Texas Instruments TPS7H2201-SP單通道負載開關具有可配置上升時間，可最大限度地降低反向電流和浪涌電流保護。該器件包含一個可在1.5V至7V輸入電壓范圍內運行的P溝道MOSFET，最大支持6A持續電流。該開關由開/關輸入 (EN) 控制。該選項使得該器件能夠直接連接低壓控制信號。

數據手冊：*附件：Texas Instruments TPS7H2201-SP單通道負載開關數據手冊.pdf

Texas Instruments TPS7H2201-SP采用陶瓷封裝，集成散熱焊盤，可實現高功率耗散。該器件的自由大氣溫度范圍為：-55°C至+125°C。

特性

• 輻射性能
  • 輻射硬度保證 (RHA) 高達TID 100 krad(Si)
  • 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR)，不受LET=75MeVcm2/mg的影響
  • SEFI/SET特色toLET = 75MeVcm2/mg
• 集成單通道負載開關
• 輸入電壓范圍：1.5 V-7 V
• 低導通電阻（ RON ）：35mΩ（最大值，25°C、VIN =5V時）
• 最大連續開關電流：6 A
• 低控制輸入閾值支持使用1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯
• 可配置上升時間（軟啟動）
• 反向電流保護
• 可編程和內部電流限制（快速跳閘）
• 可編程故障定時器（電流限制和重試模式）
• 熱關斷
• 帶散熱焊盤的陶瓷封裝

功能框圖

TPS7H2201-SP/SEP 輻射硬化型eFuse負載開關技術解析

一、產品概述

Texas Instruments的TPS7H2201-SP/SEP是一款專為嚴苛環境設計的單通道eFuse負載開關，具有以下顯著特性：

• ?輻射硬化設計?：滿足100krad(Si)總電離劑量(TID)要求，對單粒子閂鎖(SEL)、單粒子燒毀(SEB)和單粒子柵擊穿(SEGR)具有免疫力
• ?寬電壓范圍?：1.5V至7V輸入電壓范圍，支持6A最大連續開關電流
• ?低導通電阻?：35mΩ（CFP/KGD封裝）和23mΩ（HTSSOP封裝）@25°C/VIN=5V
• ?多邏輯兼容?：支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯電平控制輸入

二、關鍵特性詳解

1. 輻射性能

• ? 總電離劑量(TID) ?：100krad(Si)保證
• ?單粒子效應防護?：LET=75MeV-cm2/mg下對SEL/SEB/SEGR免疫
• ? 單粒子功能中斷(SEFI) ?：在LET=75MeV-cm2/mg下完成特性測試

2. 保護特性

• ?可編程電流限制?：通過外部電阻設置，精度±20%
• ?反向電流保護?：防止VOUT向VIN反向供電
• ? 過壓保護(OVP) ?：可配置觸發閾值
• ?熱關斷?：175°C典型觸發點，20°C滯后

3. 封裝選項

三、空間應用設計考量

1. 冗余設計

在衛星電源系統中，可采用雙路TPS7H2201實現主備冗余：

• 主備電源通過EN信號切換
• 反向電流保護防止備用電源反灌
• 典型配置在POL穩壓器前端

2. SEL敏感負載保護

對于易發生單粒子閂鎖的器件：

• 將eFuse置于POL穩壓器輸出端
• 快速響應SEL事件（μs級）
• 自動恢復功能（通過RTIMER配置）

四、布局指南

1. ?關鍵元件放置?：
   • 輸入/輸出電容盡量靠近器件引腳
   • 電流檢測電阻路徑盡量短
2. ?布線要求?：
   • VIN/VOUT使用寬走線（≥50mil）
   • 敏感信號（EN/OVP）遠離功率路徑
3. ?熱管理?：
   • 熱焊盤下方放置4×4過孔陣列
   • 建議使用2oz銅厚
4. ?輻射加固措施?：
   • 關鍵信號線采用保護走線
   • 避免長非屏蔽走線

五、選型建議