來源：英飛凌官微

750V 碳化硅MOSFET——750V CoolSiC MOSFET車規(guī)級和工業(yè)級產品，導通電阻范圍7mΩ至140mΩ

英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領先的抗寄生導通能力和成熟的柵極氧化層技術，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關拓撲中實現(xiàn)卓越性能。

此外，第二代產品大幅降低輸出電容(Coss)，使其能夠在Cycloconverter、CLLC、DAB和LLC等軟開關拓撲中以更高開關頻率運行。

該產品完美適用于對可靠性、功率密度和效率有嚴格要求的應用，包括車載充電器、DC-DC轉換器、DC-AC轉換器，以及AI服務器、太陽能逆變器和電動汽車充電設備。采用Q-DPAK封裝可充分發(fā)揮SiC技術固有的快速開關速度，同時確保約20W的功率耗散能力。

產品亮點

CoolSiC MOSFET 750 V

穩(wěn)健的750 V技術，經過測試的100%抗雪崩能力

出類拔萃的RDS(on)x Qfr

出色的 RDS(on)x Qoss及 RDS(on)x QG

低Crss/Ciss和高VGS(th)的獨特組合

英飛凌專有裸片接合技術

提供驅動源引腳

關鍵特性

插件和貼片封裝

集成開爾文源極

車規(guī)級器件符合AEC-Q101認證標準，工業(yè)級器件通過JEDEC認證

高度細分的產品組合：導通電阻范圍8mΩ至140mΩ，支持多種封裝規(guī)格

Q-DPAK頂部散熱封裝

頂部散熱（TSC）器件是表面貼裝功率器件，焊接在印刷電路板（PCB）上。半導體芯片產生的熱量通過封裝頂部傳導至連接的散熱器。TSC功率封裝是改善熱性能和電氣性能的解決方案。這類封裝還有助于提高功率密度并降低制造難度。

車規(guī)級MOSFET

“Tiny Power Box”項目由英飛凌與奧地利硅實驗室（Silicon Austria Labs）聯(lián)合開發(fā)，采用全英飛凌CoolSiC 解決方案，打造了一款緊湊型單相7千瓦車載充電器。