電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 5月8日，重慶市第五中級(jí)人民法院最新信息顯示，聚力成半導(dǎo)體被廣東中保維安保安服務(wù)有限公司申請(qǐng)破產(chǎn)清算。而在一個(gè)月前，該公司曾以“不能清償?shù)狡趥鶆?wù)且具有重整價(jià)值”為由，申請(qǐng)對(duì)聚力成半導(dǎo)體的破產(chǎn)重整。

聚力成半導(dǎo)體早期由重慶捷舜科技有限公司投資設(shè)立，并于2018年9月與重慶大足區(qū)政府簽約，啟動(dòng)外延片和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目，主要業(yè)務(wù)是硅基氮化鎵/碳化硅基氮化鎵外延片、功率器件晶圓代工、封裝等。

該公司位于重慶大足區(qū)的一期硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片工廠，此前據(jù)稱已進(jìn)入量產(chǎn)階段。整個(gè)項(xiàng)目計(jì)劃建成年產(chǎn)能12萬片的氮化鎵外延片產(chǎn)線和年產(chǎn)能36萬片的氮化鎵芯片生產(chǎn)和封測產(chǎn)線，總投資約50億人民幣。

根據(jù)官方公眾號(hào)信息，聚力成半導(dǎo)體有限公司是注冊(cè)于大陸的第三代半導(dǎo)體公司成立于2018年9月，團(tuán)隊(duì)由經(jīng)驗(yàn)豐富華籍專家組成，大多出于知名半導(dǎo)體公司。采用業(yè)界先進(jìn)的三五族半導(dǎo)體工藝，專注整合設(shè)計(jì)與制造商業(yè)模式的研發(fā)及生產(chǎn)制造商。司依托自有先進(jìn)的氮化鎵外延技術(shù)、領(lǐng)先的氮化鎵芯片設(shè)計(jì)能力、優(yōu)質(zhì)完整的晶圓加工及封測供應(yīng)鏈戰(zhàn)略合作體系以及強(qiáng)大的應(yīng)用整合能力，致力于打造第三代半導(dǎo)體新功率平臺(tái)，助力實(shí)現(xiàn)我國第三代半導(dǎo)體自主可控的宏偉目標(biāo)，加速電力電子領(lǐng)域高速革命。

根據(jù)招聘網(wǎng)站信息，聚力成半導(dǎo)體在電力電子領(lǐng)域具備開發(fā)6英寸650V/100V硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片技術(shù)能力，實(shí)現(xiàn)650V/15A硅基氮化鎵功率器件的生產(chǎn)工藝；在微波射頻領(lǐng)域，聚力成半導(dǎo)體同樣具有研發(fā)碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延材料的技術(shù)能力，技術(shù)團(tuán)隊(duì)在射頻芯片生產(chǎn)工藝的開發(fā)，有多年豐富經(jīng)驗(yàn)，未來產(chǎn)品將定位為射頻通訊和射頻能量市場。

在2021年，聚力成半導(dǎo)體表示其生產(chǎn)的氮化鎵功率器件經(jīng)過實(shí)測，效率達(dá)到95.8%，該數(shù)據(jù)基于65W快充電路演示板在滿載時(shí)測得，這一數(shù)據(jù)意味著聚力成氮化鎵器件將電源損耗降低近60%，大幅度提升能效水平。

圖源：聚力成半導(dǎo)體

2021年11月，聚力成半導(dǎo)體在中國電源學(xué)會(huì)第二十四屆學(xué)術(shù)年會(huì)上亮相，展出的產(chǎn)品工藝平臺(tái)包含功率用100-700V硅基氮化鎵外延技術(shù)平臺(tái)（AlGaN型及pGaN型），射頻用100-700V硅基氮化鎵外延平臺(tái)，650V 50-400mR D-mode GaN HEMT芯片及器件代工平臺(tái)以及150V E-mode GaN HEMT芯片及器件代工平臺(tái)。

根據(jù)公開信息，聚力成半導(dǎo)體已完成三輪融資，投資方包括鹽城國智、上汽投資、阿里系的云鋒基金、賽伯樂投資等。