效、可擴展和更可靠的電力輸送的需求變得至關重要。從傳統的54V架構向800 VDC架構轉型，不僅僅是革命性的，更是顛覆性的行業革新。

納微半導體正經歷根本性轉型，通過氮化鎵與碳化硅技術的融合為全球最先進的系統提供支持。如今，我們的關注范圍已遠超消費電子，延伸至從電網到GPU的全鏈路環節 —— 通過差異化的高性能電源方案，滿足AI工廠、智慧能源基礎設施及工業平臺的兆瓦級需求。”

如需納微全新100V和650V氮化鎵FET的信息，樣品，產品規格書，評估板以及納微旗下高壓碳化硅MOSFET產品系列信息，請發送郵件至info@navitassemi.com

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關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）是新一代功率半導體行業領導者，專注于氮化鎵（GaN）與集成電路（IC）器件，以及高壓碳化硅（SiC）技術研發，旨在推動人工智能與數據中心、能源與電網基礎設施、高性能計算及工業應用領域的創新。憑借在寬禁帶技術領域超過30年的經驗積累，納微旗下的GaNFast功率芯片將氮化鎵功率器件、驅動、控制、感測與保護功能高度集成，實現更快的功率傳輸、更高的系統功率密度及更卓越的能效表現。GeneSiC高壓碳化硅器件采用受專利保護的溝槽輔助平面技術，為中壓電網及基礎設施應用提供業界領先的耐壓能力、效率與可靠性。納微半導體已擁有或正在申請的專利超過300項，是全球首家獲得CarbonNeutral碳中和認證的半導體公司。