Texas Instruments TPS22963/64負載開關是一款具有受控接通功能的小型超低RON負載開關。該器件采用低RDSON N溝道MOSFET,可以在1V至5.5V的輸入電壓范圍內工作。它還可以開關高達3A的電流。集成的電荷泵可偏置NMOS開關,獲得低開關導通電阻。開關由開/關輸入 (ON) 控制,能夠直接與低壓GPIO控制信號連接。TPS22963/64器件的上升時間由內部控制,以避免浪涌電流。
數據手冊;*附件:Texas Instruments TPS22963,64負載開關數據手冊.pdf
TPS22963/64提供反向電流保護。當電源開關被禁用時,該器件將不允許電流流入開關的輸入側。該功能僅在器件被禁用時才激活,允許為某些應用提供有意的反向電流(當開關被啟用時)。Texas Instruments TPS22963/64采用節省空間的6引腳WCSP封裝。該器件在自然通風的溫度范圍內(–40°C至+85°C)額定運行。
特性
- 集成式N溝道負載開關
- 輸入電壓范圍:1V至5.5V
- 內部直通-FET R
DSON= 8mΩ(典型值) - 超低導通電阻
- R
ON= 13mΩ(典型值)(VIN= 5V時) - R
ON= 14mΩ(典型值)(VIN= 3.3V時) - R
ON= 18mΩ(典型值)(VIN= 1.8V時)
- R
- 最大連續開關電流:3A
- 反向電流保護(當禁用時)
- 低關斷電流 (760nA)
- 低閾值(1.3V)GPIO控制輸入
- 具有受控壓擺率,可避免浪涌電流
- 快速輸出放電(僅限TPS22964)
- 六端子晶片級封裝(所示為標稱尺寸)
- 0.9mm x 1.4mm,0.5mm腳距,0.5mm高度
- 根據JESD 22標準測試的ESD性能
- 2kV人體模型(A114-B,II類)
- 500V充電器件模型 (C101)
功能框圖

TPS22963/64負載開關技術解析與應用指南
一、產品概述
TPS22963C和TPS22964C是德州儀器(TI)推出的兩款5.5V、3A負載開關,采用13mΩ超低導通電阻設計,具有反向電流保護和可控開啟特性。這兩款器件基于集成N溝道MOSFET架構,主要面向空間受限的便攜式電子設備。
?關鍵特性?:
- 超低導通電阻:13mΩ典型值(5V時)
- 寬輸入電壓范圍:1V至5.5V
- 最大連續開關電流:3A
- 低靜態電流:17μA(典型值)
- 低閾值(1.3V)GPIO控制輸入
- 集成反向電流保護(禁用時)
- 快速輸出放電功能(TPS22964C特有)
- 緊湊型WCSP封裝(1.4mm×0.9mm)
二、核心功能解析
1. 開關控制機制
通過ON引腳實現控制:
- ? 高電平(VIH) ?:開啟開關,VIH閾值隨VIN變化:
- VIN≥2.5V時:1.3V
- VIN=1-2.49V時:1.1V
- ? 低電平(VIL) ?:關閉開關,典型滯后電壓115mV
2. 反向電流保護
當開關禁用時:
- 阻止電流從VOUT流向VIN
- 保護條件:VIN>1V或VOUT>1V
- 典型反向漏電流僅-2.1μA(5V時)
3. 快速輸出放電(TPS22964C)
- 禁用時通過273Ω電阻放電
- 防止輸出端浮空
- 放電時間常數:τ=273Ω×COUT
4. 受控開啟特性
- 內置緩啟動電路
- 典型上升時間:
- 715μs(3.3V時)
- 890μs(5V時)
- 有效抑制浪涌電流
三、典型應用設計
1. 外圍元件選型
? 輸入電容(CIN) ?:
- 推薦值:1μF陶瓷電容
- 位置:盡量靠近VIN和GND引腳
- 作用:抑制輸入電壓跌落
? 輸出電容(COUT) ?:
- 推薦值:0.1μF陶瓷電容
- 位置:盡量靠近VOUT和GND引腳
- 作用:濾波和負載瞬態響應
3. PCB布局指南
?關鍵原則?:
- 輸入/輸出電容就近放置
- 使用寬走線降低寄生電感
- GND引腳充分鋪銅
- 熱敏感應用添加散熱過孔
?布局示例?:
- 整體解決方案尺寸:<10mm2
- 功率回路面積最小化
- 采用單點接地設計
四、應用場景推薦
五、性能對比
| 參數 | TPS22963C | TPS22964C |
|---|---|---|
| 導通電阻(3.3V) | 14mΩ | 14mΩ |
| 快速輸出放電 | 無 | 273Ω |
| 上升時間(3.3V) | 715μs | 715μs |
| 封裝 | WCSP-6 | WCSP-6 |
六、設計注意事項
- 高溫環境需降額使用,結溫不超過125°C
- 大電流應用需確保PCB銅厚足夠
- 時序控制應用中注意使能信號延遲
- 輸出電容值不宜超過輸入電容值
- 1.8V以下供電時導通電阻會增大
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