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電子發燒友網>今日頭條>什么時候使用負載開關取代分立MOSFET

什么時候使用負載開關取代分立MOSFET

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2025-05-12 15:38:06621

TPS22969 具有輸出放電的 5.5V、6A、4.4mΩ 負載開關數據手冊

TPS22969 是一個小的、超低的 R ~上~ 、單通道負載 開關與受控打開。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V,可支持 6 A 的最大連續電流。
2025-05-12 14:19:03797

TPS22962 具有輸出放電的 5.5V、10A、4.4mΩ 負載開關數據手冊

TPS22962 是一個小型、超低的 R ~上~ 、單通道負載 開關與受控打開。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V,支持最大 10 A 的連續電流。
2025-05-12 13:53:51706

TPS22959 具有輸出放電的 5.5V、15A、4.4mΩ 負載開關數據手冊

TPS22959 是一個小的、超低的 R ~上~ 、單通道負載 開關與受控打開。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V,支持最大 15 A 的連續電流。
2025-05-12 13:49:10544

TPS22915 具有輸出放電的 5.5V、2A、39mΩ 負載開關數據手冊

TPS22914/15 是一個小而低的 R ~上~ ,具有受控轉換速率的單通道負載開關。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1.05 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 2 A 的最大連續電流。該開關由開和關輸入控制,該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-05-12 11:32:27567

TPS22914 5.5V、2A、37mΩ 負載開關數據手冊

TPS22914/15 是一個小而低的 R ~上~ ,具有受控轉換速率的單通道負載開關。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1.05 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 2 A 的最大連續電流。該開關由開和關輸入控制,該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-05-12 10:33:02905

TPS22990 5.5V、10A、3.9mΩ 負載開關,具有可調上升時間、電源正常和可選輸出放電數據手冊

一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.6 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 10 A 的最大連續電流。寬輸入電壓范圍和高電流能力使這些器件可用于多種設計和終端設備。3.9mΩ 導通電阻可最大限度地減少負載開關兩端的壓降和負載開關的功率損耗。
2025-05-10 10:42:12753

TPS22971 具有可調上升時間、電源正常和輸出放電的 3.6V、3A、6.7mΩ 負載開關數據手冊

TPS22971 是一款節省空間的單通道負載開關,具有受控和可調的導通轉換速率以及集成的電源良好指示器。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.65 V 至 3.6 V 的低輸入電壓范圍內
2025-05-10 09:40:59577

TPS22970 具有輸出放電的 3.6V、4A、4.7mΩ 負載開關數據手冊

TPS22970 是一款節省空間的小型負載開關,具有受控導通功能,可減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.65 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內工作,脈沖開關電流高達
2025-05-10 09:34:50594

TPS22919 具有可調輸出放電的 5.5V、1.5A、90mΩ 負載開關數據手冊

TPS22919 器件是一款小型單通道負載開關,具有受控的轉換速率。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1.6 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 1.5 A 的最大連續電流。
2025-05-09 14:37:11744

TPS22998 5.5V、10A、4mΩ 導通電阻負載開關數據手冊

TPS22998 是一款單通道負載開關,可提供可配置的上升時間,以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.2 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 10 A 的最大連續電流。
2025-05-08 14:25:49704

TPS22995 具有可調上升時間的 5.5V 3.5A 20mΩ 導通電阻負載開關數據手冊

TPS22995是一款單通道負載開關,集成了N-channel MOSFET,具有低導通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時間,用于限制啟動時的涌入電流。該開關適用于筆記本電腦、平板電腦、工業PC及離散工業解決方案等應用。
2025-05-07 17:52:38664

TPS22991 5V、3A、25mΩ 負載開關,帶可選輸出放電數據手冊

TPS22991 是一款小型、低 RON 、單通道負載開關,具有受控的轉換速率。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1.0V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 3A 的最大連續電流。該開關由開和關輸入控制,該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-05-06 17:19:44865

SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數優化設計

0? 引言SiC-MOSFET 開關模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關速度更快
2025-04-23 11:25:54

為什么adc芯片不寫輸入時鐘范圍,實際使用中應該怎么給?什么時候與處理器同源?

為什么adc芯片不寫輸入時鐘范圍,實際使用中應該怎么給?什么時候與處理器同源?
2025-04-15 06:10:05

MOSFET與IGBT的區別

做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17

MOSFET開關損耗計算

)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外,新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色,亦不容忽視。其中,Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44

英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321135

電源系統開關控制器的MOSFET 選擇

DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規定范圍以內,必須在低柵極電荷
2025-03-08 10:27:46

準諧振資料開關電源

就可以減少由于漏極與源極之間的電容導致的開關損益。這就是所謂的ZVS .4) 當輸出負載減少或者輸入電壓增大的時候MOSFET 的Ton會減少并且開關頻率增加。這就會導致嚴重的開關損失以及間歇性開關和噪音問題。 相關圖形請參看以下:
2025-03-07 15:25:45

國產碳化硅MOSFET全面開啟對超結MOSFET的替代浪潮

碳化硅(SiC)MOSFET全面取代超結(SJ)MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性 性能優勢顯著 高頻高效 :SiC
2025-03-02 11:57:01899

超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析

隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441053

DLPC6401什么時候可以只用Nand Flash或者EEPROM單獨對DLP進行配置?

DLPC6401什么時候可以只用Nand Flash或者EEPROM單獨對DLP進行配置?
2025-02-28 07:47:59

準諧振資料開關電源【可下載】

V0*Np/Ns開始共振。當Vds達到最小值時,準諧振開關開啟MOSFET。這樣就可以減少由于漏極與源極之間的電容導致的開關損益。這就是所謂的ZVS .4) 當輸出負載減少或者輸入電壓增大的時候
2025-02-26 16:40:48

MOSFET開關損耗和主導參數

本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFETMOSFET開關損耗 1 開通
2025-02-26 14:41:53

使用高側開關控制器解決驅動容性負載挑戰的各種方法

負載供電》,將討論使用高側開關控制器解決驅動容性負載挑戰的各種方法。 ? 引言 車輛架構從域向區域的轉變顯著改變了汽車的配電方式,基于半導體開關的解決方案(請參閱圖 1)正在取代傳統的熔斷型保險絲用于線束保護。這些解決方案具有諸多優
2025-02-22 13:46:211678

NPS4001負載開關規格書

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2025-02-11 14:21:040

NPS4069負載開關規格書

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2025-02-11 14:18:200

NPS4053負載開關宣傳冊

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2025-02-09 11:59:250

NEVB-NPS1000負載開關評估板

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2025-02-09 11:38:100

NPS1000負載開關規格書

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2025-02-08 14:24:410

ADS1204 CLKSEL置1時,如何采集數據?怎么知道什么時候是最高位?什么時候是最低位?

當CLKSEL置1時,如何采集數據?意思是怎么知道什么時候是最高位?什么時候是最低位?
2025-02-06 06:51:18

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

SiC MOSFET分立器件及工業模塊介紹

BASiC國產SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042

ADS1115的Config Register在什么時候配置比較好?

請問一下大家: 1、ADS1115的Config Register 在什么時候配置比較好,因為我需要采集雙通道AD 2、寫入的時候是不是要先寫ADDR,然后Pointer Reg指向Config
2025-01-10 10:30:38

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