MOSFET(場效應晶體管)廣泛應用于現代電子電路,特別是在高效電力電子和開關電源設計中。其高速開關特性使其在很多高頻應用中成為理想的選擇。然而,在某些應用中,由于MOSFET開關速度不足,可能導致
2026-01-04 10:54:34
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- FPF2007 是一系列負載開關,旨在為可能遇到大電流情況的系統和負載提供全面保護。這些器件內置一個 0.7Ω 的電流受限 P 溝道 MOSFET,可在 1.8 - 5.5V 的輸入電壓范圍內工
2025-12-30 16:30:17
76 (1)Id電流代表MOSFET能流過的最大電流,反映帶負載能力,超過這個值可能會因為超負荷導致MOSFET損壞。
(2)Id電流參數選擇時,需要考慮連續工作電流和電涌帶來的尖峰電流,確保
2025-12-23 08:22:48
Wolfspeed 宣布推出最新的車規級 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于業界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發, 為汽車車載充電器、DC/DC 轉換器、電子壓縮機和加熱與冷卻系統等應用提供了優異的性能。
2025-11-30 16:14:51
658 Wolfspeed 宣布推出最新的工業級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于業界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發,為硬開關應用提供了優異的性能。
2025-11-30 16:13:27
564 在現代電子設備的核心部件中,金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)無疑是當之無愧的“開關大師”。從智能手機的芯片到新能源汽車的動力控制系統,從光伏逆變器到工業機器人,MOSFET以其高效
2025-11-27 15:48:15
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安森美 NCP402045集成驅動器/MOSFET在單一封裝中集成了MOSFET驅動器、高側MOSFET、 和低側MOSFET。該元件優化用于大電流直流-直流降壓電源轉換應用。該器件具有快速開關
2025-11-24 11:49:35
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傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規格書深度解析與應用指南 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源
2025-11-24 09:00:23
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890mA(最大值),非常適合用于便攜式電子設備、DC-DC轉換器和負載開關電路。開關速度快和柵極電荷低,有助于降低功耗并提高整體系統效率,使這些MOSFET成為空間受限、功耗敏感設計的可靠選擇。
2025-11-22 09:36:01
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功率MOSFET管應用問題匯總
問題1:在功率MOSFET管應用中,主要考慮哪些參數?在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算,通常取多少比較好?相應的PCB設計,銅箔面積布設多大散熱會比
2025-11-19 06:35:56
STMicroelectronics STELPD01電子負載開關是用于電源軌保護應用的集成電子電源開關。它可以精確檢測過流和過壓情況并作出反應。發生過載情況時,該器件進入開路狀態,從電源斷開負載
2025-10-31 09:49:13
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,能量利用率可達95%以上。其優勢在于高效能量循環利用,但依賴電網兼容性設計。 2. MOSFET耗能型功率負載 以功率MOSFET為核心,通過調節柵極電壓控制導通狀態,動態調整等效阻抗。采用PWM調制和數字反饋技術(如FPGA/DSP控制器),支持μs級動態
2025-10-23 10:09:26
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)MOSFET分立器件產品組合具有強大的競爭力和先進的技術特性,能夠全面滿足高功率密度、高開關頻率以及高可靠性電源應用的需求。該系列產品矩陣涵蓋 650?V、 750?V、 1200?V 和 1400
2025-10-21 10:12:15
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在前面的內容中,我們了解了負載開關IC的基本定義、獨特優點、實用功能及其操作,今天作為【負載開關IC】系列的最后一篇內容,芝子將帶著大家了解一下負載開關IC數據表中相關術語和功率損耗計算方法。
2025-10-15 16:54:50
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相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關速度和更低的開關損耗。 碳化硅 MOSFET 應用于高開關頻率場合時其開關損耗隨著開關頻率的增加亦快速增長。 為進一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:03
37 傾佳電子商用電磁加熱技術革命:基本半導體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統IGBT模塊 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子
2025-10-11 10:56:37
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傾佳電子SiC廚房革命:B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT在電磁爐應用中的技術與商業分析 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力
2025-10-11 10:55:21
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TPS22991I是一款小型、低 RON、單通道負載開關,具有受控壓擺率。該器件包含一個N溝道MOSFET,可在1.0V至5.5V的輸入電壓范圍內工作,并支持3A的最大連續電流。該開關由開和關輸入控制,能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-09-25 11:07:23
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Texas Instruments TPS22992x負載開關是一款具有8.7m Ω功率MOSFET的單通道負載開關,設計用于在高達5.5V、6A的應用中最大化功率密度。可配置上升時間為電源排序提供了靈活性,并最大限度減少了高電容負載下的浪涌電流。
2025-09-24 15:07:33
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觸點),可直接驅動繼電器或PLC輸入。 霍爾開關 :多為集電極開路(OC)或推挽輸出,需確認負載電路是否匹配。 解決方案 :若驅動高電壓/大電流負載,需外接繼電器或MOSFET;若與PLC連接,需確認輸入電壓范圍(如24V DC)是否與霍爾開關
2025-09-23 10:57:40
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在之前的課程里,我們已經了解了負載開關IC的一些實用功能,這些知識為我們在實際設計中運用負載開關IC提供了思路。今天,芝子將帶著大家更進一步,詳細探討負載開關IC的具體功能操作!
2025-09-19 17:57:58
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Texas Instruments TPS22998單通道負載開關具有可配置上升時間,從而可更大限度地降低浪涌電流。該器件包含一個可在0.2V至5.5V輸入電壓范圍內運行的N溝道 MOSFET,并且支持10A的最大連續電流。
2025-09-16 14:46:44
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Texas Instruments TPS7H2201-SP單通道負載開關具有可配置上升時間,可最大限度地降低反向電流和浪涌電流保護。該器件包含一個可在1.5V至7V輸入電壓范圍內運行的P溝道
2025-09-15 10:59:57
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Texas Instruments TPS22811EVM負載開關評估模塊 (EVM) 支持對TPS22811負載開關進行參考電路評估。TPS22811器件是一款2.7V至16V、10A負載開關
2025-09-12 09:48:20
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Texas Instruments TPS7H2221EVM負載開關評估模塊 (EVM) 演示了TPS7H2221-SEP負載開關的并聯運行。TPS7H2221-SEP是一款壓擺率可控的小型單通道
2025-09-11 10:33:27
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Texas Instruments TPS22963/64負載開關是一款具有受控接通功能的小型超低R~ON~負載開關。該器件采用低R~DSON~ N溝道MOSFET,可以在1V至5.5V的輸入電壓
2025-09-10 11:06:20
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新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ,TO247-4引腳IMZA封裝,確保安裝兼容性并可輕松替換現有
2025-09-08 17:06:34
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Texas Instruments TPS22996雙通道負載開關是一款雙通道負載開關,具有受控接通功能。該器件包含兩個N溝道MOSFET,每通道支持最大4A的連續電流,可在0.6V至5.5V的輸入
2025-09-06 17:34:51
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Texas Instruments TPS22995導通電阻負載開關支持可配置上升時間,以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內運行的N溝道MOSFET,并且支持3.8A的最大連續電流。
2025-09-02 14:57:49
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Texas Instruments TPS22995H-Q1汽車負載開關集成了19mΩ N溝道MOSFET,可在0.8V至5.5V輸入電壓范圍內工作,最大連續電流為3A。TPS22995H-Q1由開
2025-09-02 11:15:52
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PC5010是一款單通道、低邊 MOSFET 驅動器。能夠為容性負載提供大峰值電流,可在米勒平臺區域提供7A峰值電流,有助于降低MOSFET開關轉換期間的米勒效應時間。PC5010具有分立的上下管驅動輸出,允許用戶靈活控制MOSFET的導通和關斷延遲時間
2025-09-01 16:42:37
0 傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFET在LLC應用中取代超結MOSFET的優勢和邏輯 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要
2025-09-01 09:50:37
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產品描述:(替代NCP81074)PC5010是一款單通道、低邊 MOSFET 驅動器。能夠為容性負載提供大峰值電流,可在米勒平臺區域提供7A峰值電流,有助于降低MOSFET開關轉換期間的米勒效應
2025-08-30 17:31:31
Texas Instruments TPS22997負載開關是一款單通道開關,可提供可配置的上升時間來盡量減小浪涌電流。該負載開關可在0.1V至5.5V輸入電壓范圍內運行,具有10A 的最大持續電流
2025-08-28 15:29:32
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一款高性能、高性價比的單通道低邊門極驅動器——SiLM27512EM-DG,專為高效驅動MOSFET和IGBT等功率開關而設計,特別適合對開關速度和驅動能力有要求的應用場景,是替代傳統分立NPN
2025-08-19 08:18:42
革新電源設計:B3M040065R SiC MOSFET全面取代超結MOSFET,賦能高效高密度電源系統 ——傾佳電子助力OBC、AI算力電源、服務器及通信電源升級 引言:功率器件的代際革命 在
2025-08-15 09:52:38
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儲能電池包 BMS的主開關,是充放電回路的 “安全守門人”,直接關系到電池系統的運行安全與壽命。寬電壓波動、大快充電流、感性負載尖峰等等挑戰,對MOSFET 的耐壓、電流承載、雪崩能量提出了極高
2025-08-12 16:52:04
1523 Texas Instruments TPS2295x-Q1單通道負載開關具有受控導通功能。該器件包含一個N溝道MOSFET,可支持最大5A的連續電流,并在0.7V至5.7V的輸入電壓范圍內工作。
2025-08-12 09:45:59
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Texas Instruments TPS22999導通電阻負載開關是一款單通道負載開關,旨在實現快速導通時間和較低的浪涌電流。該負載開關具有N溝道MOSFET,可在0.1V至V~BIAS~ -1V
2025-08-08 09:51:11
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電子發燒友網為你提供()具有反向阻斷功能的 3A 轉換速率控制負載開關相關產品參數、數據手冊,更有具有反向阻斷功能的 3A 轉換速率控制負載開關的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,具有
2025-07-24 18:30:48

Texas Instruments TPS22991低R~ON~ 單通道負載開關具有受控的轉換速度。該器件支持3A最大連續電流,并包含一個可在1.0V至5.5V輸入電壓范圍內工作的N溝道MOSFET。該開關由可連接低壓控制信號的開/關輸入控制。
2025-07-17 10:57:40
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圣邦微電子推出 SGMNL12330,一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應用于 PWM 應用、電源負載開關、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:52
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一、MOSFET開關速度的定義與影響因素開關速度是MOSFET在導通(開)和關斷(關)狀態之間的切換速度,通常以上升時間(tr)、下降時間(tf)和開關時間(ts)來描述。開關速度越快,MOSFET
2025-07-01 14:12:12
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英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業界領先的抗寄生導通能力和成熟的柵極氧化層技術,可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關拓撲中實現卓越性能。
2025-06-20 14:44:26
970 氧化物半導體 FET)主要被用于線性或開關電源應用。
他們為什么要發明功率MOSFET?
當把雙極型三極管按照比例提高到功率應用的時候,它顯露出一些惱人的局限性。確實,你仍然可以在洗衣機、空調機
2025-06-03 15:39:43
TPS206x 配電開關適用于可能遇到重電容負載和短路的應用。該器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關,適用于需要在單個封裝中集成多個功率開關的配電系統。每個開關都由一個邏輯使能輸入
2025-05-27 14:54:57
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DC-DC開關電源電路特性:· 輸入和輸出電壓感應提供欠壓和過壓保護,變壓器初級電流感應提供過載和短路保護。· 全橋MOSFET驅動器用于驅動主全橋MOSFET,半橋MOSFET驅動器用于實現同步
2025-05-23 15:09:58
功率器件與拓撲優化
寬禁帶半導體器件應用
傳統硅基IGBT/MOSFET因開關損耗高,限制了系統效率。采用碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)器件可顯著降低損耗:
SiC MOSFET導通電阻低(僅為硅
2025-05-21 14:38:45
摩托羅拉車載對講,開關電源模塊保險絲燒壞,在更換保險絲和MOS管后輸出電壓正常,連接對講臺負載后斷電,檢查PFC芯片的電流反饋電阻阻值沒有問題,所有的濾波電容也沒有問題,不知從何下手了
2025-05-14 16:54:02
TPS22941/2/3/4/5 負載開關為系統和負載提供保護 大電流條件。這些器件包含一個 0.4 Ω 限流 P 溝道 MOSFET,該 MOSFET 可以 在 1.62 V 至 5.5 V
2025-05-14 10:28:44
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TPS22960 是一款具有受控導通功能的小型低 rON 雙通道負載開關。這些器件包含兩個 P 溝道 MOSFET,可在 1.62V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內工作。每個開關都由開/關輸入
2025-05-14 09:43:07
546 
TPS22946 是一款超低功耗負載開關,可為系統和 大電流條件下的負載。該器件包含一個 300mΩ 限流 P 溝道 MOSFET 可在 1.62 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作。該開關由
2025-05-14 09:20:01
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TPS22941/2/3/4/5 負載開關為系統和負載提供保護 大電流條件。這些器件包含一個 0.4 Ω 限流 P 溝道 MOSFET,該 MOSFET 可以 在 1.62 V 至 5.5 V
2025-05-13 18:00:08
654 
TPS22903 和 TPS22904 超小,低 r~上~單通道 帶受控導通的負載開關。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 1.1 V 至 3.6 V。開關由開和關輸入
2025-05-13 16:11:46
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TPS22934 是一個小的低導通電阻 (r ~上~ ) 帶受控導通的負載開關。這些器件包含一個 P 通道 MOSFET 可在 1.5 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內工作。
該開關由具有
2025-05-13 15:26:43
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TPS22924x 是一款小型低 R~上~帶受控轉數的負載開關 上。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內工作 至 3.6 V。集成電荷泵對 NMOS 開關
2025-05-13 14:18:56
578 
TPS22920x 是一款節省空間的小型負載開關 具有受控導通功能,以減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可以 在 0.75 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內工作,開關電流高達
2025-05-13 13:45:41
490 
TPS22929D是一個小型的、低的r~上~帶受控轉數的負載開關 上。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 1.4 V 至 5.5 伏。該開關由開/關輸入 (ON) 控制,該輸入能夠
2025-05-13 10:25:30
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TPS22908 是一個小而低的 R~上~帶受控轉數的負載開關 上。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 1 V 至 3.6 的輸入電壓范圍內工作 V.該開關由開/關輸入 (ON) 控制,該輸入能夠直接與 低壓控制信號。
2025-05-13 09:51:35
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TPS22965x 是一款單通道負載開關,可提供可配置的上升時間 最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個可在輸入上工作的 N 溝道 MOSFET 電壓范圍為 0.8 V 至 5.7 V,可支持 6
2025-05-13 09:34:41
719 
TPS22930 是一個小而低的 R~上~帶受控開啟的負載開關。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 1.4 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作。該開關由開/關輸入 (ON) 控制,該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。TPS22930 為 active high enable。
2025-05-12 17:55:35
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TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~負載開關 受控打開。該設備包含低 R~DSON 系列~N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,開關電流高達 3
2025-05-12 15:58:13
547 
TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~負載開關 受控打開。該設備包含低 R~DSON 系列~N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,開關電流高達 3
2025-05-12 15:38:06
621 
TPS22969 是一個小的、超低的 R ~上~ 、單通道負載 開關與受控打開。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V,可支持 6 A 的最大連續電流。
2025-05-12 14:19:03
797 
TPS22962 是一個小型、超低的 R ~上~ 、單通道負載 開關與受控打開。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V,支持最大 10 A 的連續電流。
2025-05-12 13:53:51
706 
TPS22959 是一個小的、超低的 R ~上~ 、單通道負載 開關與受控打開。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V,支持最大 15 A 的連續電流。
2025-05-12 13:49:10
544 
TPS22914/15 是一個小而低的 R ~上~ ,具有受控轉換速率的單通道負載開關。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1.05 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 2 A 的最大連續電流。該開關由開和關輸入控制,該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-05-12 11:32:27
567 
TPS22914/15 是一個小而低的 R ~上~ ,具有受控轉換速率的單通道負載開關。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1.05 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 2 A 的最大連續電流。該開關由開和關輸入控制,該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-05-12 10:33:02
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一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.6 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持
10 A 的最大連續電流。寬輸入電壓范圍和高電流能力使這些器件可用于多種設計和終端設備。3.9mΩ 導通電阻可最大限度地減少負載開關兩端的壓降和負載開關的功率損耗。
2025-05-10 10:42:12
753 
TPS22971 是一款節省空間的單通道負載開關,具有受控和可調的導通轉換速率以及集成的電源良好指示器。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.65 V 至 3.6 V 的低輸入電壓范圍內
2025-05-10 09:40:59
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TPS22970 是一款節省空間的小型負載開關,具有受控導通功能,可減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.65 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內工作,脈沖開關電流高達
2025-05-10 09:34:50
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TPS22919 器件是一款小型單通道負載開關,具有受控的轉換速率。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1.6 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 1.5 A 的最大連續電流。
2025-05-09 14:37:11
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TPS22998 是一款單通道負載開關,可提供可配置的上升時間,以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.2 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 10 A 的最大連續電流。
2025-05-08 14:25:49
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TPS22995是一款單通道負載開關,集成了N-channel MOSFET,具有低導通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時間,用于限制啟動時的涌入電流。該開關適用于筆記本電腦、平板電腦、工業PC及離散工業解決方案等應用。
2025-05-07 17:52:38
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TPS22991 是一款小型、低 RON 、單通道負載開關,具有受控的轉換速率。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1.0V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 3A 的最大連續電流。該開關由開和關輸入控制,該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-05-06 17:19:44
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0? 引言SiC-MOSFET 開關模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關速度更快
2025-04-23 11:25:54
為什么adc芯片不寫輸入時鐘范圍,實際使用中應該怎么給?什么時候與處理器同源?
2025-04-15 06:10:05
做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外,新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色,亦不容忽視。其中,Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:32
1135 DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規定范圍以內,必須在低柵極電荷
2025-03-08 10:27:46
就可以減少由于漏極與源極之間的電容導致的開關損益。這就是所謂的ZVS .4) 當輸出負載減少或者輸入電壓增大的時候, MOSFET 的Ton會減少并且開關頻率增加。這就會導致嚴重的開關損失以及間歇性開關和噪音問題。 相關圖形請參看以下:
2025-03-07 15:25:45
碳化硅(SiC)MOSFET全面取代超結(SJ)MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性 性能優勢顯著 高頻高效 :SiC
2025-03-02 11:57:01
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隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:44
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DLPC6401什么時候可以只用Nand Flash或者EEPROM單獨對DLP進行配置?
2025-02-28 07:47:59
V0*Np/Ns開始共振。當Vds達到最小值時,準諧振開關開啟MOSFET。這樣就可以減少由于漏極與源極之間的電容導致的開關損益。這就是所謂的ZVS .4) 當輸出負載減少或者輸入電壓增大的時候
2025-02-26 16:40:48
本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關損耗
1 開通
2025-02-26 14:41:53
負載供電》,將討論使用高側開關控制器解決驅動容性負載挑戰的各種方法。 ? 引言 車輛架構從域向區域的轉變顯著改變了汽車的配電方式,基于半導體開關的解決方案(請參閱圖 1)正在取代傳統的熔斷型保險絲用于線束保護。這些解決方案具有諸多優
2025-02-22 13:46:21
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電子發燒友網站提供《NPS4001負載開關規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-11 14:21:04
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2025-02-11 14:18:20
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2025-02-09 11:59:25
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2025-02-09 11:38:10
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2025-02-08 14:24:41
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當CLKSEL置1時,如何采集數據?意思是怎么知道什么時候是最高位?什么時候是最低位?
2025-02-06 06:51:18
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:43
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BASiC國產SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:04
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請問一下大家:
1、ADS1115的Config Register 在什么時候配置比較好,因為我需要采集雙通道AD
2、寫入的時候是不是要先寫ADDR,然后Pointer Reg指向Config
2025-01-10 10:30:38
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